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公开(公告)号：CN102326262A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008716.6
申请日：2010-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/042 , C23C16/34 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层，在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后，在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层，在低温生长缓冲层上形成n型GaN层，在n型GaN层上形成由InxGa1-xN构成的光吸收层，在光吸收层上形成p型GaN层，在p型GaN层上形成p型GaN接触层。
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