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公开(公告)号：CN119201971A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411255681.6
申请日：2024-09-09
Applicant: 无锡唯因特数据技术有限公司
IPC: G06F16/242 , G06F16/2452 , G06F16/2455 , G06N5/04
Abstract: 本发明提供一种基于LLM的复杂数据库查询的方法、装置、设备和存储介质；所述方法包括获取数据库信息，所述数据库信息包括表结构、索引和表关联关系；将数据库信息向量化；遍历数据库中的所有表，基于当前表的表关联关系，为每个表构建最小邻接矩阵，得到最小邻接矩阵集合；接收用户的自然语言问题，对自然语言问题向量化，得到问题向量；遍历数据库中的所有表，根据问题向量与表向量的关联度，选取与问题直接关联的表；得到直接关联表集合；再得到间接关联表集合；最后得到与问题相关联的关联表集合、与问题相关联的表字段集合；构造prompt提示词，与LLM交互，生成SQL查询语句。可提高SQL查询语句的准确性，降低LLM的输入token数量。
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公开(公告)号：CN114267198B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202111577861.2
申请日：2021-12-22
Applicant: 无锡中科维智数据科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种路侧停车收费管理系统，包括：车辆探测与识别装置、车载蓝牙标签；所述车辆探测与识别装置用于设置在相邻两个路侧停车位的中间且靠近路沿一侧，所述车载蓝牙标签用于设置在车辆上；所述车辆探测与识别装置包括第一电源模块、MCU、双路超声雷达模块、双路蓝牙模块、互联通信模块；第一电源模块为MCU、双路超声雷达模块、双路蓝牙模块和互联通信模块供电；所述双路超声雷达模块包括第一超声雷达探头和第二超声雷达探头，所述双路蓝牙模块包括蓝牙通信单元、双定向天线单元，其中双定向天线单元包括射频开关和第一蓝牙定向天线、第二蓝牙定向天线；本发明能够降低系统建设部署成本以及人工运营成本。
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公开(公告)号：CN119154215A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411285027.X
申请日：2024-09-13
Applicant: 无锡中鼎集成技术有限公司
IPC: H02H5/00 , B66F9/075 , B66F9/24 , B66F17/00 , H03K17/945 , H03K19/0175
Abstract: 本发明提供一种货叉中位开关触发安全扭矩断开电路，包括信号互锁电路和触发安全扭矩断开电路；信号互锁电路用于接收控制器发出的上位机任务信号T1、待机信号T2、起升使能信号E1和行走使能信号E2，并产生中位保护信号P1和货叉使能信号E3；中位保护信号P1向触发安全扭矩断开电路发送，货叉使能信号E3向控制器发送；触发安全扭矩断开电路用于监测货叉中位开关信号以及接收中位保护信号P1，所述货叉中位开关信号为两路OSSD信号；当中位保护信号P1为高电平，两路OSSD信号中任一路OSSD信号为低电平或两路OSSD信号均为低电平时，触发安全扭矩断开电路输出高电平的安全扭矩断开信号STO。本发明提高了堆垛机运行的可靠性。
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公开(公告)号：CN119101229A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411508730.2
申请日：2024-10-28
Applicant: 无锡殷达尼龙有限公司
IPC: C08G65/324
Abstract: 本发明涉及一种端羧基聚醚的制备方法，包括如下步骤：向反应器中依次加入端羟基聚醚、去离子水、催化剂，反应温度60‑90℃，连续通入氧气以维持反应压力0.05‑0.2MPa，维持反应釜内物料pH在9‑10；当反应体系吸氧停止，将反应釜内物料的pH维持在11‑12，继续通入氧气，当反应体系吸氧停止，反应结束；过滤去除催化剂；加入盐酸得到粗端羧基聚醚的水溶液；将粗端羧基聚醚的水溶液经过减压蒸馏；粗端羧基聚醚加入无水乙醇溶解，过滤去除无机盐，结晶得到端羧基聚醚。本发明的反应过程采用水作为溶剂，反应条件温和，避免采用氯羧酸、乙醇钠等危险化学品，制备得到的端羧基聚醚纯度高，可以用来合成聚醚酰胺弹性体。
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公开(公告)号：CN119084113A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411225686.4
申请日：2024-09-02
Applicant: 无锡威孚力达催化净化器有限责任公司
Abstract: 本发明属于后处理技术领域，具体涉及一种满足甲醇发动机超低排放的后处理装置及其控制方法，后处理装置包括催化剂系统、加热控制系统、补气控制系统和后处理控制器；催化剂系统包括三元催化剂和颗粒捕集器；加热控制系统包括加热功能测试装置和加热执行装置，加热执行装置设置在发动机排气歧管与三元催化剂之间；补气控制系统包括补气控制测量装置、储气装置和补气控制执行装置，后处理控制器与催化剂系统、加热控制系统及补气控制系统信号连接，后处理控制器通过与发动机ECU信息通讯，控制补气控制系统及加热控制系统。本发明在发动机启动时能够将尾气温度迅速提高到目标温度以上，满足催化剂起燃温度要求，降低冷启动阶段及其他工况排放。
