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公开(公告)号：CN113563062B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111120233.1
申请日：2021-09-24
申请人： 天通控股股份有限公司
摘要： 本发明属于磁性材料技术领域，公开了一种超高频高磁导率低损耗锰锌软磁铁氧体及制备方法。本发明材料包含主成分和辅助成分，主成分包括Fe2O3、ZnO、MoO3、Mn3O4，辅助成分包括CaCO3、ZrO2、TiO2、Co2O3、CuO。本发明通过合适的主成分与掺杂，采用低Zn主配方，ZnO含量为0～3.0 wt%，提高截至频率；在主配方中掺杂低熔点物质MoO3，降低烧结温度；将其在600～900℃进行退火处理，提高磁导率。通过以上方式，成功制作出在6MHz、30mT和8MHz、10mT，及25℃和40℃条件下具有超高频高磁导率低损耗的锰锌软磁铁氧体材料。
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公开(公告)号：CN109867517B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910244077.6
申请日：2019-03-28
申请人： 天通控股股份有限公司
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/36 , H01F41/02
摘要： 本发明公开了一种WPC及NFC兼用高频高磁导率低损耗镍锌铁氧体及其制备方法，所述镍锌铁氧体由主成分和副成分组成，主成分分子结构表达式为：Ni0.27+a+bZn0.52‑aCu0.09Co0.12‑bFe1.99O4，其中0＜a≤0.08，0＜b≤0.03；副成分为：CaCO30.09~0.12wt%、MoO30.08~0.14wt%、Nb2O5 0.05~0.08wt%、BaCO30.02~0.06wt%、SrCO30.01~0.02wt%。该铁氧体在工作频点6.78MHz时复数磁导率实部200(1±10%)，复数磁导率虚部≤3；13.56MHz时，复数磁导率实部230(1±10%)，复数磁导率虚部≤6，饱和磁通密度≥420mT，可以同时满足无线充电及近场通信用铁氧体屏蔽材料高频高磁导率低损耗及高饱和磁通密度的性能要求。
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公开(公告)号：CN113480302A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202111032368.2
申请日：2021-09-03
申请人： 天通控股股份有限公司
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/34
摘要： 本发明属于磁性材料技术领域，公开了一种汽车电子用宽温高磁导率锰锌软磁铁氧体及制备方法。该汽车电子用宽温高磁导率锰锌软磁铁氧体包含主成分和辅助成分，所述主成分包括Fe2O3：53mol%～55mol%，ZnO：16mol%～19mol%，其余为Mn3O4，按主成分总重量计，所述辅助成分包括：纳米CaCO3：400ppm～1000ppm、纳米TiO2：4000ppm～6000ppm、纳米Co2O3：500ppm~2000ppm，纳米Nb2O5：100ppm～350ppm、纳米SiO2：20ppm～150ppm、纳米CuO：0ppm～600ppm。本发明通过合适的主成分与纳米掺杂，采用气流磨和低温烧结的工艺，获得的锰锌铁氧体材料在‑40~+125℃范围内具有宽温、高磁导率的特性，其综合磁性能更优，主要应用于汽车电子行业。
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公开(公告)号：CN110744364B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201911075696.3
申请日：2019-11-06
申请人： 天通控股股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种大尺寸超薄铌酸锂基片的双面抛光方法，包括如下步骤：a)将切割后的大尺寸超薄铌酸锂晶片研磨后获得表面具有粗糙结构的大尺寸超薄铌酸锂双面研磨片；b)然后进行双面减薄，超声清洗，获得表面具有粗糙结构的大尺寸超薄铌酸锂双面减薄片；c)在盛有硝酸、氢氟酸和缓释剂均匀混合的密闭容器中直接进行化学腐蚀，获得表面随机无序凹坑结构的大尺寸超薄铌酸锂腐蚀片；d)用双面抛机和抛光液进行双面抛光，再进行超声清洗，获得最终的大尺寸超薄铌酸锂双抛片。本发明一次抛光，批量生产，抛光效率高，生产的铌酸锂基片表面平坦度高，这一特征决定了铌酸锂基片在器件应用中不易破碎，材料利用率高，加工成品率高。
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公开(公告)号：CN112762197A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110179999.0
申请日：2021-02-08
申请人： 天通控股股份有限公司
IPC分类号： F16K7/12 , F16K27/02 , F16K31/126
摘要： 本发明涉及气动管路及流体控制技术领域，是一种基于高弹性材料的膨胀阻断式流量可调气动阀门，利用材料弹性变形的方法来实现流体的关闭阻断，同时能够实现流量可调功能。本发明包括以阀体12为主要结构的框架；阀体12上方内侧装有上密封圈、上衬套3、上堵头1，其中上堵头1、上衬套3及阀体12通过螺丝连接；阀体12下方内侧装有下密封圈、下衬套10、下堵头9，其中下堵头9、下衬套10及阀体12通过螺丝连接；阀芯11的上端连接在上衬套3与上堵头1之间；阀芯11的下端连接在下衬套10与下堵头9之间；阀芯11位于阀体12的内部中心位置。本发明中的阀门结构简单、可靠性高、成本低。
