公开(公告)号：CN104240729B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410244285.3

申请日：2014-06-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 神边哲也 ,  丹羽和也 ,  村上雄二 ,  张磊

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/738 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

Abstract: 一种磁记录介质，具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的FePt合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少1层为含TiO2底层。

公开(公告)号：CN104347087A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410363017.3

申请日：2014-07-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 张磊 ,  神边哲也 ,  村上雄二 ,  丹羽和也

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/73

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/65

Abstract: 一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其特征在于，具有：基板；多个衬底层，其形成在所述基板上；以及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及第二衬底层，其含有MgO，所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。

公开(公告)号：CN104282318A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410312115.4

申请日：2014-07-02

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 神边哲也 ,  丹羽和也 ,  村上雄二 ,  张磊

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/73

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/314 ,  G11B5/65 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/82 ,  G11B20/10 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2005/0024 ,  G11B2020/10898

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和磁存储装置。该磁记录介质具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少1层为软磁性底层，该软磁性底层由(11·0)面被排列为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构的合金所构成。

公开(公告)号：CN109036474B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201810521202.9

申请日：2018-05-28

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 日向慎太朗 ,  齐藤伸 ,  福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也 ,  茂智雄

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/64

Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。

公开(公告)号：CN108399925B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201810048861.5

申请日：2018-01-18

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/66

Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及磁性层，所述磁性层含有合金，所述合金具有L10型结晶结构且面方位为(001)。所述底层包括第1底层。所述第1底层是含有以Al、Ag、Cu、W或Mo为主成分的材料及所述主成分的元素的氧化物、并且所述主成分的元素的氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。

公开(公告)号：CN108399925A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810048861.5

申请日：2018-01-18

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/66

Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及磁性层，所述磁性层含有合金，所述合金具有L10型结晶结构且面方位为(001)。所述底层包括第1底层。所述第1底层是含有以Al、Ag、Cu、W或Mo为主成分的材料及所述主成分的元素的氧化物、并且所述主成分的元素的氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。

公开(公告)号：CN104282318B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201410312115.4

申请日：2014-07-02

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 神边哲也 ,  丹羽和也 ,  村上雄二 ,  张磊

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/73

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/314 ,  G11B5/65 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/82 ,  G11B20/10 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2005/0024 ,  G11B2020/10898

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和磁存储装置。该磁记录介质具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少1层为软磁性底层，该软磁性底层由(11·0)面被排列为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构的合金所构成。

公开(公告)号：CN103680524B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310376361.1

申请日：2013-08-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 丹羽和也 ,  神边哲也 ,  村上雄二 ,  张磊

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/73

CPC classification number: G11B13/08 ,  G11B5/65 ,  G11B5/73 ,  G11B5/7325 ,  G11B2005/0024

Abstract: 本发明的磁记录介质，具有在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层。基底层从基板侧起依次具有：晶格常数a为2.87埃≤a＜3.04埃的第一基底层；晶格常数a为3.04埃≤a＜3.18埃的BCC结构的第二基底层；晶格常数a为3.18埃≤a＜3.31埃的BCC结构的第三基底层；和具有NaCl型晶体结构的上层基底层。第一基底层具有B2结构、或具有以Cr为主成分的BCC结构，本发明的磁记录介质采用热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式记录信息。

公开(公告)号：CN103680524A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310376361.1

申请日：2013-08-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 丹羽和也 ,  神边哲也 ,  村上雄二 ,  张磊

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/73

CPC classification number: G11B13/08 ,  G11B5/65 ,  G11B5/73 ,  G11B5/7325 ,  G11B2005/0024

Abstract: 本发明的磁记录介质，具有在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层。基底层从基板侧起依次具有：晶格常数a为2.87埃≤a＜3.04埃的第一基底层；晶格常数a为3.04埃≤a＜3.18埃的BCC结构的第二基底层；晶格常数a为3.18埃≤a＜3.31埃的BCC结构的第三基底层；和具有NaCl型晶体结构的上层基底层。第一基底层具有B2结构、或具有以Cr为主成分的BCC结构，本发明的磁记录介质采用热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式记录信息。

公开(公告)号：CN103247303A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310050692.6

申请日：2013-02-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 神边哲也 ,  丹羽和也 ,  村上雄二 ,  张磊

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/82

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/65

Abstract: 一种磁记录介质，具有在基板上至少依次层叠有基底层、第1磁性层和第2磁性层的结构，所述第1磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，所述第2磁性层由非晶合金构成，所述非晶合金含有Co作为主成分，并且含有6～16原子%的Zr，还含有B、Ta之中的至少一种以上的元素。