公开(公告)号：CN111578895A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010314905.1

申请日：2020-04-21

申请人： 重庆大学

发明人： 张红辉 ,  邹致远 ,  苏杭

IPC分类号： G01C5/00

摘要： 本发明公开了一种磁流变阻尼器件内部磁流变液的沉降监测方法，包括如下步骤：1)布置监测磁路结构；2)通过交流电流源向磁路的上、下激励线圈施加交流电流；3)计算当阻尼器内沉降未发生时的监测输出；4)计算当阻尼器内沉降体生成并逐渐累积时的监测输出；本发明通过在阻尼器内缸底部布置监测磁路结构，基于互感变压器式传感原理，能够实时检测阻尼器中磁流变液的的沉降状态。

公开(公告)号：CN111080678A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911413117.1

申请日：2019-12-31

申请人： 重庆大学

发明人： 张新征 ,  刘过 ,  苏杭 ,  李道通 ,  周喜川

IPC分类号： G06T7/246 ,  G06T7/11 ,  G06K9/62 ,  G06K9/00

摘要： 本发明公开了一种基于深度学习的多时相SAR图像变化检测方法，与现有技术相比，以超像素为单位，将邻域信息带入分类，进行聚类，抑制了矩形patch产生时的人为干扰，降低了聚类的不确定性，也抑制了影响SAR图像可解释性的斑点噪声。并且本发明将变化检测作为两个阶段的分类，抑制了大量由斑噪引起的虚警。在第一阶段，我们简单地将DI聚集成变化和无变化的类。在第二阶段，基于斑噪引起的变化与真实物体的变化之间的内在差异，我们采用低秩稀疏分解(LRSD)进行预处理。LRSD的低秩项使斑噪引起的假变化恢复到原来的状态，而稀疏项将斑噪从图像中分离出来，大大削弱了斑噪对后续分类的影响。

公开(公告)号：CN117069146A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311037753.5

申请日：2023-08-17

申请人： 重庆大学

发明人： 辛云涛 ,  吕学伟 ,  宋坤 ,  王晋 ,  胡丽文 ,  苏杭 ,  刘淼

IPC分类号： C01G31/02

摘要： 本发明涉及一种五氧化二钒的新型制备方法，包括以下步骤：S1：将现有提钒工艺得到的高价含钒Ⅴ溶液进行除杂净化后得到沉钒母液，并调节pH得到待反应液，其中pH的范围是0～5；S2：将步骤S1所得待反应液与醇类聚合物进行混合发生反应，其中醇类聚合物添加量为0.05～5g/100mL；S3：将步骤S2所得反应后液进行过滤，固体沉钒产物经洗涤、烘干和煅烧得到五氧化二钒产物，其中煅烧温度为400～700℃，煅烧时间为2～8h。本发明方法工艺流程短，反应效率高，操作简单，适用于多种浓度的含钒液的处理，特别适用于低钒浓度的含钒液。

公开(公告)号：CN113109745A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110296222.2

申请日：2021-03-19

申请人： 重庆大学

发明人： 刘忠强 ,  张红辉 ,  廖昌荣 ,  苏杭

IPC分类号： G01R33/12 ,  G01N27/74

摘要： 本发明公开基于磁导率的磁流变阻尼器件沉降磁流变液浓度测量方法，步骤为：1)布置测试磁路结构；所述测试磁路结构具有激励线圈5和感测线圈；2)计算测试磁路结构中感测线圈的磁路总磁阻Rm；3)利用交流电源向磁路的激励线圈施加小幅值交变电流i(t)；4)计算感测线圈的互感电动势；5)计算感测间隙中磁流变液的相对磁导率μm。本发明通过在阻尼器内缸底部布置测试磁路结构，基于互感变压器式传感原理，能够实时检测并计算出阻尼器中磁流变液的相对磁导率，从而为确定和判断磁流变阻尼器件内部磁流变液的沉降状态提供重要依据。