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公开(公告)号：CN109613635B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910035610.8
申请日：2019-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明涉及一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器，解决的是品质因数差的技术问题，通过采用所述基于表面晶格共振的超窄带吸收体是由纳米环柱阵列组成的；所述的纳米阵列单元从下往上依次设置为介质层基底、金属薄膜反射层及谐振器；所述的纳米阵列单元反射层薄膜金的厚度大于入射电磁波在贵金属金的趋肤深度的技术方案；所述的纳米阵列单元采用双环柱结构压缩了吸波体的吸收频谱的半峰全宽，较好地解决了传统吸波体吸收效率低，吸收半峰全宽大，品质因数低等问题，可用于窄带热辐射器，等离子体生物传感器的应用中。
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公开(公告)号：CN111682312B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202010636765.X
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种沿E平面非对称切割的贴片天线，包括介质基板、位于介质基板上表面的第一金属层、位于介质基板下表面的第二金属层、从介质基板的下表面穿过第二金属层和介质基板对第一金属层进行馈电的同轴馈电输入端，第一金属层具有两个矩形切割缝隙，两个矩形切割缝隙非对称分布于第一金属层宽度中轴线的两侧，通过调整贴片尺寸和位置可以实现双频、宽频和波束扫描功能，相对于现有技术，该天线结构简单，其仅在常规微带贴片天线基础上进行非对称切割处理，便能够实现双频带、宽频带特征和波束扫描功能，结构简单，易于加工。
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公开(公告)号：CN113533251A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110658599.8
申请日：2021-06-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01K11/125
Abstract: 本发明公开了一种基于SPP和腔谐振的超窄带等离子体传感器，通过银作为衬底材料，在银的上部设置呈周期性阵列布置的矩形纳米腔，并填充乙醇作为温敏材料，从衬底上部入射的偏振光激发SPP和腔共振，使反射谱呈现出两个损耗峰。SPP波长对环境折射率变化非常灵敏，基于SPP波长与环境折射率变化的关系，可实现对环境折射率的测量。又因为所述矩形纳米腔填充了温敏材料，使得腔体的谐振波长随环境温度的变化而变化，基于腔谐振波长与环境温度的关系，可实现对环境温度的测量，解决了现有技术中的基于SPP的传感器无法同时测量折射率参数和温度参数的技术问题。
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公开(公告)号：CN113258287A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110671262.0
申请日：2021-06-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单介质层立体金属墙去耦结构，包括金属墙、底板和两个辐射模块，所述金属墙贯穿所述底板并与所述底板固定连接，且位于所述公共接地板的顶部，两个所述辐射模块分别与所述底板固定连接，并均位于所述底板的顶部，且两个所述辐射模块关于所述金属墙对称设置，在满足去耦和匹配要求的前提下，不仅使天线阻抗匹配变好，而且还实现了较好的去耦效果，修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有技术中方向图偏移的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111342239A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010266889.3
申请日：2020-04-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种全介质透射型超表面全相位调控器，包括所述周期性排列粒子、所述涂层和所述基底，位置从上往下依次重叠设置的是所述涂层、周期性排列的所述周期性排列粒子以及所述基底，所述周期性排列粒子包括所述水平臂和所述竖直臂，通过改变所述水平臂的长度观察透射谱的分布，最终确定所述水平臂长从而得到的透射谱，平均透射率高达80.3％，如此通过简单的结构可以具有较高的透射效率，可实现0～2π的相位调控。
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公开(公告)号：CN119812755A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510029152.2
申请日：2025-01-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及微带天线技术领域，尤其涉及一种紧间距E面方向图可调控的MIMO微带天线，包括主贴片单元、1/4波长阻抗变换线、馈电传输线、介质基板、金属接地板、金属地墙和金属条带，两个主贴片单元位于介质基板上表面且间距2.58mm，本发明通过在E面排列的两贴片单元之间放置一个蚀刻了弯折缝隙的金属条带，天线的能量通过近场耦合到金属条带上并激励缝隙，形成缝隙辐射的能量与天线辐射的能量相结合，调控了倾斜的方向图，实现了靠近缝隙天线单元的边射，同时在金属条带下方的金属地墙则起到了延长地面电流路径达到去耦的效果，本发明既实现两个沿E面紧密排列的贴片单元间隔离度的提高，又实现了单侧辐射方向图的可调控，适用于未来的小型MIMO天线。
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公开(公告)号：CN119738926A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510030088.X
申请日：2025-01-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光纤技术领域，具体涉及一种负曲率环形光纤模式选择耦合器，耦合器由两根相同结构的负曲率环形光纤粘接组成，粘连部分为耦合区，未粘连部分形成四个端口分别作为输入输出口，共线输出端和交叉输出端的功率配比由耦合长度L决定；两根负曲率环形光纤的切面均进行研磨，再使用折射率匹配胶水粘接。通过合理设计光纤结构参数，适当地选择两根光纤的中心间隔距离和耦合长度，可以使耦合器可以产生高阶OAM模式，包括OAM01、OAM11、OAM21、OAM31在内共12种OAM模式。相比传统的光纤耦合器，本发明在高阶模式依然可以实现较高的耦合效率，通过对耦合距离和输入模式的调整，还可以实现分光比可调、耦合模式可调。
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公开(公告)号：CN118444498A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410693974.6
申请日：2024-05-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明提供了基于水热法KTP晶体的电光光束偏转器，包括KTP晶体抛物线型波导基底、锯齿阵列接电金属电极和接地金属电极，锯齿阵列接电金属电极和接地金属电极在KTP晶体抛物线型波导基底的同一水平面上。本发明中的基于水热法KTP晶体的电光光束偏转器，利用水热法KTP晶体最大电光系数r33＝37.815pm/V，最大化水热法KTP晶体电光效应的使用；该结构接电金属电极为锯齿状阵列排列，在外加电压的作用下，可呈现梯度电场分布，实现光束的连续偏转；将接电金属电极和接地金属电极放置在同一平面上，形成行波电极，有效提高光束偏转精度和光束偏转器的稳定性。而且接电金属电极为锯齿状阵列排列，能将电场集中于锯齿尖端，有效控制光束的偏转方向。
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公开(公告)号：CN109580545B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910035608.0
申请日：2019-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552
Abstract: 本发明涉及一种基于超材料结构的新型微纳折射率传感器，解决的是传统光学折射率传感器由于结构尺寸大，无法实现在纳米尺度进行检测的问题，其结构包括基板和传感单元，其中传感单元位于基板上方并呈等间距分布。所述基板包括两层金属板和一层介质板；所述传感单元包括介质底板和介质底板上设置的两个平行金属纳米圆柱；金属纳米圆柱与介质底板的边缘在纵向相切，所述金属纳米圆柱的长度与传感单元长边的长度一致。所述微纳折射率传感器采用介质底板与第一介质板的材质相同，第一金属板、第二金属板及金属纳米圆柱的材质相同的技术方案，较好地实现了折射率传感器小型化和集成化，可用于以纳米领域的折射率测量为基准的各类传感器中。
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