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公开(公告)号：CN104933270A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510411621.3
申请日：2015-07-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开的带电容电源地平面建模及电容去耦半径仿真方法，首先记录输入/输出端口和去耦电容端口的坐标；根据谐振腔公式或基于双频点近似算法谐振腔公式计算端口系数、每个谐振模式的频域响应；用端口系数、每个谐振模式的频域响应、模式数量、电容频域响应，电容数量求解每个电容分割方案；将分割后的电容转化到电源地平面谐振腔模型中得到带电容电源地平面谐振腔公式；用该谐振腔公式计算电源地平面实际频域阻抗分布，在阻抗分布基础上提取电容的去耦半径。本发明解决了谐振腔算法不能对带电容电源地平面建模的问题，为建模带负载电源地平面提供了一种快速，简便的方法，去耦半径为电源完整性设计中去耦电容的选择和放置提供可靠指导。
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公开(公告)号：CN114036881A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111341575.6
申请日：2021-11-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/32
Abstract: 本发明提出了一种基于端口间扩散电感的电源分配网络多端口去耦设计方法，实现步骤为：对电源地平面模型的端口进行标记；构建输入输出端口与K个摆放去耦电容的端口之间的扩散电感矩阵；构建K个摆放去耦电容端口的自感矩阵；确定电源地平面模型中摆放去耦电容的有效区域；获取电源分配网络的去耦设计结果。本发明在获取电源分配网络的去耦设计结果的过程中，首先获得了去耦电容端口与需要去耦端口之间的扩散电感矩阵，减小了扩散电感对于去耦电容的去耦效果的影响，然后在摆放去耦电容有效区域内选择去耦电容的最佳摆放位置，提高了电源分配网络设计的效率；并且该方法能够对多端口进行去耦，从而减少了去耦时间。
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公开(公告)号：CN114025304A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111270371.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种定位解奇异或近似奇异问题的参数微调处理方法，包括：在直接使用最小二乘法出现定位解奇异或近似奇异问题后，统计当前可通信基站的总数n；若n小于等于经验基站数，则进行拓扑约束关系判断，找到不满足拓扑约束关系的m个基站；若n‑m大于等于最少基站数，则基于最小二乘法进行位置估计；若n‑m和n均小于最少基站数，则进行降维估计，否则在m个基站中选择q个基站，q≤m且n‑m+q≥最少基站数，对q个基站的局部坐标进行微调，然后基于最小二乘法进行位置估计；若n大于经验基站数，对所有当前可通信基站的所有坐标进行微调，然后基于最小二乘法进行位置估计。本发明能够获得可信的和比较准确的定位解。
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公开(公告)号：CN113871865A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110976575.7
申请日：2021-08-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于相控阵天线技术领域，公开了一种低剖面宽带宽角二维扫描双极化相控阵天线及应用，包括一个双极化偶极子平面阵列、一块金属底板和一块平面印刷超表面；双极化偶极子平面阵列放置于金属底板和平面印刷超表面之间；金属底板与平面印刷超表面平行。本发明所涉及的相控阵天线基于紧耦合效应，利用而非抑制单元间的耦合来实现传统相控阵天线所不具备的超宽带特性，且能有效抑制传统相控阵天线的栅瓣问题；在紧耦合阵列天线的基础上，引入了集成式Marchand巴伦和平面印刷超表面，进一步拓展了相控阵天线的带宽和扫描角范围，并降低了天线的剖面高度，本发明所涉及的相控阵天线能够实现双极化辐射，且采用正交嵌套的形式，结构紧凑。
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公开(公告)号：CN105956289B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610298931.3
申请日：2016-05-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开一种基于去耦电容去耦区域的电源分配网络设计方法，首先在谐振腔模型的基础上，建模带去耦电容的电源地平面；在该建模方法的基础上计算出去耦电容的横向和纵向去耦半径；根据输入输出端口阻抗最大幅值对应的频率点选择所需的去耦电容，依据去电容的横向和纵向去耦半径选择去耦电容的安装位置；最后绘制电源分配网络的阻抗曲线。本发明解决了电源分配网络设计不能得到去耦电容的安装位置，为电源分配网络中去耦电容的选择和放置提供了一种快速，简便的方法，为实际工程中的电源完整性设计提供可靠指导。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104933270B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510411621.3
