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公开(公告)号：CN103109373A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180041844.5
申请日：2011-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L29/66765 , H01L29/78606 , H01L29/78678
Abstract: 本发明的显示装置用薄膜半导体装置（10）包括：基板（1）；形成于基板上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上，且在表面具有凸形状的沟道层（4）；形成于沟道层的凸形状之上，且包括含有硅、氧及碳的有机材料的沟道保护层（5）；界面层（6），形成于沟道层的凸形状的上面与沟道保护层之间的界面，含有碳作为主要成分，作为其主要成分的碳是来源于所述有机材料的碳；和源电极（8s）及漏电极（8d），沿着沟道保护层的端部的上部及侧部、与沟道保护层的侧部相连的界面层的侧部、与界面层的侧部相连的沟道层的凸形状的侧部、以及与沟道层的凸形状的侧部相连的沟道层的上部而形成。
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公开(公告)号：CN103026492A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201280002085.6
申请日：2012-02-06
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78687 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP
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公开(公告)号：CN102405527A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201080002214.2
申请日：2010-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/04 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种显示装置用薄膜半导体器件，具有：第一沟道层(130)，由多晶半导体层形成；第二沟道层(140)，由形成在第一沟道层(130)上的非晶半导体层形成，在表面具有凸形状；绝缘层(150)，形成在第二沟道层(140)的凸形状的上面；接触层(160)以及(161)，形成在绝缘层(150)的端部的上面及侧面、与绝缘层(150)的侧面相连的第二沟道层(140)的凸形状的侧面、以及与第二沟道层(140)的凸形状的侧面相连的第二沟道层(140)的上面；以及源电极(170)和漏电极(171)，接触层(160)以及(161)具有第一导电方式，第二沟道层(140)的凸形状的上部具有第二导电方式，由此能够使导通电流大幅度增加的同时使截止电流大幅度降低。
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公开(公告)号：CN1976869B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200680000344.6
申请日：2006-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B82B1/00 , H01L21/336 , B82B3/00 , H01L29/06 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L27/1292 , H01L29/0673 , H01L29/775 , H01L29/78603 , H01L29/78696 , H01L51/0048 , Y10S977/882
Abstract: 本发明涉及将碳纳米级管、半导体纳米级导线等的微细结构体排列到基板之上的方法、和具备基于该方法而配置的微细结构体的基板。该方法的发明包括：在基板(1)形成槽(2)的工序、向所述槽内滴下分散有微细结构体(3)的溶液(6)的工序、和使所述溶液蒸发而在所述槽内自组织排列所述微细结构体的工序。通过该发明的方法排列微细结构体的基板，能够用于场效应晶体管或传感器。
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公开(公告)号：CN100487879C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200580005184.X
申请日：2005-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , H01L27/1214 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , Y10S977/762 , Y10S977/938
Abstract: 本发明的纳米导线(100)，包括多个接触区域(10a、10b)和与多个接触区域(10a、10b)连接的至少一个沟道区域(12)。沟道区域(12)由第1半导体材料形成，沟道区域(12)的表面由在沟道区域(12)上选择性地形成的绝缘层覆盖。多个接触区域(10a、10b)分别由与所述沟道区域(12)的第1半导体材料不同的第2半导体材料形成。接触区域(12)的至少表面具有导电部分。
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公开(公告)号：CN103081078A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180040719.2
申请日：2011-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02675 , H01L27/1222 , H01L27/1274 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66765 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的薄膜晶体管的目的在于提供可以使优异的导通特性与优异的截止特性并存、电特性相对于源电极以及漏电极的调换成为对称的薄膜晶体管，具备：基板（100）；栅电极（110）；栅极绝缘层（120）；形成于栅电极（110）的上方的栅极绝缘层（120）上的结晶硅层（131）；形成于栅极绝缘层（120）上且结晶硅层（131）的两侧、膜厚比结晶硅层（131）的膜厚薄的非晶硅层（130）；形成于结晶硅层（131）上的沟道保护层（140）；源电极（171）以及漏电极（172）。
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公开(公告)号：CN103038887A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180003938.3
申请日：2011-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L29/04 , H01L29/78669 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体器件及其制造方法。本发明的薄膜半导体器件(10)具备：基板(1)；栅电极(2)，其形成在基板的上方；栅极绝缘膜(3)，其形成在栅电极上；沟道层，其形成在栅极绝缘膜上，由多晶半导体层(4)形成；非晶半导体层(5)，其形成在沟道层上、并在表面具有凸形状；源电极(8S)和漏电极(8D)，其形成在非晶半导体层的上方，非晶半导体层(5)的沟道层侧的第一部分(51)的电阻率比非晶半导体层(5)的源电极及漏电极侧的第二部分(52)的电阻率小。
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公开(公告)号：CN102959712A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180015805.8
申请日：2011-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/7866
Abstract: 本发明的薄膜晶体管（10）具备：基板（1）；栅电极（2），其形成于基板上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极上；结晶硅半导体层（4），其形成于栅极绝缘膜上；非晶硅半导体层（5），其形成于结晶硅半导体层上；有机保护膜（6），其形成于非晶硅半导体层上，由有机材料形成；源电极（8S）及漏电极（8D），其夹着有机保护膜而形成于非晶硅半导体层上，包含于非晶硅半导体层（5）的负载流子的电荷密度为3×1011cm-2以上。
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公开(公告)号：CN102379027A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080011595.0
申请日：2010-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供一种硅薄膜的结晶化方法以及硅薄膜晶体管器件的制造方法。硅薄膜的结晶化方法包括：第二工序，在基板(1)上层叠具有第一反射率的第一栅电极(2)；第三工序，使第一栅电极(2)的上面周边部露出而在第一栅电极(2)上层叠第二栅电极(3)，所述第二栅电极(3)具有比第一反射率小的第二反射率，并且其上面面积比第一栅电极(2)的上面面积小；第四工序，覆盖没有形成第一栅电极(2)的基板(1)上的周边区域、从第二栅电极(3)露出的第一栅电极(2)上的第一区域、以及第二栅电极(3)的上面的第二区域，层叠栅极绝缘膜(4)；第五工序，在层叠的栅极绝缘膜(4)上层叠非晶硅薄膜(5a)；以及第六工序，通过从非晶硅薄膜(5a)的上方照射激光，使非晶硅薄膜(5a)结晶化。由此，能够使硅薄膜的晶粒的尺寸均匀。
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公开(公告)号：CN101371335A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780003085.7
申请日：2007-01-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法。在用于制造半导体小片的本发明的方法中，首先，通过将牺牲层(11)和半导体层(12)以该顺序反复层叠在基板(10)上，在基板(10)上形成两层以上的半导体层(12)。接着，通过对牺牲层(11)和半导体层(12)的一部分进行蚀刻，将半导体层(12)分割成多个小片。接着，通过除去牺牲层(11)，将该小片从基板分离。
