在电沉积CdSe薄膜上自发生长Au纳米微粒的方法

    公开(公告)号:CN105499596A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201510880317.3

    申请日:2015-12-06

    Abstract: 本发明公开了一种在电沉积CdSe薄膜上自发生长Au纳米微粒的方法。利用二价镉盐和二氧化硒(SeO2)混合溶液,先利用电沉积的方法将CdSe沉积在电极表面,形成一种载体薄膜,把电极浸入Au纳米颗粒生长液中,再在恒温水浴锅中生长1~3h,最后取出电极,电极上就自发地生长上Au纳米微粒。本发明方法制备步骤简单,所沉积的复合膜附着力强,效率高,成本低廉,非常适宜大规模生产。

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