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公开(公告)号：CN112723873A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110160952.X
申请日：2021-02-05
申请人： 天通控股股份有限公司
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , H01F41/02 , H01F1/34
摘要： 本发明属于磁性材料技术领域，公开了一种宽频高阻抗高磁导率MnZn软磁铁氧体材料及其制备方法。本发明的宽频高阻抗高磁导率MnZn软磁铁氧体材料包含主成分和辅助成分，所述主成分包括Fe2O3：52.5mol%～53.9mol%，ZnO：21.3mol%～23.3mol%，其余为Mn3O4，按主成分总重量计，所述辅助成分包括：纳米CaCO3：400ppm～1000ppm、纳米Bi2O3：100ppm～600ppm、纳米Nb2O5：100ppm～350ppm、纳米SiO2：20ppm～150ppm、纳米MoO3：100ppm～500ppm。本发明的MnZn铁氧体材料，通过合适的主成分与纳米掺杂，采用珠磨机研磨和富氧烧结的工艺。本发明的锰锌铁氧体材料具有宽频、高磁导率、高阻抗等特性，使其综合磁性能更优，更好的服务于抗EMI组件。
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公开(公告)号：CN112430844B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110114721.5
申请日：2021-01-28
申请人： 天通控股股份有限公司
IPC分类号： C30B15/28
摘要： 本发明涉及晶体生长技术领域，尤其是一种压电晶体称重长晶装置及工作方法，该装置包括设置在长晶炉上的平衡杠杆（3），平衡杠杆（3）的下部设有支点（12）；支点（12）左侧的平衡杠杆（3）的下方装有旋转电机（2），旋转电机（2）的下部与籽晶杆（13）相连，籽晶杆（13）的下端为籽晶（14）；支点（12）右侧的平衡杠杆（3）的上方装有直线导轨（11），直线导轨（11）上装有滑块（10），滑块（10）上可放置配重块（9）；支点（12）右侧的平衡杠杆（3）的上方还装有位于直线导轨（11）左侧的电机（5），电机（5）通过联轴器（6）与丝杆（7）相连，丝杆（7）通过丝杆螺母（8）连接并与滑块（10）固定。
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公开(公告)号：CN112621392A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011443733.4
申请日：2020-12-08
申请人： 天通控股股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料加工技术领域，尤其是一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片加工方法，该方法包括切片、倒角、研磨800、黑化、研磨2000和抛光步骤；所述研磨800步骤和研磨2000步骤中均采用双面研磨机，在22℃±2℃下，研磨加压方式采用分段缓慢加压方式；所述抛光步骤中采用双面抛光机，在22℃±2℃下，设备最大转速为6‑10rpm，采用SiO2抛光液，比重为1.06‑1.20，抛光加压方式采用分段缓慢加压方式。因加压时采用缓慢、逐渐加压的方式，极大减小了划伤、碎片、裂片等情况，同时搭配本发明的夹具，可以有效地减少塌边、爆边、研磨不充分等情况，极大提高了生产的良品率，摆脱厂家半导体机台设备应用的牵引。
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公开(公告)号：CN112456994A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011357658.X
申请日：2020-11-27
申请人： 天通控股股份有限公司
摘要： 本发明属于磁性材料技术领域，公开了一种低温烧结高频低损耗MnZn软磁铁氧体及其制备方法。本发明的低温烧结高频低损耗MnZn软磁铁氧体包含主成分和辅助成分，所述主成分包括Fe2O3：53.5～56.5mol%，ZnO：3.2～5.5mol%，其余为Mn3O4，按主成分总重量计，所述辅助成分包括：纳米CaCO3：400～1000ppm、纳米V2O5：200～600ppm、纳米Nb2O5：100～350ppm、纳米Co2O3：1500～3500ppm、纳米SiO2：30～150ppm、纳米CuO：100～500ppm。本发明的MnZn铁氧体材料，通过合适的主成分与纳米掺杂，并采用珠磨机的研磨工艺，使该MnZn铁氧体材料在保持高磁导率和高饱和磁通密度条件下，大幅降低了3MHz，80mT和5MHz，50mT的损耗，使其在行业内处于领先水平，而且通过掺杂实现低温烧结，减小了生产成本。
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公开(公告)号：CN112430844A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202110114721.5
申请日：2021-01-28
申请人： 天通控股股份有限公司
IPC分类号： C30B15/28
摘要： 本发明涉及晶体生长技术领域，尤其是一种压电晶体称重长晶装置及工作方法，该装置包括设置在长晶炉上的平衡杠杆（3），平衡杠杆（3）的下部设有支点（12）；支点（12）左侧的平衡杠杆（3）的下方装有旋转电机（2），旋转电机（2）的下部与籽晶杆（13）相连，籽晶杆（13）的下端为籽晶（14）；支点（12）右侧的平衡杠杆（3）的上方装有直线导轨（11），直线导轨（11）上装有滑块（10），滑块（10）上可放置配重块（9）；支点（12）右侧的平衡杠杆（3）的上方还装有位于直线导轨（11）左侧的电机（5），电机（5）通过联轴器（6）与丝杆（7）相连，丝杆（7）通过丝杆螺母（8）连接并与滑块（10）固定。
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