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公开(公告)号：CN118486630B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410942950.X
申请日：2024-07-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种晶圆寻边装置，包括至少两组托片机构、旋转驱动机构和检测机构，通过设置多组托片机构，能够同时进行多片晶圆的寻边作业，提高寻边效率；托片机构包括托具和转具，旋转驱动机构包括旋转驱动件、主齿轮、副齿轮和位移驱动件，位移驱动件用于驱使副齿轮往返于第一工位和第二工位；副齿轮处于第一工位时，副齿轮与主齿轮和转具啮合、旋转驱动件能够驱使托片机构旋转，副齿轮处于第二工位时，托片机构不受旋转力；通过配套设置副齿轮与位移驱动件，每一组托片机构都能够独立地开始或结束旋转寻边，可控性强、寻边精度有保障；同时，实现了采用一组旋转驱动件即可满足多组托片机构独立作业的功能，结构可靠、控制简单。
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公开(公告)号：CN118486738B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410944302.8
申请日：2024-07-15
Applicant: 无锡商甲半导体有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/02 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种提高静电能力的功率半导体器件及制造方法；在器件的ESD保护区，第一导电类型外延层上部设有第二导电类型阱区；第二类沟槽自第一主面伸入第二导电类型阱区之下；在第二类沟槽中设有ESD多晶硅；所述ESD多晶硅的两端为同一导电类型的多晶硅，自ESD多晶硅的两端向中间交替布设第一导电类型多晶硅和第二导电类型多晶硅，形成至少两组级联的第一导电类型多晶硅‑第二导电类型多晶硅‑第一导电类型多晶硅结构；在第三类绝缘介质层上设有源极金属和栅极金属；源极金属通过第三类接触孔接触ESD多晶硅一端的第一导电类型多晶硅，栅极金属通过第四类接触孔接触ESD多晶硅另一端的第一导电类型多晶硅。本申请可降低制造成本和光刻难度。
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公开(公告)号：CN113634682B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202111088343.4
申请日：2021-09-16
Applicant: 无锡盛力达科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种焊丝折弯装置，包括第一折弯机构、第一插丝机构、第二折弯机构和第二插丝机构，焊丝缠绕前，第一折弯机构能够折弯焊丝的起始端，第一插丝机构能够将折弯的起始端插入料盘的第一勾丝槽中，以便于焊丝的头部与料盘固定，从而方法方便料盘缠丝；焊丝缠绕结束，第二折弯机构能够折弯焊丝的末端，第二插丝机构能够将折弯的末端伸入料盘的第二勾丝槽中，以便于焊丝的尾部与料盘固定，从而稳固料盘上的焊丝卷，以便于料盘传输和使用。本申请还公开了一种层绕机，包括上述焊丝折弯装置，还包括焊丝放卷装置、料盘上料装置和下料装置，能够实现焊丝的全自动层绕，从而提高焊丝制备的工作效率。
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公开(公告)号：CN118422149B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410870816.3
申请日：2024-07-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种初始优化镀膜装置及镀膜方法，初始优化镀膜装置包括作业腔、载台、靶材、遮板和第一遮挡组件，遮板能够隔开靶材和载台；在靶材通电的前30s利用遮板隔开靶材与载台，能够避免晶圆在点火阶段被误镀膜；待反应区域内的反应环境稳定，使得遮板离开作业腔，载台暴露在靶材下方，晶圆即可高效、准确地接受镀膜；初始优化镀膜装置还包括收容腔和遮板驱动组件，遮板驱动组件通过设置两组磁吸件，能够将收容腔外的驱动力传递至收容腔内，如此，既能够实现遮板的往返运动、又能够保护驱动结构；遮板驱动组件还通过设置四组相互配合导轨和滚轮提高了遮板运动的稳定性和准确性。
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公开(公告)号：CN118866645A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411319945.X
申请日：2024-09-23
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种层级式静电吸附刻蚀装置，包括工作室、载台、第一静电吸盘和第二静电吸盘，第一静电吸盘和第二静电吸盘设于工作室内、并处于载台上方，静电吸盘能够吸引杂质颗粒附着，从而保证腔内环境清洁、延长腔体维护保养周期、提高设备运行效率；第二静电吸盘上设有第一穿孔，杂质颗粒能够通过第一穿孔朝向第一静电吸盘运动；第一静电吸盘的吸引力大于第二静电吸盘的吸引力；在第一静电吸盘下方增设吸引力较小的第二静电吸盘，既不会影响载台对正离子的吸引、又能够很好地诱导飞溅角度小、飞溅高度低的杂质颗粒向上运动；使得杂质颗粒主要附着到第一静电吸盘上，能够让杂质颗粒远离刻蚀气体气源，从而避免气流扰动已经被吸附杂质颗粒。
