-
公开(公告)号：CN117438514A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311756568.1
申请日：2023-12-20
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光元件的外延结构及制备方法，该外延结构包括应力释放层，以及沉积在应力释放层上的多量子阱层；应力释放层包括由下至上依次沉积的第一SiC层、LTGaN层、第二SiC层、第一InGaN/GaN超晶格层、第三SiC层及第二InGaN/GaN超晶格层；第一SiC层、第二SiC层及第三SiC层用于释放应力，还用于聚集电子，以及向多量子阱层注入电子。本申请提供的外延结构在量子阱之前引入了SiC层，可以均匀且彻底地释放应力，并且可以有效聚集电子，提升电子的注入效率，进而提升LED器件亮度。
-
公开(公告)号：CN114551663B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210166545.4
申请日：2022-02-23
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本申请提供了一种LED外延结构及其制备方法。LED外延结构包括：3D层、UGaN层、多量子阱层MQW和电子阻挡层EBL，所述多量子阱层MQW包括界面过渡层；其中，在所述3D层和所述UGaN层之间设置有第一BN结构层，在所述界面过渡层中设置有第一BGaN结构层，在所述电子阻挡层EBL中设置有第二BN结构层或者第二BGaN结构层。本申请通过在LED外延结构中插入BN结构层和BGaN结构层，利用其原子间作用力小、禁带宽度大的特点，可以有效的降低位错密度、释放应力，提升晶格质量；提高电子阻挡率和电子利用率，从而提升LED的发光效率。
-
公开(公告)号：CN114203870B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111520260.8
申请日：2021-12-13
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本申请示出一种LED外延结构及其制备方法和应用。LED外延结构包括:第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层；其中，第一多量子阱发光层的第一shoes层厚度设置为5埃至20埃；第一well层厚度设置为25埃至40埃，In组分设置为0％至3％；第一cap层厚度设置为5埃至20埃；第一Barrier层厚度设置为50至150埃，Si掺杂浓度设置为1e17至1e18，Al组分设置为10至20％；第二多量子阱发光层的第二shoes层厚度设置为5埃至20埃；第二well层厚度设置为25埃至40埃，In组分设置为4％至6％；第二cap层厚度设置为5埃至20埃；第二Barrier层厚度设置为50埃至150埃，Si掺杂浓度设置为1e17至1e18，Al组分设置为10％至20％。本申请示出的技术方案，能够解决365nm～375nm波段LED会发黄光的问题。
-
公开(公告)号：CN114551663A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210166545.4
申请日：2022-02-23
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本申请提供了一种LED外延结构及其制备方法。LED外延结构包括：3D层、UGaN层、多量子阱层MQW和电子阻挡层EBL，所述多量子阱层MQW包括界面过渡层；其中，在所述3D层和所述UGaN层之间设置有第一BN结构层，在所述界面过渡层中设置有第一BGaN结构层，在所述电子阻挡层EBL中设置有第二BN结构层或者第二BGaN结构层。本申请通过在LED外延结构中插入BN结构层和BGaN结构层，利用其原子间作用力小、禁带宽度大的特点，可以有效的降低位错密度、释放应力，提升晶格质量；提高电子阻挡率和电子利用率，从而提升LED的发光效率。
-
公开(公告)号：CN118507606A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410757149.8
申请日：2024-06-13
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明公开了一种提高发光效率的LED外延层生长方法，属于LED制备领域，具体LED外延层生长方法如下：在LP层或/和HP层之后插入停顿退火层，即LPR停顿退火层/和HPR停顿退火层；且LPR停顿退火层的生成温度、H2浓度、NH3浓度均低于LP层，N2浓度高于LP层；HPR停顿退火层的生成温度、H2浓度、NH3浓度均低于HP层，N2浓度高于HP层。本发明通过在LP层或/和HP层之后插入低温、高N2、低H2、低NH3环境停顿退火层，活化提升Mg效率，提升空穴浓度，提升晶格质量，从而提升LED发光效率。
-
公开(公告)号：CN118173667A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211575506.6
申请日：2022-12-08
