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公开(公告)号：CN1319263A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN00801558.9
申请日：2000-07-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M2/1673 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/525 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M6/181 , H01M10/052 , H01M10/0565 , H01M2300/0002 , H01M2300/0082 , H01M2300/0088
Abstract: 提供一种没有着火或爆炸危险的使用安全的水溶液系电解液的可以得到3V以上高电压的锂二次电池。本发明的电池,包括:具备吸收和放出锂离子并显示出高电势的活性物质材料的正极、具备显示出低电位的活性物质材料的锂离子导电性的高分子固体电解质、和水溶液系电解液。且上述正极和负极,用离子导电性的高分子固体电解质覆盖,与水溶液系电解液通过上述电极覆盖层进行隔离。
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公开(公告)号：CN1246925C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN02103370.6
申请日：2002-01-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M10/40
CPC classification number: H01M10/0569 , H01M4/525 , H01M6/164 , H01M2300/0025 , H01M2300/004
Abstract: 在本发明的非水电解液二次电池的电解液中，含有在低温环境下具有高电导率的环状羧酸酯、用于抑制上述环状羧酸酯还原分解的具有至少一个碳碳不饱和键的环状碳酸酯和用于抑制上述具有至少一个碳碳不饱和键的环状碳酸酯在高温条件下过度聚合反应的不具有碳碳不饱和键的环状碳酸酯，所述具有至少一个碳碳不饱和键的环状碳酸酯在非水溶剂中的量为0.5-20体积%；或者，所述具有至少一个碳碳不饱和键的环状碳酸酯包含碳酸亚乙烯酯和碳酸乙烯基亚乙酯。
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公开(公告)号：CN1240152C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN02152712.1
申请日：1998-02-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/625 , H01M6/10 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M2004/028 , Y02E60/122
Abstract: 提供一种二次电池，能够在循环寿命末期防止锂在负极上沉积、循环性能好并具有高安全性和可靠性。该二次电池，包括：含有活性物质和导电材料的正极，该活性物质由含有锂的过渡金属氧族化物构成，负极，和与所述正极、负极相接触的电解液；所述导电材料包含炭黑和乙炔黑，所述炭黑具有石墨晶体积聚在其外部的中空外壳结构，具有200ml/100g以上的邻苯二甲酸二丁酯吸油量，用氮吸收法得到的表面积为500m2/g以上，且孔隙率为35%以上，其特征在于：相对于每100重量份的所述活性物质，所述炭黑含量的比例在0.2重量份到1.0重量份的范围内；且在相对于每100重量份所述活性物质，所述炭黑含量的比例为x重量份、所述乙炔黑的含量比例为z重量份的情况下，[3x+z]的值在1.1到3.5的范围内。
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公开(公告)号：CN1130784C
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN97190304.2
申请日：1997-04-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/52
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/525
Abstract: 一种二次电池，它包含：包含由氧、钴和锂组成的钴酸锂的正极；能嵌入锂和使锂脱嵌的负极；以及电解质，其特征在于所述钴酸锂为粉末，并且粉末的平均粒径介于5微米-25微米之间，所述钴酸锂的化学成份为钴与锂的摩尔比介于0.96-1.04之间，所述钴酸锂的结晶度达到在CuKαX射线衍射下003衍射峰的最大半峰宽介于0.15°-0.18°之间。
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公开(公告)号：CN1120537C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN98800254.X
申请日：1998-02-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/625 , H01M6/10 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M2004/028 , Y02E60/122
Abstract: 提供一种二次电池，能够在循环寿命末期防止锂在负极上沉积、循环性能好并具有高安全性和可靠性。在可再充电的非水解液二次电池中，正极包含活性物质和导电材料，导电材料采用凯提恩炭黑、凯提恩炭黑和片状石墨的混合物或凯提恩炭黑和乙炔黑的混合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1516306A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02152712.1
申请日：1998-02-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/625 , H01M6/10 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M2004/028 , Y02E60/122
Abstract: 提供一种二次电池，能够在循环寿命末期防止锂在负极上沉积、循环性能好并具有高安全性和可靠性。在可再充电的非水解液二次电池中，正极包含活性物质和导电材料，导电材料采用凯提恩炭黑、凯提恩炭黑和片状石墨的混合物或凯提恩炭黑和乙炔黑的混合物。
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公开(公告)号：CN1319264A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN00801554.6
申请日：2000-07-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M10/40
CPC classification number: H01M10/052 , C08F230/08 , H01B1/122 , H01M4/62 , H01M4/622 , H01M10/0565 , H01M2300/0082 , Y02T10/7011
Abstract: 提供制造既简便又有优异的导电性“干式”高分子固体电解质的方法,并在安全性方面具有优异的形状适应能力的高电池电压的锂二次电池。为配制这种高分子固体电解质,要求在高分子骨架中构成锂盐的锂离子的对离子进入高分子骨架中使成为只有锂离子是可动离子的单离子的导电机构。实现该方法之一是由至少有一个碳－碳双键有机化合物和锂甲硅烷胺化合物的混合物在干燥氛围下聚合的方法,并说明简便制成甲硅烷胺化合物进入高分子骨架中的“干式”高分子固体电解质。进而明确了应用该电解质的锂二次电池的特性。
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公开(公告)号：CN1317843A
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：CN01116314.3
申请日：2001-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M6/164 , H01M4/133 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0569 , Y10T29/49108
Abstract: 为了提供在高温环境下的充电状态中的保存特性优异的非水电解质二次电池，在非水电解质或负极中添加碳酸(二乙烯基)亚乙基酯，在负极材料表面形成由碳酸(二乙烯基)亚乙基酯衍生的膜。
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公开(公告)号：CN1190494A
公开(公告)日：1998-08-12
申请号：CN97190481.2
申请日：1997-05-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/587 , H01M2/1653 , H01M2/1686 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M6/10 , H01M10/05 , H01M10/0525 , H01M10/0569 , H01M2300/004
Abstract: 本发明涉及非水电解质二次电池,更具体地是指其隔离体。本发明的目的是即使在暴露于高温下也能防止由于电池内部压力上升造成的电解质漏泄事故,同时不牺牲电池容量。为了实现这一目的,通过利用在70—150℃温度范围内,熔化热单位面积吸热卡路里量大的聚烯烃类隔离体,选择合适的供负电极用的石墨粉末和非水电解质中的有机溶剂,通过抑制电池活性物质与有机溶剂之间的反应,从而抑制电池内部压力上升,能够成功地消除电解质漏泄事故。
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公开(公告)号：CN1188564A
公开(公告)日：1998-07-22
申请号：CN97190304.2
申请日：1997-04-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/52
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/525
Abstract: 一种二次电池,它包含:包含由氧、钴和锂组成的氧化钴锂的正极;能嵌入锂和使锂脱嵌的负极;以及电解质,其特征在于所述氧化钴锂为粉末,并且粉末的平均粒径介于5微米—25微米之间,所述氧化钴锂的化学成分为钴与锂的摩尔比介于0.96—1.04之间,所述氧化钴锂的结晶度达到在CuKαX射线衍射下003衍射峰的最大半峰宽介于0.15°—0.18°之间。
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