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公开(公告)号:CN118692823A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410328313.3
申请日:2024-03-21
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够防止回流时的焊料向端子电极的过度润湿上攀的电子部件等。电子部件具有大致长方体状的素体部、和分别形成于所述素体部的一对端面上的端子电极部,所述端子电极部具有与所述端面直接接触的基底电极层和覆盖所述基底电极层并构成所述端子电极部的最表面的表面电极层,在穿过所述素体部的中心并与所述素体部的素体下表面及所述端面垂直的截面中,沿着与所述素体下表面平行且穿过距所述素体下表面为所述素体部整体的四分之三的高度的第二基准线的所述表面电极层的厚度T2、和沿着与所述素体下表面平行且穿过距所述素体下表面为所述素体部整体的四分之一的高度的第四基准线的所述表面电极层的厚度T4的关系为1.3≤T4/T2≤15.0。
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公开(公告)号:CN115938801A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202211089590.0
申请日:2022-09-07
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子部件,其具有:元件主体,其具有陶瓷层和内部电极层;外部电极,其形成于元件主体的端面,与内部电极层的至少一端电连接,外部电极具有烧附电极层,在烧附电极层中含有铜及铜合金中的至少任一方作为主成分,烧附电极层具有空隙,规定空隙的内壁表面的至少一部分由含有镍及镍合金中的至少任一方的皮膜部包覆。
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公开(公告)号:CN112242254A
公开(公告)日:2021-01-19
申请号:CN202010684810.9
申请日:2020-07-16
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种层叠电子部件,层叠电子部件的侧面处的外部电极的厚度维持为较小,同时提高安装可靠性,其具有:陶瓷素体,将陶瓷层和内部电极层交替层叠而成;外部电极,其形成于陶瓷素体的端面。外部电极具有基底电极层、中间电极层以及上层电极层。基底电极层包含(Cu)。中间电极层包含(Ni)。上层电极层包含标准电极电位比(Cu)高的元素。外部电极一体具有外部电极端面部和外部电极延长部。在外部电极延长部,将外部电极的厚度最大的部分设为外部电极最大厚度部,将外部电极最大厚度部处的上层电极层的厚度和中间电极层的厚度的合计厚度设为(t1),将从外部电极延长部处的基底电极层的前端至上层电极层的前端的长度设为(t2),满足1.20≦t2/t1≦4.50。
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公开(公告)号:CN104944941A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510131705.1
申请日:2015-03-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/1227
Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物,其特征在于,是具备具有由通式ABO3(A是选自Ba、Ca和Sr当中的至少一种,B是选自Ti和Zr当中的至少一种)表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、以及至少含有稀土化合物的添加物的电介质陶瓷组合物,至少具备具有核壳结构的电介质颗粒和偏析颗粒,在所述偏析颗粒中所述稀土化合物的浓度为所述具有核壳结构的电介质颗粒的壳部的所述稀土化合物平均浓度的2倍以上,所述偏析颗粒所占的面积为0.1~1.1%,在令所述偏析颗粒的最大粒径为rbmax、所述偏析颗粒的最小粒径为rbmin、具有所述核壳结构的电介质颗粒的平均粒径为ra的情况下,rbmax/ra≤2.00和rbmin/ra≥0.25,不存在实质上含有Mg的所述偏析颗粒。
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公开(公告)号:CN102190486A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110059754.0
申请日:2011-03-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/49 , C04B35/622 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , H01G4/1227 , H01G4/1245
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物,是含有钙钛矿型化合物(ABO3),相对于100摩尔的化合物,用各氧化物换算,含有1.0~2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2~1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1~1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8~2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2~3.0摩尔的Si化合物,RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明,则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下,也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。