公开(公告)号：CN111100641A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911016141.1

申请日：2019-10-24

Applicant: SK新技术株式会社 ,  爱思开新材料有限公司

Inventor： 金喆禹 ,  沈由那 ,  李光国 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  李宗昊 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供了一种蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括磷酸、磷酸酐、下式1表示的硅烷化合物和水：[式1] 其中，R1-R6独立地为氢、卤素、取代的或未取代的C1-C20烃基、C1-C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C1-C20-烷基)甲硅烷基、磷酰基或氰基。L为直接键或者C1-C3亚烃基，A为n价基团，n为1-4的整数。

公开(公告)号：CN111100640A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911017313.7

申请日：2019-10-24

Applicant: SK新技术株式会社 ,  爱思开新材料有限公司

Inventor： 金喆禹 ,  沈由那 ,  李帝豪 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C07F9/53 ,  C07F9/50 ,  C07F7/18

Abstract: 本发明提供了一种具有高选择比的蚀刻组合物及其制备方法，所述蚀刻组合物能够选择性地去除氮化物膜并使氧化物膜的蚀刻速率最小化。本发明还提供了一种通过使磷酸酐与下式1表示的硅烷化合物反应而制备的蚀刻组合物添加剂，所述蚀刻组合物添加剂的制备方法和包含所述蚀刻组合物添加剂的蚀刻组合物：[式1]