申请日：2015-07-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开的带电容电源地平面建模及电容去耦半径仿真方法，首先记录输入/输出端口和去耦电容端口的坐标；根据谐振腔公式或基于双频点近似算法谐振腔公式计算端口系数、每个谐振模式的频域响应；用端口系数、每个谐振模式的频域响应、模式数量、电容频域响应，电容数量求解每个电容分割方案；将分割后的电容转化到电源地平面谐振腔模型中得到带电容电源地平面谐振腔公式；用该谐振腔公式计算电源地平面实际频域阻抗分布，在阻抗分布基础上提取电容的去耦半径。本发明解决了谐振腔算法不能对带电容电源地平面建模的问题，为建模带负载电源地平面提供了一种快速，简便的方法，去耦半径为电源完整性设计中去耦电容的选择和放置提供可靠指导。
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公开(公告)号：CN104362853A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410583044.1
申请日：2014-10-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 本发明公开了一种抑制开关电容DC-DC变换器混沌的基准电压调整电路，主要解决这种变换器输出电压不稳定的问题。该调整电路是由两个运算放大器U2、U3及外围电阻R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12构成的两个级联的差分比例运算放大器，其两个输入端A、B分别与变换器的输出电压VOUT和基准电压源VREF相连，输出端C与变换器的电压反馈回路相连。通过合理设定外围电阻阻值的阻值，及调整反馈电阻R7与输入端R5的比值，可在输出端C得到调整后的基准电压VREF1，以控制变换器的可变电阻值，使变换器的输出电压稳定。本发明能有效抑制开关电容DC-DC变换器中的混沌现象，提高电压转换效率。
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公开(公告)号：CN114025304B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202111270371.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种定位解奇异或近似奇异问题的参数微调处理方法，包括：在直接使用最小二乘法出现定位解奇异或近似奇异问题后，统计当前可通信基站的总数n；若n小于等于经验基站数，则进行拓扑约束关系判断，找到不满足拓扑约束关系的m个基站；若n‑m大于等于最少基站数，则基于最小二乘法进行位置估计；若n‑m和n均小于最少基站数，则进行降维估计，否则在m个基站中选择q个基站，q≤m且n‑m+q≥最少基站数，对q个基站的局部坐标进行微调，然后基于最小二乘法进行位置估计；若n大于经验基站数，对所有当前可通信基站的所有坐标进行微调，然后基于最小二乘法进行位置估计。本发明能够获得可信的和比较准确的定位解。
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公开(公告)号：CN114036881B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202111341575.6
申请日：2021-11-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/32
Abstract: 本发明提出了一种基于端口间扩散电感的电源分配网络多端口去耦设计方法，实现步骤为：对电源地平面模型的端口进行标记；构建输入输出端口与K个摆放去耦电容的端口之间的扩散电感矩阵；构建K个摆放去耦电容端口的自感矩阵；确定电源地平面模型中摆放去耦电容的有效区域；获取电源分配网络的去耦设计结果。本发明在获取电源分配网络的去耦设计结果的过程中，首先获得了去耦电容端口与需要去耦端口之间的扩散电感矩阵，减小了扩散电感对于去耦电容的去耦效果的影响，然后在摆放去耦电容有效区域内选择去耦电容的最佳摆放位置，提高了电源分配网络设计的效率；并且该方法能够对多端口进行去耦，从而减少了去耦时间。
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公开(公告)号：CN114002645A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111270185.4
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S5/02
Abstract: 本发明公开了一种定位解近似奇异或定位误差轴相关性问题的变尺度空时自调节处理方法，包括以下步骤：1)空间压缩和时间压缩；2)在步骤1)的基础上基于最小二乘法估计定位解；3)空间反压缩；所述空间压缩是指对基站和用户所在的原坐标系下的坐标经变换函数f进行空间压缩变换，得到坐标轴的相对量级平缓的新坐标系下的新坐标；所述时间压缩是指将原坐标系下的时间通过压缩系数进行压缩得到新坐标系下的时间；所述空间反压缩是指将步骤2)中的定位解经变换函数f‑1反压缩回原坐标系进行定位解评估，变换函数f‑1是f的逆变换。本发明的方法可以实现在近似奇异解情况下给出可信定位解，在正常解情况下解决定位误差轴相关性问题。
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