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公开(公告)号：CN105720027A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510940548.9
申请日：2015-12-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/4817 , H01L21/76852 , H01L23/3121 , H01L23/525 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2221/1078 , H01L2224/02166 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05008 , H01L2224/05075 , H01L2224/05548 , H01L2224/05664 , H01L2224/0612 , H01L2224/131 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L23/3157 , H01L21/56 , H01L24/10 , H01L24/81
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及其制造方法，使提高半导体器件的可靠性成为可能。半导体器件在半导体衬底上具有在多个布线层中的最上层处形成的焊盘电极、在焊盘电极上的具有开口的表面保护膜、在表面保护膜上形成并且具有上表面和侧表面的再分配线、包括覆盖再分配线的侧表面并且曝露再分配线的上表面的绝缘膜的侧壁阻挡膜以及覆盖再分配线上表面的封盖金属膜。于是，再分配线的上表面和侧表面覆盖以封盖金属膜或者侧壁阻挡膜，而封盖金属膜和侧壁阻挡膜具有重叠部分。
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公开(公告)号：CN103413789B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310364531.4
申请日：2009-05-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/02 , H01L23/522 , H01L23/58
CPC classification number: H01L23/02 , H01L23/522 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。
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公开(公告)号：CN102379036B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN200980158496.2
申请日：2009-04-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/314 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76811 , H01L21/76832 , H01L23/3128 , H01L23/3192 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/1147 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05556 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
Abstract: 本申请发明的目的在于提供一种提高半导体器件可靠性的技术，即使在层间绝缘膜的一部分中使用介电常数低于氧化硅膜的低介电常数膜的情况下，也能够提高半导体器件可靠性。具体而言，为了实现所述目的，由中杨氏模量膜形成构成第1精细层的层间绝缘膜IL1，因此能够使一体化的高杨氏模量层(半导体基板1S与接触层间绝缘膜CIL)与构成第2精细层的层间绝缘膜(低杨氏模量膜、低介电常数膜)IL2不直接接触地分离，能够分散应力。结果能够防止由低杨氏模量膜构成的层间绝缘膜IL2的膜剥离，能够提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN101593738B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200910203111.1
申请日：2009-05-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/522 , H01L21/304
CPC classification number: H01L23/02 , H01L23/522 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。
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公开(公告)号：CN207542239U
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201720726572.7
申请日：2017-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/13 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05554 , H01L2224/05558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，实现半导体芯片的缩小化，从而实现半导体器件的小型化。QFP中的半导体芯片的接合焊盘(4c)在其露出部(4ca)具有由连结角部(4n)与第一点(4q)的第一线段(4u)、连结角部(4n)与第二点(4r)的第二线段(4v)、连结第一点(4q)与第二点(4r)且朝向角部(4n)成为凸状的圆弧(4w)构成的连接柱配置区域(4x)。进而，在俯视接合焊盘(4c)时，连接柱(4h)的至少一部分与连接柱配置区域(4x)重叠配置。
