一种有损地面上输电线路的高频耦合方法

    公开(公告)号:CN113962171A

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:CN202111194432.7

    申请日:2021-10-13

    IPC分类号: G06F30/30

    摘要: 本发明公开了一种有损地面上输电线路的高频耦合方法,列出多导体输电线路的传输线模型方程,并计算传播常数;根据架空线路的长度和高度将其分为三个区域,在第二个区域对传输线方程组解耦,得到该区域的电流表达式;将第二个区域的电流表达式变换为包含散射系数矩阵和反射系数矩阵的表达式;进行辅助短线系统的仿真,并利用最小二乘法对仿真电流进行拟合;利用辅助短线的拟合系数得到第二个区域的沿线电流响应表达式;利用上述过程得到的参数分别求解第一个和第三个区域的沿线电流响应。本发明在全波软件中利用辅助短线的电流数据对长线的沿线电流响应进行计算,在长度增加时,计算成本几乎不变,同时也对多导体线路系统的响应进行了准确的预测。

    面向自膨胀分叉型血管支架的金属4D打印快速制造方法

    公开(公告)号:CN109730803B

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201910023592.1

    申请日:2019-01-10

    IPC分类号: A61F2/06

    摘要: 一种面向自膨胀分叉型血管支架的金属4D打印快速制造方法,先进行分叉血管的三维模型重建,再进行分叉血管支架的三维模型设计,最后进行分叉血管支架的4D打印快速制造;本发明充分利用金属4D打印在分叉血管设计制造中的效率和成本优势,显著降低血管再狭窄率和支架内血栓发生率,提高分叉血管支架介入手术成功率,同时可实现分叉血管支架的复杂形状‑快速制造‑自膨胀功能的一体化设计。

    一种三维雷电先导发展路径的生成方法

    公开(公告)号:CN112966404B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202110058558.5

    申请日:2021-01-16

    IPC分类号: G06F30/23 G06F111/08

    摘要: 本发明公开了一种三维雷电先导发展路径的生成方法,该方法包括以下步骤:步骤一、确定矩形仿真空间和发展概率指数;步骤二、对研究对象进行3D建模,设置边界条件和上行先导起始点;步骤三、运用有限差分法离散化空间电势,结合超松弛迭代计算空间电势,根据WZ模型和赌轮盘法确定已发展点;步骤四、判断先导是否满足结束条件,若不满足则返回步骤三;步骤五、根据上下行先导相接触或下行先导接触到研究对象作为雷电先导发展结束标志。本发明通过仿真手段实现对真实雷电发展过程的模拟,可模拟目标物在雷电环境中各部位的受雷击情况,为防雷设计提供指导和验证。

    一种计算全陶瓷微封装燃料芯块有效热导率的有限元方法

    公开(公告)号:CN113139324A

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN202110373488.2

    申请日:2021-04-07

    摘要: 本发明涉及一种计算全陶瓷微封装燃料芯块有效热导率的有限元方法。其包括以下步骤:S11)构建多层TRISO颗粒有限元模型;S12)基于球体法,利用有限元计算确定TRISO颗粒有效热导率;S21)根据FCM燃料芯块微结构特征,利用代表性体积单元方法构建其有限元模型;S22)根据傅里叶定律,利用体积平均方法,计算FCM燃料芯块有效热导率。本方法利用有限元模拟实现球体法,进而确定多层TRISO颗粒的有效热导率,可操作性高,准确性高;利用跨尺度等效方法解决了FCM燃料芯块复杂微结构建模与热导率预测问题,降低了模拟难度,提高了计算效率。

    一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101660132B

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN200910024118.7

    申请日:2009-09-28

    发明人: 马胜利 张旭东

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/06

    摘要: 本发明公开了一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法,将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备中,以平面Si靶和C靶作为相应元素的来源,Si靶、C靶以对靶的方式安置在炉体内壁上,通过调整中频脉冲电源的功率控制靶的溅射率;采用高纯Ar作为离化气体,保证有效的辉光放电过程;采用高纯H2作为反应气体,使其离化并与Si、C元素结合,在基体表面沉积形成氢化硅碳薄膜,通过掺入C含量的变化,改变Si、C的化学计量比,进而改变薄膜的光电性能。本发明制备的氢化硅碳薄膜可在太阳能电池、薄膜晶体管、发光二极管、紫外图像传感器、微细超流涂层以及防腐抗氧化涂层等方面得到广泛应用。

    面向自膨胀分叉型血管支架的金属4D打印快速制造方法

    公开(公告)号:CN109730803A

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201910023592.1

    申请日:2019-01-10

    IPC分类号: A61F2/06

    摘要: 一种面向自膨胀分叉型血管支架的金属4D打印快速制造方法,先进行分叉血管的三维模型重建,再进行分叉血管支架的三维模型设计,最后进行分叉血管支架的4D打印快速制造;本发明充分利用金属4D打印在分叉血管设计制造中的效率和成本优势,显著降低血管再狭窄率和支架内血栓发生率,提高分叉血管支架介入手术成功率,同时可实现分叉血管支架的复杂形状-快速制造-自膨胀功能的一体化设计。

    一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101660132A

    公开(公告)日:2010-03-03

    申请号:CN200910024118.7

    申请日:2009-09-28

    发明人: 马胜利 张旭东

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/06

    摘要: 本发明公开了一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法,将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备中,以平面Si靶和C靶作为相应元素的来源,Si靶、C靶以对靶的方式安置在炉体内壁上,通过调整中频脉冲电源的功率控制靶的溅射率;采用高纯Ar作为离化气体,保证有效的辉光放电过程;采用高纯H 2 作为反应气体,使其离化并与Si、C元素结合,在基体表面沉积形成氢化硅碳薄膜,通过掺入C含量的变化,改变Si、C的化学计量比,进而改变薄膜的光电性能。本发明制备的氢化硅碳薄膜可在太阳能电池、薄膜晶体管、发光二极管、紫外图像传感器、微细超流涂层以及防腐抗氧化涂层等方面得到广泛应用。