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公开(公告)号：CN102243973A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110142206.4
申请日：2011-05-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米材料复合场致电子发射膜，其包括碳纳米材料，含量为10%-70%；至少一种选自ZnO，SnO2、In2O3、PdO、Sb2O3、ZrC、HfC、WC、HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4、GdB4、ZrN、Al-AlN和HfN的半导体金属氧化物纳米颗粒，含量为30%-90%。该碳纳米材料复合场致电子发射膜能够防止在印刷过程中由于栅极边沿毛刺而导致的栅阴短路现象。采用所述碳纳米材料复合场致电子发射膜形成的场致发射显示器，可以简化生产工艺，降低制造成本，提高工作可靠性，提高分辨率。本发明还公开一种碳纳米材料复合场致电子发射膜的制备方法。
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