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公开(公告)号：CN111220621B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202010176814.6
申请日：2020-03-13
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 王冰冰
Abstract: 本发明提供了芯片倾斜表面检测方法，用于检测待测芯片表面的倾斜度，所述芯片倾斜表面检测方法包括：对标定芯片进行标定，获取待测面为倾斜面时的图像强度与待测面为水平面时的图像强度比值γ、倾斜度β之间的对应关系；采用所述表面检测系统获取待测芯片表面的图像强度；利用所述对应关系获取与所述待测芯片表面的图像强度相应的倾斜度。本发明提供的芯片倾斜表面检测方法实现芯片倾斜表面检测。
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公开(公告)号：CN110987054B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201911311428.7
申请日：2019-12-18
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 杨朝兴
Abstract: 本发明公开了一种标定装置和标定方法。该装置包括：沿光路依次设置的光源、数字微反射镜器件、缩放投影镜组、第一投影屏、成像单元和控制单元，成像单元包括待标定镜头；光源为平行光源，用于出射平行光束；数字微反射镜器件与控制单元连接，用于将平行光束转化成包含源图形的反射光束；缩放投影镜组与控制单元电连接，用于缩放包含源图形的反射光束；第一投影屏位于缩放投影镜组的像面，用于形成第一参考标定图形；成像单元用于得到待标定图形；控制单元与成像单元、第一投影屏电连接，用于根据待标定图形和第一参考标定图形，确实待标定镜头的标定参数。本发明实施例能够产生各种尺寸的高分辨率参考标定图形。
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公开(公告)号：CN113220201A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110604974.0
申请日：2021-05-31
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 张洋
IPC: G06F3/0484 , G06F3/0487
Abstract: 本发明公开了一种图片的显示方法、装置、设备和存储介质，该方法包括以下步骤：首先读取用户输入的原始图片，加载原始图片的原始数据并存储；接着解析原始数据，并根据显示窗口的尺寸对原始数据进行压缩，并进行图片转换形成第一压缩图片，并进行显示；接着接收用户对第一压缩图片的放大操作指令；接着根据放大操作指令和显示窗口的尺寸，从原始数据中选取与显示窗口的尺寸相适配的局部原始数据；接着对局部原始数据进行解析、压缩并进行图片转换形成第二压缩图片，并进行显示。从而实现了实时对超大图片的放大和显示；减小了放大和显示过程中的内存的使用，缩短了对超大图片的加载时间。
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公开(公告)号：CN113220047A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110494207.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 杜文豪
Abstract: 本发明提供了一种减振装置、半导体加工设备和减振方法，包括：反力外引控制单元接收吊框的加速度信息，进而计算第一目标力，获取运动台的运动状态，根据运动状态确定反力外引装置的第一目标工作模式，并根据第一目标工作模式和第一目标力控制执行器对吊框和基础框架进行出力；主动减振器接收地基的加速度信息，并获取吊框的位移信息和速度信息，进而计算第二目标力，获取运动台的运动状态，根据运动状态确定主动减振器的第二目标工作模式，并根据第二目标工作模式和第二目标力对半导体加工设备的基础框架和主基板进行出力；被动减振器隔离来自地基的振动，本发明的减振装置能到提高减振性能。
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公开(公告)号：CN113109354A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110374175.9
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 崔国栋
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种标定块、缺陷检测装置及缺陷检测方法。其中，标定块包括沿第一方向排布的N个台阶部，沿第二方向，N个台阶部的高度各不相同，其中，第一方向垂直于第二方向，N≥2且N为整数，台阶部包括垂直于第二方向的顶面，顶面设置有分辨率测试图案。本发明提供的标定块、缺陷检测装置及缺陷检测方法，通过设置高度各不相同的N个台阶部，且每个台阶部的顶面均设置有分辨率测试图案，使得缺陷检测装置的图像采集模块与标定块处于相对静止的状态下即可获取不同高度平面内的分辨率测试图案的图像，实现对图像采集模块的焦深和最佳焦面的标定，无需再令图像采集模块进行垂向运动，操作简单，且不会耦合进垂向运动的误差，提高了标定的精度。
