公开(公告)号：CN104885003A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380067837.1

申请日：2013-09-04

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 小川宪介 ,  五井一宏 ,  日下裕幸

IPC: G02F1/025 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明提供光波导元件以及光调制器。该光波导元件具备具有芯层的脊形波导，该芯层具有脊部、和以夹持脊部的方式分别连接于脊部的两侧的包含第1平板部以及第2平板部的一对平板部，脊部具有预先设定的能够传播处于单一的偏振光状态的基本模式以及高次模式的剖面尺寸，还具有形成PN结的第1P型半导体部以及第1N型半导体部，第1平板部具有相互连接的第2P型半导体部以及P型导体部，第2P型半导体部与脊部的第1P型半导体部连接，第2平板部具有相互连接的第2N型半导体部以及N型导体部，第2N型半导体部与脊部的第1N型半导体部连接。

公开(公告)号：CN104603654A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380043909.9

申请日：2013-08-13

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 日下裕幸 ,  小川宪介 ,  五井一宏

IPC: G02B6/122 ,  G02F1/01

CPC classification number: G02B6/2821 ,  G02B6/122 ,  G02B6/125 ,  G02B6/14 ,  G02B6/2813 ,  G02B6/2935 ,  G02F1/225 ,  G02F1/2255 ,  G02F2001/212

Abstract: 光波导元件具备：主波导，其能够对至少两种以上的传播阶数不同的传播模进行导波；和模分离器，其具有具备以构成定向耦合器的方式从上述主波导隔开恒定的距离并与上述主波导平行地配置的耦合部分，并且能够将上述两种以上的传播模中，至少一种传播模从上述主波导分离的副波导，构成上述主波导和上述副波导的芯线与包层的折射率比亦即ncore/nclad在101～250％的范围内。

公开(公告)号：CN104252020A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410280291.4

申请日：2014-06-20

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 冈彻 ,  五井一宏 ,  小川宪介 ,  日下裕幸

IPC: G02B6/126

CPC classification number: G02B6/2804 ,  G02B6/2726 ,  G02B6/2733 ,  G02B6/2821

Abstract: 本发明提供一种偏振波转换元件，具有定向耦合器，其具备相互平行地配置且分别具有芯的输入侧光波导路及输出侧光波导路。在与输入侧及输出侧光波导路的长边方向垂直的剖面，在将输入侧与输出侧光波导路相对的方向作为宽度方向并将与宽度方向垂直的方向作为高度方向时，输入侧与输出侧光波导路的芯的高度方向尺寸相等，输入侧及输出侧光波导路中至少一方的芯由矩形的下部芯与矩形的上部芯构成，上部芯以使宽度方向的一个侧面与下部芯的一个侧面处于一个平面上的方式配置在下部芯之上，且与下部芯相比宽度方向的尺寸小，定向耦合器构成为在输入侧光波导路进行波导的第一光与在输出侧光波导路进行波导的偏振方向与第一光正交的第二光耦合。

公开(公告)号：CN106842423A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610974465.6

申请日：2016-11-04

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 石仓德洋 ,  五井一宏

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/125 ,  G02B6/12

CPC classification number: G02B6/125 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/2813 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/1215 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/212 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12007

Abstract: 本发明提供光合波分波元件以及光调制器。该光合波分波元件与以往的光合波分波元件相比能够抑制反射光的发生。光合波分波元件(10)的纤芯(11)包括与第1纤芯(12)以及上述第2纤芯～第3纤芯(13、14)分别接合的MMI区间(15)，MMI区间(15)的脊型波导路(15b)的脊(15r)的宽度从沟道型波导路(15a)的宽度变窄至第1纤芯(12)的宽度。

公开(公告)号：CN103907049B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280052325.3

申请日：2012-10-26

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 五井一宏 ,  小川宪介

IPC: G02F1/025 ,  G02B6/122

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02B6/122 ,  G02B6/2935 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12159 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0151 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063

Abstract: 提供光学元件以及马赫－曾德型光波导元件。光学元件具备具有由肋部及夹着上述肋部位于其两侧且比上述肋部的厚度薄的第一及第二平板部形成的芯线的光波导，上述芯线的上述肋部和上述第一及第二平板部由半导体单晶一体地形成，上述第一平板部具有掺杂成P型的P型区域，上述第二平板部具有掺杂成N型的N型区域，上述肋部具有与设于上述第一平板部的P型区域接触的P型区域及与设置于上述第二平板部的N型区域接触的N型区域，上述肋部的P型区域和N型区域接触而构成PN结部，上述肋部具有在与上述光波导的长度方向垂直的截面中位于比上述第一及第二平板部靠上方的位置的上端部，上述肋部的上端部具有由本征区域、及以邻接的上述P型区域或N型区域的掺杂浓度的1/10以下的掺杂浓度掺杂的低浓度掺杂区域中的一方形成的未掺杂区域。

公开(公告)号：CN102483490B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN200980161034.6

申请日：2009-08-25

Applicant: 株式会社藤仓 ,  新加坡科技研究局

Inventor： 佐久间健 ,  小川宪介 ,  五井一宏 ,  陈永聪 ,  官宁 ,  余明斌 ,  张惠宜 ,  卢国强

IPC: G02B6/13

CPC classification number: G02B6/1223 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12107

Abstract: 一种制造平面光波导装置的方法，所述平面光波导装置包括芯线，其顶表面设置有沿芯线的纵向的槽部，所述槽部填充有由折射率低于所述芯线的折射率的低折射率材料制成的槽部填充体，所述方法包括：形成构成所述芯线的下部的由高折射率材料制成的高折射率材料层的第一高折射率材料层形成步骤；在所述高折射率材料层上形成由低折射率材料制成的低折射率材料层的低折射率材料层形成步骤；通过利用光刻和蚀刻来修剪所述低折射率材料层的两个侧面部分以形成所述槽部填充体的槽部填充体形成步骤；和形成构成所述芯线的上部的由高折射率材料制成的高折射率材料层以填充所述槽部填充体的侧面部分的两侧的第二高折射率材料层形成步骤。

公开(公告)号：CN102483491B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN200980161036.5

申请日：2009-08-25

Applicant: 株式会社藤仓 ,  新加坡科技研究局

Inventor： 佐久间健 ,  小川宪介 ,  五井一宏 ,  陈永聪 ,  官宁 ,  余明斌 ,  张惠宜 ,  卢国强

IPC: G02B6/13

CPC classification number: G02B6/136 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1223 ,  G02B6/124 ,  G02B2006/12107

Abstract: 一种用于制造平面光波导装置的方法，该平面光波导装置的芯线包括多个交替布置的凸部和凹部以形成光栅结构，在该光栅结构中，凹部的芯线宽度沿纵向方向变化，该方法包括：高折射率材料层形成步骤，形成高折射率材料层；光刻胶层形成步骤，在高折射率材料层上形成光刻胶层；第一曝光步骤，使用相移光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；第二曝光步骤，使用二元光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；显影步骤，对光刻胶层进行显影；以及蚀刻步骤，使用从显影步骤得到的光刻胶图案对高折射率材料层进行蚀刻。