-
公开(公告)号：CN113780739B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202110918976.7
申请日：2021-08-11
Applicant: 华中科技大学 , 国网湖北省电力有限公司营销服务中心(计量中心) , 中国电力科学研究院有限公司 , 西北机电工程研究所
IPC: G06Q10/0639 , G06F17/18
Abstract: 本发明公开了一种冲击电流测量装置不确定度评定方法及系统，包括：S1、确定冲击电流测量装置的误差，并计算各误差在电流测量装置性能指标中所反映出来的不确定度，记为各误差所对应的不确定度；S2、将冲击电流测量装置的误差中不确定度小于预设阈值的误差作为劣势误差，其余误差作为优势误差；S3、采用均匀分布综合法将各劣势误差所对应的不确定度进行并项处理，得到劣势误差所对应的综合不确定度；S4、采用均匀分布综合法对各优势误差所对应的不确定度和劣势误差所对应的综合不确定度进行不确定度合成，得到冲击电流测量装置的不确定度。本发明降低了不确定度较低的劣势误差对合成不确定度分布特性的影响，大大提高了评定结果的准确度。
-
公开(公告)号：CN118604472A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410554788.4
申请日：2024-05-07
Abstract: 本发明公开了一种金属化薄膜电容器的损耗计算方法、装置及系统，属于金属化膜电容器检测技术领域，包括：将金属化薄膜电容器处于运行状态下的电流分解为多次谐波的叠加，得到前N次谐波电流的有效值；N≥2；计算前N次谐波中的任一次谐波的等效串联电阻与基波下的等效串联电阻ESR1的比值，得到该次谐波下的谐波等效系数；计算前N次谐波电流与对应谐波等效系数的乘积的平方和的算数平方根，得到等效基波电流I1eq，进而计算得到金属化薄膜电容器损耗#imgabs0#本发明考虑到谐波对于电容器损耗影响，将电容器电阻特性与运行工况解耦分析，能够以一种简单的方式提高多次谐波作用下的金属化薄膜电容器的损耗计算精度。
-
公开(公告)号：CN117781795A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311722659.3
申请日：2023-12-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于高能液电爆轰的激波碎岩方法，属于脉冲功率领域，其包括如下步骤：S1：对待破碎的岩石进行评估以获得破碎岩石所需要的总能量，根据岩石破碎过程，将总能量划分为第一、第二、第三级能量，S2：形成与第一级能量大小对应的第一级激波，使第一级激波在岩石中形成微裂纹；S3：形成与第二级能量大小对应的第二级激波，使第二级激波在岩石中扩展微裂纹，形成主裂纹且无破碎区；S4：形成与第三级能量大小对应的第三级激波，使第三级激波在岩石中扩展主裂纹并累计形成贯穿裂纹，实现岩石碎裂。本发明能解决现有传统的炸药激波碎岩方式中存在的难以控制激波强度，爆轰过程不可控，安全性不足，粉尘污染严重的问题。
-
公开(公告)号：CN117517918B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410012866.8
申请日：2024-01-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种脉冲晶闸管型强流开关暂态近限运行条件测试方法及装置，属于功率半导体器件测试领域，方法包括：触发晶闸管后向其通入脉冲大电流，利用修正热电耦合计算模型计算脉冲大电流下晶闸管的结温：以晶闸管在脉冲大电流工况下的熔铝体积为修正项，对原始热电耦合计算模型计算得到的结温进行修正得到的结果；根据结温与结温阈值之间的大小关系，判断晶闸管是否达到近限，当未达到近限时，设置新的运行条件；重复以上操作直至晶闸管达到近限，记录达到近限时的运行条件。实现脉冲大电流工况下晶闸管近限条件的自动化测量，提高了效率，同时有利于脉冲功率电源的轻型化、高功率化和高储能密度。
-
公开(公告)号：CN117741355A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311600575.2
申请日：2023-11-28
Applicant: 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种消除纸绝缘频域介电测量中电极极化影响的方法，属于油纸绝缘介电响应特性研究领域。该方法包括：纸绝缘样品的制备；频域介电响应的测量；等效介电模型的建立；等效介电模型参数的求解；纸绝缘真实频域介电响应的计算。本发明能够对纸绝缘频域介电响应测量过程中的电极极化效应进行定量分析，并采用计及电极极化的纸绝缘等效介电模型对实测的复杂的介电过程进行解耦分析，从而消除掉电极极化的影响，实现对纸绝缘真实的频域介电响应的获取和定量描述，为纸绝缘的介电机理研究和进一步实现基于介电响应的油纸绝缘状态定量评估提供了前期基础。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117436206A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311450011.5
申请日：2023-10-31
