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发明公开
用于光电子器件的诱导掺杂的混合层审中-实审

公开(公告)号：CN109844973A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201780063518.1

申请日：2017-10-13

申请人： 伊努鲁有限公司

发明人： 帕特里克·巴尔科夫斯基 , 马尔钦·拉塔伊恰克

IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/50

摘要： 本发明涉及一种包括阴极和阳极以及在阴极和阳极之间的层系统的光电子器件，所述层系统包括多个电活性层。所公开的器件可以使用其中由半导体材料的至少两个层之间产生诱导掺杂的混合层的方法来制造。