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公开(公告)号：CN115359823A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210379890.6
申请日：2022-04-12
申请人： 普赛微科技(杭州)有限公司
IPC分类号： G11C11/415 , G11C11/416
摘要： 本申请公开了一种高密型非易失存储器，涉及电子技术领域，特别是一种高密型非易失存储器；本申请的一种高密型非易失存储器包括：若干个存储单元；各个存储单元之间通过互连导线连接，并形成存储单元阵列；存储单元阵列包括若干存储单元矩阵，各存储单元矩阵层层相叠；存储单元包括存取晶体管和磁性隧道结；存取晶体管包括导电沟道、源极、漏极和栅极；导电沟道采用二维半导体材料构成；互连导线包括若干字线、位线和源线；字线用于与栅极连接；位线用于与磁性隧道结的另一端连接；源线用于与源极连接；该结构能够在保证存储器性能的前提下，有效提高存储器的密度，降低成本。
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公开(公告)号：CN113158610B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110390067.0
申请日：2021-04-12
申请人： 普赛微科技(杭州)有限公司
发明人： 蒋信
IPC分类号： G06F30/392 , G06F30/398 , G06N20/00
摘要： 本发明公开了一种集成电路芯片制造过程中的迭对测量方法，包括如下步骤：针对芯片制造过程的各个工艺层次，采集晶圆上各迭对标记图像数据或采集晶圆上部分区域内的迭对测量数据；利用采集的迭对标记图像数据或迭对测量数据，分别建立机器学习模型：迭对标记图像处理模型、迭对测量数据预测模型；迭对测量时，通过已建立的迭对标记图像处理模型对迭对标记图像进行处理，或，通过已建立的迭对测量数据预测模型以及在晶圆上部分区域内采集的迭对测量数据对同一晶圆上其他未测量区域内的迭对测量数据进行预测。本发明通过机器学习模型对迭对测量的数据进行处理或预测，提高了迭对测量的稳定性、精度和测量效率。
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公开(公告)号：CN113342360A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110550477.7
申请日：2021-05-20
申请人： 普赛微科技(杭州)有限公司
IPC分类号： G06F8/61 , G06F8/65 , G06F16/172 , G06F16/18 , G06F16/182
摘要： 本发明公开了一种分布式文件系统元数据信息的读写方法及系统，其读写方法包括创建用于存储所述分布式文件系统的元数据信息的镜像文件，并将所述镜像文件存储于非易失存储器中；接收所述分布式文件系统运行过程中所产生的所述元数据信息，并将其实时写入所述非易失存储器中的所述镜像文件中；响应于所述分布式文件系统发起的重启指令，从所述非易失存储器中加载所述镜像文件的所述元数据信息，用于重启所述分布式文件系统。本发明可缩短系统重启所需时间，从而提高系统效率及改善用户体验。
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公开(公告)号：CN113204938A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110367244.3
申请日：2021-04-06
申请人： 普赛微科技(杭州)有限公司
IPC分类号： G06F30/398 , G06F30/27
摘要： 本发明公开一种集成电路的时延特性改进方法，包括：对流片后的集成电路进行测试并根据测试数据建立机器学习模型；根据机器学习模型对集成电路的关键时延路径进行预测分析，以及根据预测结果对集成电路的设计方案进行改进；根据机器学习模型对改进后的集成电路的关键时延路径进行预测分析，以及判断改进后的集成电路的时延特性是否满足设计规格要求，若否时，对新的集成电路的设计方案进行再次改进后再判断。本发明根据测试数据建立机器学习模型，实现对集成电路的关键时延路径进行预测，为集成电路的设计方案的改进提供了数据依据，可缩短产品开发周期以及降低开发成本。本发明还提供了一种集成电路的时延特性改进装置及存储介质。
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公开(公告)号：CN113158610A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110390067.0
申请日：2021-04-12
申请人： 普赛微科技(杭州)有限公司
发明人： 蒋信
IPC分类号： G06F30/392 , G06F30/398 , G06N20/00
摘要： 本发明公开了一种集成电路芯片制造过程中的迭对测量方法，包括如下步骤：针对芯片制造过程的各个工艺层次，采集晶圆上各迭对标记图像数据或采集晶圆上部分区域内的迭对测量数据；利用采集的迭对标记图像数据或迭对测量数据，分别建立机器学习模型：迭对标记图像处理模型、迭对测量数据预测模型；迭对测量时，通过已建立的迭对标记图像处理模型对迭对标记图像进行处理，或，通过已建立的迭对测量数据预测模型以及在晶圆上部分区域内采集的迭对测量数据对同一晶圆上其他未测量区域内的迭对测量数据进行预测。本发明通过机器学习模型对迭对测量的数据进行处理或预测，提高了迭对测量的稳定性、精度和测量效率。
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公开(公告)号：CN220381791U
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202322090446.5
申请日：2023-08-04
申请人： 普赛微科技(杭州)有限公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本实用新型涉及一种用于先进封装MRAM存储器的测试架构，在该测试架构中，存储控制器通过无源中介层中的连线与MRAM裸片或裸片堆叠耦合，存储控制器可以通过串行、或者并行或者混合测试机制施加测试逻辑对MRAM裸片或裸片堆叠进行测试。本实用新型不仅可以有效地解决MRAM合封芯片测试需要占用引脚过多的问题，有助于实现大容量MRAM产品的制造，而且能够实现提高存储芯片的有效面积占用比，从而降低芯片单位制造成本；另外，能够实现对MRAM合封芯片的高效测试，从而降低测试成本。
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