Applicant: 华中科技大学 , 中国电力科学研究院有限公司武汉分院 , 国网湖北省电力有限公司营销服务中心(计量中心)
IPC: G06F30/17 , G06F30/27 , G16C60/00 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种电磁设备的设计方法和装置，属于电磁传感技术领域，所述电磁设备的设计方法，在设计电磁设备时考虑实际的特定使用场景，综合候选材料的多种电磁物性参数并计及不同的电磁物性参数的相互制约关系，结合电磁设备的结构和材料构建电磁设备的多目标优化模型，求解该模型获得帕累托最优解从而计算出灵敏度，并利用灵敏度确定目标函数，最小化目标函数寻找不同候选材料下的稳定最优解，最终借助状态评价方法实现最优材料的选取。所提方法具有良好的泛化性和借鉴性，且具有一定的工程推广价值，由此解决现有的电磁设备设计往往只考虑单一性能导致设计出的电磁设备性能不佳，应用场景受限的技术问题。
-
公开(公告)号：CN117430474A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311356385.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高能液电爆轰的能量调控方法，属于脉冲功率技术领域，其包括：金属丝电能与化学能调控，利用复合脉冲功率的高幅值分量，使得金属丝快速沉积电能，并使金属丝化学能完全释放；等离子体通道沉积能量调控，通过复合脉冲功率的长脉宽分量，调节通道沉积能量与对外辐射热量，使得金属粉末与液体介质反应释放能量；金属粉末释放能量调控，调节金属粉末与液体介质反应速率，使得金属粉末与液体介质反应达到自持，提高金属粉能量释放效率；冲击波能量调控，调节复合脉冲功率、金属丝尺寸与金属粉末参数，提高负载沉积能量向冲击波能量转化效率，达到应用需求。本发明方法通过多个环节的匹配，能实现液电爆轰过程中能量精准调控。
-
公开(公告)号：CN116722764A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310723768.0
申请日：2023-06-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M9/00
Abstract: 本发明公开了一种高重复工作频率脉冲功率电源的设计方法，脉冲功率技术领域。设计方法包括：确定负载工况，包括各个负载的脉冲电流需求与重复工作频率；脉冲电感设计，根据各个负载的脉冲电流需求与重复工作频率，计算脉冲电感等效工作频率与热负荷，并进行脉冲电感优化使其满足温升要求；晶闸管设计，确定单个晶闸管的最高重复工作频率，针对各个负载确定所需晶闸管数量；放电时序控制，设置各晶闸管放电时序，以满足各个负载的重复工作频率需求。本发明通过控制多组晶闸管的开断，能够实现脉冲电源带多负载重频运行，提高元件利用率，减小脉冲电源体积，同时通过晶闸管的分时复用，降低单个晶闸管热负荷，提高晶闸管寿命与系统可靠性。
-
公开(公告)号：CN116470901A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310483302.8
申请日：2023-04-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K17/691 , H02M1/088 , H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种高压隔离半导体开关驱动电路。该电路包括：低边供电模块将输入的非隔离直流低压转换成低边回路中芯片正常工作需要的电压；低边信号调制模块分别将输入的宽信号脉冲转换成两个携带原始输入信号脉宽的窄脉冲，并控制低边驱动模块中的晶体管的导通时间；低边驱动模块将两个窄脉冲信号转换为高幅值、大电流的正/负极性的窄脉宽驱动脉冲；高压隔离模块将磁芯的高低边信号及能量耦合并隔离高电压；高边驱动模块根据磁芯感应产生的正/负极性窄脉冲形成脉宽与输入信号一致的驱动脉冲，控制高压半导体开关导通与关断。通过单稳态芯片将输入信号解耦成两个窄脉冲信号，减小了磁芯尺寸，避免了磁芯饱和。
-
公开(公告)号：CN116346109A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310123740.3
申请日：2023-02-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K17/687 , H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种无源高压隔离半导体开关驱动装置，属于脉冲功率技术领域。本发明利用窄脉冲信号控制半导体开关导通，在无脉冲信号输入时，使半导体开关的结电容仅能通过自身极大的泄漏电阻进行电荷泄放，从而延长驱动电压保持时间，实现窄脉冲信号控制半导体开关器件的长时间导通，可以有效避免磁芯饱和并减小磁芯体积。利用负脉冲实现半导体开关器件的可靠关断，能够有效驱动多类半导体开关器件。本发明装置采用模块化与小型化设计，可集成于PCB板并进行塑封，能够有效缩小器件体积，方便拓展应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
306
records
(took 0.026 seconds)
