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公开(公告)号：CN113080923B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110307959.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电桥法的等效生物电阻抗测量方法，所述系统以扫频的形式产生激励测试信号，并通过由运放搭建的自适应平衡电桥实现等效生物电阻抗值的测量，流经人体后的测试信号进入放大电路，对所测得的信号进行放大，之后进入高通滤波电路过滤掉工频干扰等低频杂波，并通过混频器技术降低测量信号频率，实现人体等效生物电阻抗中相位角的直接测量，解决了现有技术中的生物电阻抗测量在高频激励信号下相位角的测量误差较大所导致的测量准确性较低技术问题。
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公开(公告)号：CN109240019B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201811450571.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种二进制全光比较器，利用3个微环谐振器对特定波长的谐振特性，将微环谐振器作为开关使用，并与光波导巧妙组合，利用光学的方式来实现两个二进制数的比较，以实现计算机技术中的二进制比较运算，利用了光的自然特性代替传统的电学逻辑器件，避免了传统电学器件对信号的影响，实现了高速大容量的信息处理，提高了计算机的性能，降低了计算机的能耗；工艺方面实现了与CMOS工艺的兼容，使得器件的体积小，速度快，扩展性好以及低插入损耗特性，便于与其他器件的大规模集成。
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公开(公告)号：CN117712703A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410004195.0
申请日：2024-01-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及太赫兹超表面功能器件领域，尤其涉及一种宽带吸收与四波段吸收可切换的太赫兹器件，包括多个结构单元，每个结构单元由二氧化钒相变环形层、上部聚酰亚胺介质层、金属图案层、二氧化钒薄膜层、下部聚酰亚胺介质层和金属底层复合而成。所述金属图案层由L条形图案，十字形图案和正方形图案构成。通过外部激励改变二氧化钒电导率，当二氧化钒处于金属态时起宽带吸收作用，当二氧化钒处于绝缘态时起四波段吸收作用，且都具有极化不敏感和广角吸收的特点。本发明可以实现同一器件的不同功能切换，解决了现有太赫兹器件一旦制成其性质就被固定且不可调谐的缺陷。
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公开(公告)号：CN117317611A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311470126.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及太赫兹波段超表面功能器件领域，尤其涉及一种基于二氧化钒双功能可切换太赫兹器件，包括多个结构单元，每个结构单元由二氧化钒环形图案层、上部二氧化硅介质层、工字型金图案层、二氧化钒薄膜层、下部二氧化硅介质层和金衬底层复合而成。当二氧化钒处于金属态时，超表面实现宽带吸收功能；当二氧化钒处于绝缘态时，超表面实现反射式线偏振转换功能。本发明利用二氧化钒的相变特性，将宽带吸收器与反射式线偏振转换器这两种功能器件特性集成到一个超表面结构中，实现同一器件的不同功能切换，同时在宽带吸收时具有偏振不敏感和广角吸收的特点，解决现有太赫兹器件功能单一且不可调谐的缺陷。
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公开(公告)号：CN117008389A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310658653.8
申请日：2023-06-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02F3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于Y型石墨烯纳米带的光学数值比较器，属于硅基光子集成芯片技术领域，包括：Y型石墨烯纳米带Y1，与Y型石墨烯纳米带Y1级联设置的Y型石墨烯纳米带Y2和Y型石墨烯纳米带Y3，Y型石墨烯纳米带Y2和Y型石墨烯纳米带Y3相对于Y型石墨烯纳米带Y1对称设计；本发明设计的光学数值比较器在9.55μm的TM模式光作用下具有31.12dB的最小消光比和0.77dB的幅度调制；本发明设计的比较器位于0.4μm2的矩形介质层之上，主要由石墨烯纳米带通过Y型结构组成，其经由施加偏置电压改变石墨烯的化学势实现了石墨烯纳米带的通断效果，最终实现了一位光学数值比较器的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115020946B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210579653.4
申请日：2022-05-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明涉及太赫兹技术功能器件技术领域，具体涉及一种S型金属结构带割口的带阻滤波器；带阻滤波器包括多层单元结构，多层单元结构从上至下依次堆叠设置，每层单元结构均包括金属层、两组线条结构和方形基底，金属层设置于方形基底的顶侧，每层单元结构还具有四个形状为长方体的第一割口，每个第一割口的厚度等同于对应方形基底的厚度和对应金属层厚度之和，每个第一割口的底边为边长与方形基底的厚度相同正方形，解决的当前传统的基于金属‑介质滤波器结构的阻带普遍较窄，上升沿和下降沿不陡峭的缺点，并且该S型结构与线割结构复合相比于单线结构的滤波器，容易产生可需要的带宽及较优的滤波性能。
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公开(公告)号：CN111475460B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202010262036.2
申请日：2020-04-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F15/78 , G06F15/173 , G06F13/12
Abstract: 本发明公开了一种基于NoC的高速数据采集系统与上位机通信接口控制器，包括模数转换芯片、路由器、核心路由器、Aurora接口和SFP光电转换接口，所述Aurora接口包括资源节点接收接口模块、时钟和复位模块和数据传输模块，将所述模数转换芯片采集到的数据通过所述路由器传输到所述核心路由器，在数据顺序正确的情况下，所述资源节点接收接口模块将从所述核心路由器发送过来的数据传给所述数据传输模块；并由所述时钟和复位模块产生所述数据传输模块所需要的时钟和复位；然后由所述数据传输模块将传来的低速并行数据变为高速串行数据通过所述SFP光电转换接口发送给上位机进行处理，降低系统功耗和整体开发难度。
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公开(公告)号：CN113358238B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202110640132.0
申请日：2021-06-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于微环谐振器的小尺寸片上温度传感器，包括绝缘硅基底和设置在绝缘硅基底上的微环硅波导。微环硅波导由2条直硅波导、1条圆形硅波导和1条跑道形硅波导组成。绝缘硅基底由下层的硅基底和上层的二氧化硅基底叠加而成。本发明具有体积小、抗干扰能力强、功耗低、灵敏度高等特点，在一定程度上解决当前片上温度传感器较高灵敏度和较小尺寸不能共存的问题，在片上系统温度检测领域有较大的研究价值和应用潜力。
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