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公开(公告)号：CN113066098A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110451624.5
申请日：2021-04-26
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光学基板曝光区域的确定方法、布局方法及确定系统，该确定方法包括：采集光学基板的图像数据，以基于光学基板的图像数据识别光学基板的凹凸区域和光学基板的外轮廓曲线；改变光学基板的位置状态，以根据光学基板的凹凸区域和外轮廓曲线确定不同位置状态的光学基板中有效曝光场的数量和/或有效曝光场的面积之和；将目标位置状态对应的光学基板中有效曝光场的数量最多和/或有效曝光场的面积之和最大时对应的所有有效曝光场确定为光学基板的曝光区域。本发明解决了现有技术中由于非标基底面型不平坦、局部区域呈现凹凸不平现象导致非标基底的曝光区域布局的准确度大幅度降低的问题。
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公开(公告)号：CN112904683A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110351717.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明公开了一种投影光刻设备的水平校准方法和装置，方法包括首先利用投影光刻设备中的对准传感器对准校准板上定位标记区域，调整工件台测量姿态；接着控制工件台携带校准板沿第一方向移动；接着利用位置传感器实时获取工件台中心位置的坐标；接着调焦调平传感器向校准板上投射光斑，并实时获取第二反射区域反射光斑的光强；接着获取对应的校准板的第二反射区域的中心位置在工件台坐标系下的坐标；接着根据所述第一光强和所述第一坐标的关系，结合所述第二坐标获取所述光斑的实测位置，从而，实现投影光刻设备的水平校准，使投影光刻设备中的掩模台的掩模图样可精准地复制到基底表面上。
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公开(公告)号：CN112798605A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110063814.X
申请日：2021-01-18
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 张鹏黎
IPC: G01N21/88 , G01N21/958
Abstract: 本发明公开了一种表面缺陷检测装置及方法，该装置包括工件台，第一检测单元、第二检测单元和控制器，工件台承载待测物，第一检测单元位于待测物第一表面的上方，第二检测单元位于待测物第二表面的下方，第一检测单元和第二检测单元中的光源单元出射光束，并经过物镜单元入射至待测物表面，光束经待测物表面反射或散射形成反射或散射光束，采集单元采集反射或散射光束生成待测物表面图像；控制器控制工件台承载待测物运动，并根据第一表面图像识别第一表面的缺陷，根据第二表面图像识别第二表面的缺陷，实现同时检测待测物上下表面的缺陷，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN112697800A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011450397.6
申请日：2020-12-09
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 杨朝兴
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明提供一种缺陷检测装置及方法，缺陷检测装置包括暗场照明光源、成像镜头、全斯托克斯偏振积分相机、运动台和控制单元，暗场照明光源用于提供线偏振光束，运动台用于承载待测样品；线偏振光束倾斜投射至待测样品上，被待测样品反射以及散射后形成为信号光束，信号光束经过成像镜头后投射至全斯托克斯偏振积分相机；控制单元驱动运动台运动，使全斯托克斯偏振积分相机完成对待测样品的扫描拍摄以同时形成全斯托克斯偏振图片，并通过对全斯托克斯偏振图片的数据处理，滤除数据中镜面反光信号后进行缺陷检测，获取待测样品的缺陷信息；本发明提高了缺陷检测和识别速度以及准确性。
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公开(公告)号：CN112285116A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011110665.X
申请日：2020-10-16
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 张鹏黎
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种缺陷检测装置及方法，检测装置通过设置第一光源单元、第二光源单元和第三光源单元，同时照射待测样品，使得成像物镜分别采集第一照明视场、第二照明视场和第三照明视场在待测样品的表面产生对应的第一光信号、第二光信号和第三光信号，进而，探测器中的第三探测器阵列根据第一光信号产生第一图像，第二探测器阵列用于根据第二光信号产生第二图像，第一探测器阵列用于根据第三光信号产生第三图像，控制器根据第一图像、第二图像和第三图像对待测样品进行缺陷识别，从而实现了可同时采集明场照明、暗场照明和背光照明三种照明模式下的缺陷图像，并根据缺陷图像进行三种照明模式下的缺陷识别。
