-
公开(公告)号：CN113514905A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110642678.X
申请日：2021-06-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光学相位调制技术领域，具体涉及一种等离子体超表面标准具结构的相位调制器；该结构是在SiO2材质的平板上设置了铝构成的五边柱形纳米周期阵列天线，该结构能在600～1000nm波长范围激发Fabry–Perot共振，通过分别调节LSP和Fabry‑Perot参数实现了对LSPR和Fabry–Perot这对耦合共振的调谐，通过改变五边柱的高度和边长实现在在全2π范围的相位控制并对局部表面等离子体激元共振进行调谐用于实现对反射率的控制；该控制器在600～1000nm波长范围内可实现0～2π范围的调相，并完成了在43μm焦距的聚焦效果，本发明结构简单，器件结构紧凑，易于集成到现有系统，加工方便，成本低。
-
公开(公告)号：CN211783309U
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202020520523.X
申请日：2020-04-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了基于螺旋光子晶体光纤选择性填充的双参数传感器，包括芯层、包层和甲苯液体，所述芯层位于光纤的中心轴线上，所述包层内均匀设置六层圆形的空气孔，所述空气孔呈环形阵列分布，所述甲苯液体填充在所述包层自内向外第二层的一个空气孔中，本实用新型能实现对扭曲和温度的同时传感监测，且两种传感机理相互不受影响，该双参量光纤传感器不仅结构简单，也具有较高的扭曲、温度灵敏度，在机械受力应变、扭曲及温度预警等领域具有很大的应用价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN211530192U
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202020492188.7
申请日：2020-04-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本实用新型公开了一种全介质透射型超表面全相位调控器，包括所述周期性排列粒子、所述涂层和所述基底，位置从上往下依次重叠设置的是所述涂层、周期性排列的所述周期性排列粒子以及所述基底，所述周期性排列粒子包括所述水平臂和所述竖直臂，通过改变所述水平臂的长度观察透射谱的分布，最终确定所述水平臂长从而得到的透射谱，平均透射率高达80.3％，如此通过简单的结构可以具有较高的透射效率，可实现0～2π的相位调控。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212780507U
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202020467852.2
申请日：2020-04-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本实用新型公开了一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，通过所述基于二维简单超材料结构的维纳折射率传感器是由周期性结构单元构成；所述周期性单元结构由一维介质光栅阵列叠放在由SiO2薄膜层和Al2O3薄膜层组成的下层结构上所构成。利用结构产生的导模共振和腔模，对周围的介质环境十分敏感的特性，可以将结构表面临近物质的折射率的微小变化转换成可测量的透射峰的位移，设计实现高灵敏度的微纳尺度折射率传感测量，该传感器具有优越的折射率灵敏度(410.2nm/RIU)和超高的品质因子(4769.8)，也可用于亚波长范围内的气体密度的检测。该传感器既能明显降低半峰全宽，提高传感器的灵敏度，又能有效防止结构的腐蚀及氧化，延长产品的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN210137014U
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201921420887.4
申请日：2019-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及一种基于二维简单超材料结构的超宽带吸波体，解决的是吸收效率低、结构复杂、工作带宽窄的技术问题，通过采用所述基于二维简单超材料结构的超宽带吸波体包括重叠设置的上层结构与下层结构，上层结构叠放在下层结构上；所述上层结构为周期设置的工作在亚波长范围内的金属-电介质-金属光栅结构；所述下层结构是多层金属-电介质对所构成，所述金属为铬，所述电介质为SiO2，下层结构的底层为厚度可阻绝电磁波透射的金属层的技术方案，较好的解决了该问题，可用于热辐射计和太阳能吸收系统中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN209198690U
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201920062121.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本实用新型涉及一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器，解决的是品质因数差的技术问题，通过采用所述基于表面晶格共振的超窄带吸收体是由纳米环柱阵列组成的；所述的纳米阵列单元从下往上依次设置为介质层基底、金属薄膜反射层及谐振器；所述的纳米阵列单元反射层薄膜金的厚度大于入射电磁波在贵金属金的趋肤深度的技术方案；所述的纳米阵列单元采用双环柱结构压缩了吸波体的吸收频谱的半峰全宽，较好地解决了传统吸波体吸收效率低，吸收半峰全宽大，品质因数低等问题，可用于窄带热辐射器，等离子体生物传感器的应用中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN214954178U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202121283885.2
申请日：2021-06-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及光学相位调制技术领域，具体涉及一种等离子体超表面标准具结构的相位调制器；该结构是在SiO2材质的平板上设置了铝构成的五边柱形纳米周期阵列天线，该结构能在600～1000nm波长范围激发Fabry–Perot共振，通过分别调节LSP和Fabry‑Perot参数实现了对LSPR和Fabry–Perot这对耦合共振的调谐，通过改变五边柱的高度和边长实现在在全2π范围的相位控制并对局部表面等离子体激元共振进行调谐用于实现对反射率的控制；该控制器在600～1000nm波长范围内可实现0～2π范围的调相，并完成了在43μm焦距的聚焦效果，本实用新型结构简单，器件结构紧凑，易于集成到现有系统，加工方便，成本低。
-
公开(公告)号：CN209485979U
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201920067012.4
申请日：2019-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552
Abstract: 本实用新型涉及一种基于超材料结构的新型微纳折射率传感器，解决的是传统光学折射率传感器由于结构尺寸大，无法实现在纳米尺度进行检测的问题，其结构包括基板和传感单元，其中传感单元位于基板上方并呈等间距分布。所述基板包括两层金属板和一层介质板；所述传感单元包括介质底板和介质底板上设置的两个平行金属纳米圆柱；金属纳米圆柱与介质底板的边缘在纵向相切，所述金属纳米圆柱的长度与传感单元长边的长度一致。所述微纳折射率传感器采用介质底板与第一介质板的材质相同，第一金属板、第二金属板及金属纳米圆柱的材质相同的技术方案，较好地实现了折射率传感器小型化和集成化，可用于以纳米领域的折射率测量为基准的各类传感器中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.019 seconds)
