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公开(公告)号：CN116489889A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310460188.7
申请日：2023-04-25
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
发明人： 陈东
摘要： 本发明公开了一种自适应多尺寸基板的吸盘装置，包括：吸盘主体，所述吸盘主体内设置有多个吸附腔，多个所述吸附腔的一侧均设置有开口，相邻两个所述吸附腔之间设置有通风孔，所述吸盘主体的一侧设置有吸真空抽气口且所述吸真空抽气口与至少一个所述吸附腔相连通；被动压力差阀，所述被动压力差阀设置在相邻两个所述吸附腔的所述通风孔中，所述被动压力差阀根据相邻两个所述吸附腔之间产生的压强差值可选择性地开闭所述通风孔。本发明的吸盘装置能够自动根据基板的尺寸来调节吸盘的吸附面积，方便生产操作，且保证有足够的吸附力来固定基板。
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公开(公告)号：CN116300323A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211499842.7
申请日：2022-11-28
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种双台面直写光刻设备的控制方法、下位机和直写光刻设备，其中，双台面直写光刻设备的控制方法，包括：在对第一台面上的基板进行曝光处理时，获取第二台面上的基板的曝光数据并进行存储；以及在对第二台面上的基板进行曝光处理时，获取第一台面上的基板的曝光数据并进行存储。本发明的双台面直写光刻设备的控制方法，能够减少曝光前发送等待时间，提高效率和提高生产线路板的产能。
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公开(公告)号：CN115509096A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211335650.2
申请日：2022-10-28
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
发明人： 刘国藩
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种直写式曝光设备及直写式曝光设备的控制方法，其中，底座上设置有沿长度方向延伸的第一导轨，沿方向依次定义第一上下板工位、第一对准工位、曝光工位、第二对准工位和第二上下板工位；驱动装置用于驱动对应的工件台沿第一导轨往复移动以在对应的上下板工位、对应的对准工位和曝光工位之间切换；对准系统用于对对准工位上的基板进行靶标对位，曝光系统用于对曝光工位上的基板进行曝光处理；输送翻转系统与底座连接并且位于底座沿宽度方向的一侧，用于将第一工件台上完成曝光的基板翻转至未曝光的一面，并将翻转之后的基板传输至第二工件台的一侧。该直写式曝光设备占地面积小，生产效率提高。
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公开(公告)号：CN113031405B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110310283.X
申请日：2021-03-23
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种量产型双面激光直写光刻机及其控制方法，应用于集成电路制造，量产型双面激光直写光刻机的移动平台包括多个区域；多个载物装置对应设置于多个区域，每个载物装置的上下两侧安装有单个或多个光学引擎，以对对应区域内的载物装置上的晶圆进行曝光；光学引擎带有同轴或旁轴对准的对准相机，利用寻边器对晶圆位置进行预对准处理；移载装置用于移取晶圆，将晶圆移入或移出相应区域内的载物装置。本发明能够同时对多个区域的多片晶圆的双面进行曝光，解决了集成电路曝光对位精度低，效率低的问题，极大提高了曝光产能，利于实现集成电路制造和晶圆级封装的量产。
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公开(公告)号：CN115113492A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210808510.6
申请日：2022-07-11
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种卷对卷曝光机和用于卷对卷曝光机的控制方法，卷对卷曝光机包括：用于提供料带的放料装置和用于卷收料带的收料装置；曝光装置，曝光装置位于放料装置与收料装置之间，曝光装置沿第一方向依次设置有对位组件、曝光机构和多个精密运动平台；曝光机构包括两个曝光组件，两个曝光组件沿与第一方向垂直的第二方向相对设置，用于在料带悬空于两个曝光组件之间时，对料带同步进行双面曝光；多个精密运动平台交替夹持料带，以沿第一方向匀速拉动料带，并根据对位孔位置信息对料带进行纠偏，以校准料带的对位孔。采用该卷对卷曝光机可以实现连续不断地对料带的双面同时进行曝光，提高曝光效率，解决曝光产品双面对位精度的问题。
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公开(公告)号：CN111208713B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202010188495.0
