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公开(公告)号：CN207542239U
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201720726572.7
申请日：2017-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/13 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05554 , H01L2224/05558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，实现半导体芯片的缩小化，从而实现半导体器件的小型化。QFP中的半导体芯片的接合焊盘(4c)在其露出部(4ca)具有由连结角部(4n)与第一点(4q)的第一线段(4u)、连结角部(4n)与第二点(4r)的第二线段(4v)、连结第一点(4q)与第二点(4r)且朝向角部(4n)成为凸状的圆弧(4w)构成的连接柱配置区域(4x)。进而，在俯视接合焊盘(4c)时，连接柱(4h)的至少一部分与连接柱配置区域(4x)重叠配置。
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公开(公告)号：CN207068843U
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201720758267.6
申请日：2017-06-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/535 , H01L23/538 , H01L21/60 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02311 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/06135 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11849 , H01L2224/1191 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13686 , H01L2224/1369 , H01L2224/16112 , H01L2224/16237 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81815 , H01L2924/3512 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/053
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件，能够提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有：半导体衬底(1)；导体层(RM)，形成在半导体衬底(1)上、且具有上表面及下表面；导体柱(CP)，在导体层(RM)的上表面上形成，且具有上表面、下表面及侧壁；保护膜(16)，覆盖导体层(RM)的上表面，且具有露出导体柱(CP)上表面及侧壁的开口(16a)；及覆盖导体柱(CP)的侧壁的保护膜(SW)。而且，在俯视中，保护膜(16)的开口(16a)大于导体柱(CP)的上表面，并露出导体柱(CP)的上表面的整个区域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205177838U
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201520996498.1
申请日：2015-12-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/10 , H01L25/11 , H01L23/528
CPC classification number: H01L24/08 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/023 , H01L2224/02317 , H01L2224/024 , H01L2224/033 , H01L2224/05166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49431 , H01L2224/85345 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/20753 , H01L2224/45157 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种提高半导体器件的集成度的半导体器件。半导体器件(1A)包括：形成于半导体衬底(1P)上的多个Al布线层(5、7、9)；形成于多个Al布线层的最上层的焊盘电极(9a)；在焊盘电极上具有焊盘开口(10a)的基底绝缘膜(10)；再布线，其与焊盘电极电连接，并在基底绝缘膜上延伸。而且，半导体器件包括：保护膜(12)，其覆盖再布线(RM)的上表面，并具有使再布线的上表面的一部分露出的外部焊盘开口(12a)；外部焊盘电极(13)，其在外部焊盘开口处与再布线电连接，并在保护膜上延伸；以及与外部焊盘电极连接的导线(27)。并且，外部焊盘电极的一部分位于再布线的外侧区域。
