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公开(公告)号：CN112583394A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011024964.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社田村制作所
Inventor： 小川纮生
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明涉及栅极驱动电路。本发明提供一种更简易的电路结构且使用了N沟道MOSFET的栅极驱动电路的高边驱动器。一种对功率半导体开关进行驱动的高边驱动器电路，其具备：主开关N沟道MOSFET，漏极端子连接于电源的正侧Vdc，源极端子连接于对功率半导体开关进行驱动的信号的OUT端子；电荷蓄积电路，从Vdc蓄积电荷；带电压检测功能的开关，检测电荷蓄积电路的输出端子与Vdc的电压差，在检测到电荷蓄积电路的输出端子电压比电源的正侧Vcc的电压高一定电压以上的情况下，向所述主开关N沟道MOSFET的栅极端子施加所述电荷蓄积电路的输出电压的一部分或全部。
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公开(公告)号：CN105846680B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201610045928.0
申请日：2016-01-22
Applicant: 株式会社田村制作所
Inventor： 小川纮生
Abstract: 本发明提供变压器和开关电源装置。该变压器能够抑制各输出电压乖离。该开关电源装置使用该变压器。变压器(T)具有：磁芯(10)；一次绕组(11)，其装配在磁芯(10)上；气隙(15)，其设置在磁芯(10)的装配有一次绕组(11)的部位；以及两个以上的二次绕组(12、13)，它们装配在磁芯(10)上，在一次绕组(11)的卷轴方向上设置在一次绕组(11)的两侧且与气隙(15)为等距离。开关电源装置具有变压器(T)、与变压器(T)的一次绕组(11)连接的开关元件、以及对该开关元件进行控制的控制电路。
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公开(公告)号：CN110556239A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910423200.0
申请日：2019-05-20
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 一种电子元件(100)，包括：电路基板模块(104)，由多个层构成，并使用第一层(L1)至第八层(L8)的布线图案形成有初级侧电路(120)和次级侧电路(122，124)；以及磁体芯(106)，将初级侧电路(120)和次级侧电路(122，124)磁耦合。电路基板模块(104)包括：缺口部(104b)，从两侧缘部朝向内侧形成为缺口状，收纳磁体芯(106)并将其定位于规定的安装位置；以及扩展部(104c)，与缺口部(104b)相连，从电路基板模块(104)的两侧缘部向内侧形成为缺口状，并将磁体芯(106)的侧方比缺口部(104b)的收纳宽度(W1)更为扩展。由此，在将磁体芯(106)于缺口部(104b)内准确地进行了定位的状态下，能够进一步利用扩展部(104c)中的扩展空间来提高组装作业性。
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公开(公告)号：CN217335421U
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202220256933.7
申请日：2022-02-08
Applicant: 株式会社田村制作所
IPC: H02M1/088
Abstract: 本实用新型的目的在于提供一种可提高屏蔽时间的精度的驱动电路。驱动电路包括：第一二极管；第一晶体管以及第二晶体管，在第一二极管为关断状态时成为关断状态，且在第一二极管为导通状态时成为导通状态；第一电容器；以及控制部，控制是否向开关元件输出脉冲信号，在开关元件为接通状态的情况且开关元件的集电极‑发射极间电压为第一规定电压值以上的情况下，第一二极管成为导通状态，第一晶体管以及第二晶体管成为导通状态，在开始对第一电容器进行来自电流源的电流的充电且两端的电压值成为大于第一规定电压值的第二规定电压值以上的屏蔽时间后，将异常检测信号输出至控制部，控制部根据异常检测信号停止向开关元件输出脉冲信号。
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公开(公告)号：CN205377668U
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201620065625.0
申请日：2016-01-22
Applicant: 株式会社田村制作所
Inventor： 小川纮生
Abstract: 本实用新型提供变压器和开关电源装置。该变压器能够抑制各输出电压乖离。该开关电源装置使用该变压器。变压器(T)具有：磁芯(10)；一次绕组(11)，其装配在磁芯(10)上；气隙(15)，其设置在磁芯(10)的装配有一次绕组(11)的部位；以及两个以上的二次绕组(12、13)，它们装配在磁芯(10)上，其特征在于，所述两个以上的二次绕组在一次绕组(11)的卷轴方向上被设置在一次绕组(11)的两侧且与气隙(15)为等距离。开关电源装置具有变压器(T)、与变压器(T)的一次绕组(11)连接的开关元件、以及对该开关元件进行控制的控制电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205544940U