申请日：2020-03-17
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
发明人： 张玉喆
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提出了一种处理曝光图形数据的方法、曝光控制单元和直写式曝光机，该方法包括：响应于一段数据读取完成，将读取数据的地址指针定位到下一段数据所需重复数据的地址处的重定位步骤；根据所述下一段数据所需重复数据的地址和下一段数据的地址，从所述第一存储单元中读取所需重复数据和所述下一段数据的读取步骤；重复所述重定位步骤和所述读取步骤，直至获得所述曝光图形数据的每段数据。本发明的处理曝光图形数据的方法，通过增加第一存储单元存储曝光数据，在数据处理时，从第一存储单元直接读取所需数据，无需再次发送，既节省了数据的传输带宽，也节省了传输时间，从而提高了曝光机的产能。
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公开(公告)号：CN114705464A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210302036.X
申请日：2022-03-24
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种环境控制与定位误差关系的测试装置，包括：主体，主体设有测试空间和测试空间连通的进风口；换热器，换热器安装于主体且位于测试空间外；气体动力单元，气体动力单元安装于主体且驱动气体流动以形成测试气流，测试气流依次流经换热器、进风口和测试空间；运动组件，运动组件设于测试空间内；位移传感器，位移传感器设于测试空间内，用于检测运动组件的当前位置；激光干涉仪组件，激光干涉仪组件设于测试空间内，用于检测运动组件的当前位置；控制记录单元，控制记录单元设于测试空间外且分别与换热器、气体动力单元、运动组件、位移传感器和激光干涉仪组件连接。测试装置能够测试不同环控下对运动组件的定位误差的影响规律。
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公开(公告)号：CN111552151B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010260623.8
申请日：2020-04-03
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提出了一种基于双向扫描的拼接错位补偿方法和无掩膜光刻设备，该拼接方法包括：获取扫描速度；根据扫描速度和扫描延时时间计算正向扫描延时距离和反向扫描延时距离；根据正向扫描延时距离调整正向扫描理论起始点坐标；根据反向扫描延时距离调整反向扫描理论起始点坐标；根据正向扫描起始点坐标获得正向扫描曝光数据，以及根据反向扫描起始点坐标获得反向扫描曝光数据；将正向扫描曝光数据和反向扫描曝光数据进行拼接。根据本发明实施例的基于双向扫描的拼接错位补偿方法，通过补偿正向扫描起始点坐标和反向扫描起始点坐标，解决不同速度扫描过程中的拼接错位问题。
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公开(公告)号：CN114594663A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210317502.1
申请日：2022-03-29
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
发明人： 金伟龙
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种吸附装置和具有其的光刻设备，包括：吸盘，吸盘设有相互连通的吸附腔、抽气孔和多个吸附孔，吸盘具有用于放置电路板的放置面，多个吸附孔贯通放置面，吸附腔通过至少一个吸附孔与外界空气连通，抽气孔贯通吸附腔的腔壁；至少一个分隔片，至少一个分隔片可转动地安装于吸盘且至少部分位于吸附腔内，分隔片在连通位置和分隔位置之间可转动，分隔片处于分隔位置时将吸附腔分隔为不连通的两个腔体，每个腔体与多个吸附孔中的部分连通，分隔片处于连通位置时允许两个腔体连通。根据本发明实施例的吸附装置能够根据电路板的尺寸来调节吸附区域的尺寸，具有吸附稳定性高、噪音小且能耗低等优点。
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公开(公告)号：CN111694226B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010449731.X
申请日：2020-05-25
申请人： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提出了一种水平度测量方法和直接式成像设备，该方法包括：控制直接式成像设备的移动平台沿竖直方向移动，并在移动平台的原点位置处聚焦成清晰图像，获取移动平台对应所述原点位置的第一焦面高度值；控制移动平台在与竖直方向垂直的水平面移动至少一个测量位置，并在移动平台的至少一个测量位置处聚焦成清晰图像时，获取移动平台对应每个测量位置的第二焦面高度值；根据第二焦面高度值与第一焦面高度值确定所述移动平台的水平度。本发明的水平度测量方法通过控制移动平台运动，获取移动平台竖直方向移动距离，确定第一焦面高度和第二焦面高度，来实现移动平台水平度的测量。
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