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本申请涉一种LED外延的生长方法及结构。该LED外延的生长方法包括：提供一层衬底，其中，所述衬底为Al2O3衬底或Al2O3/SiO2复合衬底；在所述衬底上依次沉积生长SiC缓冲层和u‑GaN层；其中，沉积所述SiC缓冲层所用的温度为650～1550度；沉积所述SiC缓冲层所用的气体为硅源气体和碳源气体，所述硅源气体流速为1～1000sccm，所述碳源气体流速为1～1000sccm；沉积所述SiC缓冲层所用的气体载气，流速为10～500slm；所述SiC缓冲层的沉积压力为100～700torr；所述SiC缓冲层的沉积厚度为10～1000A。提高电子空穴复合效率和LED的发光效率。
-
公开(公告)号：CN117832346A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311858101.8
申请日：2023-12-29
申请人： 天津工业大学 , 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明公开了一种InGaN基红黄光LED外延薄膜结构，包括：从下到上依次设置的衬底、缓冲层、第一uGaN层、第一应力释放层、第二uGaN层、第二应力释放层、第三uGaN层、nGaN层、第三应力释放层、多量子阱发光层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、P型GaN接触层和ITO透明导电薄膜层，还包括穿过所述ITO透明导电薄膜层与所述P型GaN接触层相接的P‑Pad，以及与nGaN层的露出部分相接的N‑Pad。本发明显著提升了GaN外延整体的垒晶质量，同时有效地解决了应力释放问题，获得了一种高质量的红黄InGaN基LED外延垒晶薄膜层。
-
公开(公告)号：CN114122208B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202111328568.2
申请日：2021-11-10
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明揭示了一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法。LED外延结构从下向上依次包括衬底、UGaN层、N型GaN层、应力缓冲层、多量子阱发光层及P型GaN层。本发明于外延结构中增加应力缓冲层，可降低底层衍生上来的位错，提升晶格质量，并且可降低应力。而应力缓冲层中的AlGaN/AlN复合层降低底层衍生上来的位错，提升晶格质量，且高低温生长的GaN层能够有效的降低因Al导致的压应力增大问题，而良好的晶格质量为浅量子阱层InN/InGaN的结构生长提供了基础；AlGaN/AlN复合层的禁带宽度明显大于AlGaN结构，能进一步阻挡电子，提高电子利用率，从而提升发光效率；AlGaN/AlN复合层的设计，因反射率的不同，可更好地进行光的反射(类似布拉格反射DBR作用)，进而减少光在传输过程中的损失。
-
公开(公告)号：CN114784158A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210392086.1
申请日：2022-04-14
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本申请提供一种垂直外延结构LED芯片及其制备方法，包括：依次叠层排布的衬底、插入层、导电层、低掺导电层和LED结构层，所述插入层为六方氮化硼层；所述导电层包括多个氮化镓铝/氮化镓异质结层。六方氮化硼层状结构相互间作用力小，剥离对上层外延结构损伤小。利用六方氮化硼层状结构特性，激光剥离技术不会对六方氮化硼层上的结构有破坏，从而提升LED芯片的良率。氮化镓铝/氮化镓异质结的结构因材质不同，可以起到类似芯片DBR作用。而且，通过氮化镓铝/氮化镓异质结层掺硅的浓度逐渐降低设计，能很好的和电极匹配，有着很好的导电和欧姆接触效果。
-
公开(公告)号：CN118213443A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211575505.1
申请日：2022-12-08
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/16 , H01L21/205
摘要： 本申请一种发光二极管外延的生长方法包括：提供一层衬底，其中，衬底为Al2O3衬底、Al2O3/SiO2复合衬底、Si衬底、BN衬底和SiC衬底中的一种；在衬底上依次沉积生长u‑GaN层、位错中断层和n‑GaN层，其中，位错中断层包括在u‑GaN层上循环生长的SiC插入层和位错填平层，循环生长的次数为N，且，N≥1；其中，沉积SiC插入层所用的温度为1000～1550度；沉积SiC插入层所用的气体为硅源气体和碳源气体，硅源气体流速为1～1000sccm，碳源气体流速为1～1000sccm；沉积SiC插入层所用的气体载气，流速为10～500slm；SiC插入层的沉积压力为100～700torr。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
29 条记录 (耗时 0.036 秒)