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201620065294.0
申请日：2016-01-22
Applicant: 株式会社田村制作所
Inventor： 小川纮生
Abstract: 本实用新型提供变压器和开关电源装置。该变压器在负载成为不平衡的情况下也能够减少交叉调节。该开关电源装置使用该变压器。该变压器(T)具有：磁芯(10)；一次绕组(11)，其装配在磁芯(10)上；两个以上的二次绕组(12、13)，其以使卷轴与一次绕组(11)的卷轴相同的方式装配在磁芯(10)上；以及两个以上的辅助绕组(14、16)，其以使卷轴与一次绕组(11)的卷轴相同的方式装配在磁芯(10)上，其中，辅助绕组(14、16)以与二次绕组(12、13)相邻的方式分别设置，而且辅助绕组(14、16)彼此并联连接。开关电源装置具有变压器(T)、与变压器(T)的一次绕组(11)连接的开关元件、以及对该开关元件进行控制的控制电路。
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公开(公告)号：CN213072610U
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202022132782.8
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社田村制作所
Inventor： 小川纮生
IPC: H03K17/687
Abstract: 本实用新型涉及栅极驱动电路。本实用新型提供一种更简易的电路结构且使用了N沟道MOSFET的栅极驱动电路的高边驱动器。一种对功率半导体开关进行驱动的高边驱动器电路，其具备：主开关N沟道MOSFET，漏极端子连接于电源的正侧Vdc，源极端子连接于对功率半导体开关进行驱动的信号的OUT端子；电荷蓄积电路，从Vdc蓄积电荷；带电压检测功能的开关，检测电荷蓄积电路的输出端子与Vdc的电压差，在检测到电荷蓄积电路的输出端子电压比电源的正侧Vcc的电压高一定电压以上的情况下，向所述主开关N沟道MOSFET的栅极端子施加所述电荷蓄积电路的输出电压的一部分或全部。
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公开(公告)号：CN209708803U
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201920729846.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 一种电子元件(100)，包括：电路基板模块(104)，由多个层构成，并利用第一层(L1)至第八层(L8)的布线图案形成有初级侧电路(120)和次级侧电路(122，124)；以及磁体芯(106)，将初级侧电路(120)和次级侧电路(122，124)磁耦合。电路基板模块(104)包括：初级侧绕组(120b)、次级侧绕组(122b，124b)，在磁体芯(106)的周围形成为渦状；以及第三层(L3)、第六层(L6)，插入至初级侧绕组(120b)的第四层(L4)与次级侧绕组(122b)的第二层(L2)、初级侧绕组(120b)的第五层(L5)与次级侧绕组(124b)的第七层(L7)之间。由于第三层(L3)和第六层(L6)在电路基板模块(104)内作为绝缘层发挥功能，因此电子元件(100)的耐压性能提高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209708802U
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201920729737.5
申请日：2019-05-20
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 一种电子元件(100)，包括：电路基板模块(104)，由多个层构成，并使用第一层(L1)至第八层(L8)的布线图案形成有初级侧电路(120)和次级侧电路(122，124)；以及磁体芯(106)，将初级侧电路(120)和次级侧电路(122，124)磁耦合。电路基板模块(104)包括：缺口部(104b)，从两侧缘部朝向内侧形成为缺口状，收纳磁体芯(106)并将其定位于规定的安装位置；以及扩展部(104c)，与缺口部(104b)相连，从电路基板模块(104)的两侧缘部向内侧形成为缺口状，并将磁体芯(106)的侧方比缺口部(104b)的收纳宽度(W1)更为扩展。由此，在将磁体芯(106)于缺口部(104b)内准确地进行了定位的状态下，能够进一步利用扩展部(104c)中的扩展空间来提高组装作业性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN308669021S
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202330622700.4
申请日：2023-09-22
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：半导体驱动电路模块的主体。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品整体用于驱动半导体元件的模块，实线部分用于半导体驱动电路模块的主体。
3.本外观设计产品的设计要点：在于实线部分。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
5.其他需要说明的情形其他说明：图式中所揭露的实线部分，为本外观设计产品主张设计的部分，图式中所揭露的虚线部分，为本外观设计产品不主张设计的部分。
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