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公开(公告)号：CN115630703B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211629160.3
申请日：2022-12-19
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G06N10/40
Abstract: 本发明实施例公开了一种超导量子计算芯片及其制备方法，该计算芯片具体包括：衬底；设置于衬底一侧的超导膜层，超导膜层包括共面波导结构的信号传输馈线以及至少两个不同频率的λ/4谐振腔，λ/4谐振腔的一端与信号传输馈线连接，λ/4谐振腔的另一端开路。本发明实施例的技术方案，通过在信号传输馈线上连接至少两个不同频率的λ/4谐振腔，形成能够通过读取谐振腔频率信号传输，抑制比特频率信号传输的带通滤波器，在降低量子比特与外界耦合即不影响量子比特相干时间的情况下，实现量子比特的快速读取。
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公开(公告)号：CN115496220B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211442493.5
申请日：2022-11-18
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G06N10/40
Abstract: 本发明公开了一种量子比特芯片封装结构。该封装结构包括：上层读取控制芯片、下层读取控制芯片和中间量子比特芯片。中间量子比特芯片的上表面设置有第一金属层，下表面设置有第二金属层；上层读取控制芯片的两侧表面分别设置有第三金属层和第五金属层，第三金属层与第五金属层通过金属通孔互连；下层读取控制芯片的一侧表面设置有第四金属层；中间量子比特芯片包括第一部分量子比特和第二部分量子比特；第一部分量子比特的垂直投影与相邻的第二部分量子比特存在预设面积的交叠区域。本发明实施例的技术方案实现了量子比特芯片在三维方向的耦合，提高了量子比特芯片的集成度，增加了量子比特间的连接数，有效提升了量子芯片的算力。
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公开(公告)号：CN115112923B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211049798.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种二能级缺陷的空间分布的测量方法及测量装置。该测量方法包括：对超导量子待测样品施加预设偏置磁场；根据超导量子待测样品的超导量子比特的频率和偏置磁通的关系曲线确定能级回避交叉点的坐标点，能级回避交叉点的坐标点对应于待测样品中的二能级缺陷；通过二能级缺陷的空间分布的测量装置的探针依次对N个待测区域施加按照预设规律变化的应力，其中，超导量子待测样品的表面包括N个待测区域，N大于或等于1；确定每个待测区域的二能级缺陷的数量，其中，每个待测区域内能级回避交叉点的坐标点随着应力的变化出现变化的数量即该待测区域存在二能级缺陷的数量。本发明实施例提供的技术方案可以表征二能级缺陷的空间分布情况。
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公开(公告)号：CN115112923A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202211049798.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种二能级缺陷的空间分布的测量方法及测量装置。该测量方法包括：对超导量子待测样品施加预设偏置磁场；根据超导量子待测样品的超导量子比特的频率和偏置磁通的关系曲线确定能级回避交叉点的坐标点，能级回避交叉点的坐标点对应于待测样品中的二能级缺陷；通过二能级缺陷的空间分布的测量装置的探针依次对N个待测区域施加按照预设规律变化的应力，其中，超导量子待测样品的表面包括N个待测区域，N大于或等于1；确定每个待测区域的二能级缺陷的数量，其中，每个待测区域内能级回避交叉点的坐标点随着应力的变化出现变化的数量即该待测区域存在二能级缺陷的数量。本发明实施例提供的技术方案可以表征二能级缺陷的空间分布情况。
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