公开(公告)号：CN114527414B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202210143097.6

申请日：2022-02-16

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 陈瑶 ,  蒋庄德 ,  赵立波 ,  马银涛 ,  于明智 ,  王延斌 ,  郭举 ,  林启敬

IPC: G01R33/032 ,  A61B5/245

Abstract: 本发明公开了一种自动补偿外干扰磁场的生物磁测量原子磁强计系统及方法，所述系统通过超极化核自旋产生磁场，同时施加外界恒定磁场，恒定磁场的大小使得核自旋感受到和自己产生的磁场大小相等，此时核自旋可以自动跟踪补偿外界低频干扰磁场，保护电子自旋免于外界低频干扰磁场的侵扰，使电子自旋只敏感快速变化的极弱生物磁场，使得磁强计中的电子自旋只对高频的脑磁信号敏感，大幅提高原子磁强计进行脑磁测量的可用性，有效地解决当前脑磁测量中背景低频干扰磁场太大所导致的脑磁信号测量较差的问题，有望突破现有头部静态状态下的脑磁测量局限，使得脑磁可以在头部运动的状态下有效地进行测量。

公开(公告)号：CN117776091A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311833488.1

申请日：2023-12-27

Applicant: 西安交通大学 ,  明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司

Inventor： 赵立波 ,  路舜 ,  秦广照 ,  陈瑶 ,  王建鲁 ,  王延斌 ,  于明智 ,  马银涛 ,  郭举 ,  杨萍 ,  林启敬 ,  蒋庄德

IPC: B81B7/02 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明公开了一种集成抗弛豫OTS膜的MEMS碱金属气室结构及其制备方法，该气室结构采用玻璃‑高阻硅‑玻璃三层结构，高阻硅片上设有工作腔、辅助腔、连接通道以及碱金属通道，工作腔内表面制备有抗弛豫性能的OTS膜。辅助腔内填充碱金属后，高阻硅片与第一玻璃片键合在一起，之后再将第二玻璃片与高阻硅片键合，形成三层结构。结合OTS膜在无碱金属蒸汽作用时相比于有碱金属蒸汽作用时可耐更高温度的机制，在辅助腔中设计了隔膜结构，其作用是在第二次阳极键合时隔绝OTS膜和碱金属蒸汽，使得抗弛豫OTS膜与阳极键合温度兼容。本发明由于集成抗弛豫OTS膜、充入缓冲气体压力较低，从而减小了共振谱线的压力展宽，抑制了磁场梯度的影响，降低了泵浦光的功率。

公开(公告)号：CN111537922B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202010403189.4

申请日：2020-05-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 赵立波 ,  马银涛 ,  罗国希 ,  于明智 ,  陈瑶 ,  韩枫 ,  李磊 ,  杨萍 ,  林启敬 ,  卢德江 ,  蒋庄德

IPC: G01R33/02 ,  G06F17/10

Abstract: 本发明公开了一种原子磁强计的MEMS气室碱金属原子源选择方法，它属于量子精密测量领域。具体为：首先确认MEMS气室内导致原子自旋弛豫的各种机制；然后根据气室内的具体实验参数计算总的弛豫率；最后根据横向弛豫时间以及实现的难易程度，综合比较MEMS气室内各种碱金属原子的优劣，并最终确定充入气室内的碱金属原子源的种类。本发明为原子磁强计中MEMS气室原子源的选择提供了理论依据，并为原子磁强计实现及灵敏度改善提供了理论参考。

公开(公告)号：CN110531114B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201910683519.7

申请日：2019-07-26

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 赵立波 ,  于明智 ,  马银涛 ,  贾琛 ,  皇咪咪 ,  杨萍 ,  王久洪 ,  蒋庄德

IPC: G01P15/12 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种纯轴向变形的MEMS三轴压阻式加速度计芯片及其制备方法，该传感器中的X测量单元、Y测量单元和Z测量单元分别用于测量X方向、Y方向和Z方向的加速度，实现三个方向加速度的分离测量；每个测量单元包括质量块、支撑梁和敏感梁，无论是哪个测量单元，支撑梁和敏感梁均通过质量块分离设置，支撑梁支撑质量块运动，而应力主要集中于敏感梁，使得敏感梁上的压敏电阻条阻值发生变化，两者各司其职，极大地弱化了灵敏度与谐振频率之间的直接耦合关系；同时由于两质量块的同步运动，与其固定的敏感梁两端也同步运动，从而敏感梁始终满足纯轴向变形条件，在相同谐振频率下，传感器的灵敏度达到最优，使得该传感器芯片具有良好的性能指标。