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公开(公告)号:CN1931755B
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN200610111058.9
申请日:2002-10-15
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: C03C3/062 , Y10S501/901
Abstract: 本发明的课题是一种光学玻璃,以重量%表示,含SiO2在18%以上、30%以下,含BaO在12%以上、23%以下,含TiO2为22~37%,含Nb2O5在7%以上、16%以下,含Na2O为5~20%,含K2O为0~6%,含CaO为0~5%,含SrO为0~5%,含ZrO2为0~4%,含Ta2O5为0~3%,含Sb2O5为0~1%,以及含P2O5在0%以上、0.5%以下,并且实质上不含PbO、As2O3和F。其折射率(nd)在1.80以上,阿贝数(vd)在30以下,析出的晶粒的数目密度在12个/mm3以下。采用对上述成形用玻璃材料加热、软化并且模压成形的玻璃模压成形品的制造方法,即使用通过再加热模压成形容易失透的玻璃,也可制造透明的高品质的模压成形品。
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公开(公告)号:CN101523983A
公开(公告)日:2009-09-02
申请号:CN200780038254.0
申请日:2007-09-28
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: H05B33/26 , H01L51/5206
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种在与空穴注入层之间得到能带匹配,适合在玻璃衬底及聚合物衬底上能形成阳极电极的p型半导体材料及半导体元件,对于p型半导体材料,其特征在于,在包含Zn和Se的化合物中含有1×1018~5×1020cm-3的Ag,对于半导体元件,其特征在于,具备衬底、和位于该衬底上且具有上述任一种p型半导体材料的p型电极层。
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公开(公告)号:CN100401543C
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200580004088.3
申请日:2005-02-03
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/28 , H01L31/0296 , H01L33/285 , H01S5/0425
Abstract: 本发明提供了一种容易与金属材料进行欧姆接触的、低电阻的p型ZnS系半导体材料。本发明还提供了一种在玻璃基板等的单晶基板以外的基板上具有低电阻的电极的半导体元件或半导体发光元件。本发明的半导体材料作为发光元件的空穴注入用电极层使用,其结构式为Zn(1-α-β-γ)CuαMgβCdγS(1-x-y)SexTey(0.004≤α≤0.4,β≤0.2,γ≤0.2,0≤x≤1,0≤y≤0.2,x+y≤1),在可见区域具有透光性。
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公开(公告)号:CN1918716A
公开(公告)日:2007-02-21
申请号:CN200580004088.3
申请日:2005-02-03
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/28 , H01L31/0296 , H01L33/285 , H01S5/0425
Abstract: 本发明提供了一种容易与金属材料进行欧姆接触的、低电阻的p型ZnS系半导体材料。本发明还提供了一种在玻璃基板等的单晶基板以外的基板上具有低电阻的电极的半导体元件或半导体发光元件。本发明的半导体材料作为发光元件的空穴注入用电极层使用,其结构式为Zn(1-α-β-γ)CuαMgβCdγS(1-x-y)SexTey(0.004≤α≤0.4,β≤0.2,γ≤0.2,0≤x≤1,0≤y≤0.2,x+y≤1),在可见区域具有透光性。
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公开(公告)号:CN1269752C
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:CN00120967.1
申请日:2000-08-02
CPC classification number: G02B5/285 , C03C3/078 , C03C3/083 , G02B5/288 , G02B6/29367 , G02B6/2938 , G02B7/008
Abstract: 一种玻璃基质用作WDM滤光器,滤光器是在玻璃基质上有一种光学多层膜,玻璃的成分与光学多层膜有关,需保证滤光器能稳定地进行光波长多路组合/多路分离操作。该玻璃含有SiO2作为玻璃网络形成物并在-30℃至+70℃的温度范围内具有平均线性热膨胀系数为100×10-7/K至130×10-7/K。除SiO2之外,该玻璃还可含有TiO2、Al2O3和R2O(R=碱金属元素)并且有硬度适用于光学多层膜。
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