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公开(公告)号：CN111181464B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010090457.1
申请日：2020-02-13
申请人： 东南大学
IPC分类号： H02P21/22 , H02P27/12 , H02P29/028
摘要： 本发明公开了一种基于零序调磁的记忆电机调磁控制方法及系统，方法包括：(1)将记忆电机定子上的绕组采用集成了电枢绕组和调磁绕组功能的集成绕组，将并联的第一逆变器和第二逆变器连接所述集成绕组；(2)在记忆电机正常运行无需调磁时，根据检测到的记忆电机的转子电角度θe、三相电流Iabc、转子转速ωr按照空间矢量调制方式产生开关信号，驱动两个逆变器对记忆电机集成绕组进行矢量控制；(3)在记忆电机需要调磁时，利用SVPWM进行电压调制过程中，根据磁化状态选择器确定输出的零序电流大小，改变零矢量的作用时间产生所需要的调磁电流，实现记忆电机永磁体的调磁。本发明冗余性低，提高了电机的转矩密度。
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公开(公告)号：CN112491169A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011247554.3
申请日：2020-11-10
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开一种定子聚磁型双边永磁电机，涉及永磁电机领域，包括定子、电枢绕组、转子和非导磁转轴，非导磁转轴、转子和定子按照从内到外依次设置，定子包括定子铁心轭、定子外齿、定子内齿和定子永磁体，定子铁心轭设置在定子外齿、定子内齿与转子之间，相邻的定子外齿和定子内齿间形成空气槽，空气槽用于放置定子永磁体，定子轭和转子间形成定子槽，定子槽用于放置缠绕在定子铁心齿上的三相电枢绕组；本发明通过采用双边永磁的结构设计，将转子永磁体和定子永磁体在空间上分隔开，实现双向磁场调制效果，丰富了电机的气隙磁场，通过定子永磁体内嵌为V型聚磁结构，提高了有效气隙磁场谐波幅值，增强了定子永磁体的聚磁效果。
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公开(公告)号：CN110829770B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201911016371.8
申请日：2019-10-24
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种具有不对称定子极的混合励磁型磁通反向电机，包括定子、转子、三相电枢绕组、单相励磁绕组和不导磁转轴，转子包括转子齿和转子轭，转子轭固定在不导磁转轴上，转子齿沿转子轭周向均匀设置，定子位于转子的转子齿外部，与转子齿之间有一点间隙，定子包括定子轭、定子电枢齿、定子励磁齿和永磁体，定子电枢齿和定子励磁齿沿定子周向交替设置，且每个定子电枢齿下端位于定子电枢齿铁心两侧设有两块同极性的永磁体，三相电枢绕组缠绕于定子电枢齿上，单相励磁绕组缠绕于定子励磁齿上。本发明采用双凸极结构，结构简单，鲁棒性强，适合交流无刷运行，同时混合励磁的引入实现了气隙磁通的可调，提升了电机的转速范围。
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公开(公告)号：CN110707841B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201910851846.9
申请日：2019-09-10
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种聚磁式双凸极混合永磁记忆电机，包括定子、转子、电枢绕组、调磁绕组和不导磁转轴，定子和转子均为凸极结构，转子固定在转轴上，定子在转子外部；转子包括转子轭和转子齿，定子包括定子轭、定子齿、第一永磁体和第二永磁体，第一永磁体和第二永磁体的横截面均为扇形，第一永磁体嵌在定子轭部，沿圆周方向均匀分布，第二永磁体位于相邻的定子齿之间，第一永磁体和第二永磁体数量与定子齿的数量相同；电枢绕组和调磁绕组均缠绕在定子齿上，且分别位于第二永磁体的上方和下方。本发明解决了铝镍钴永磁体易发生自退磁的问题，并增强抗电枢反应去磁能力，实现电机气隙磁场可调，拓宽了电机的转速范围，减小了弱磁铜耗。
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公开(公告)号：CN109412293B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201811187674.1
申请日：2018-10-12
申请人： 东南大学
IPC分类号： H02K1/27
摘要： 本发明公开了一种混联磁路记忆电机，包括混合永磁转子、定子、电枢绕组和转轴，电枢绕组设置在定子上，定子设置在混合永磁转子外部，混合永磁转子包括转子铁心、第一永磁体、第二永磁体、第三永磁体以及三角形磁障，第一永磁体呈一字形径向均布于转子铁心，两个第一永磁体之间设置三角形磁障，第二永磁体和第三永磁体构成V形混合永磁，V形混合永磁对称布置在三角形磁障两侧，第一永磁体与第二永磁体构成串联磁路。本发明可以解决传统内置式永磁记忆电机中，串联型调磁范围窄和并联型交叉耦合去磁严重的问题，以提高电机转矩密度，且可拓宽电机的全工况高效运行范围。
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公开(公告)号：CN108288933B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201810042557.X
申请日：2018-01-17
申请人： 东南大学
IPC分类号： H02P21/00 , H02P21/22 , H02P6/28 , H02P25/026 , H02P27/08
摘要： 本发明公开了一种交流调磁型记忆电机分段调磁控制方法，包括如下步骤：首先在控制系统中加入调磁脉冲模块，实现电机磁链的在线调节；在电机运行过程中，选取n个目标磁化状态，确定对应Te‑N曲线的交点，以及各交点所对应的电机转速；通过ψpm/Ld与ismax之间的关系，确定电机调磁过程中的最低磁化水平，之后只进行传统的电枢电流弱磁，不再通过调磁脉冲来削弱永磁磁场；为达最优调磁效果，合理配合调磁起始时刻的转子位置及调磁脉冲相位。相对于传统的弱磁扩速方法，本发明可极大地减小电机运行过程中的直轴电流分量，降低电机在高速运行区的定子铜耗，避免对永磁体频繁进行在线调磁，提高电机运行效率和控制系统可行性。
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公开(公告)号：CN111541313A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010370349.X
申请日：2020-05-06
申请人： 东南大学
摘要： 一种混合磁极零序调磁记忆电机及其调磁方法，电机包括定子铁心、钕铁硼永磁体、电枢绕组、铝镍钴永磁体、转子和电机转轴，定子铁心包括定子轭部、定子铁心齿、定子钕铁硼齿和定子铝镍钴齿，沿定子轭部内周上依次周期排布有定子铝镍钴齿、定子铁心齿、定子铝镍钴齿、定子铁心齿、定子钕铁硼齿、定子铁心齿、定子钕铁硼齿和定子铁心齿，电枢绕组匝绕在定子铁心齿上，钕铁硼永磁体镶嵌在定子钕铁硼齿上，铝镍钴永磁体表贴在定子铝镍钴齿上；转子在定子内部，转轴位于转子内部，转子绕转轴旋转。本发明实现了电枢绕组与调磁绕组共用，实现零序调磁，进而实现电机的磁通调节。
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公开(公告)号：CN111181464A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010090457.1
申请日：2020-02-13
申请人： 东南大学
IPC分类号： H02P21/22 , H02P27/12 , H02P29/028
摘要： 本发明公开了一种基于零序调磁的记忆电机调磁控制方法及系统，方法包括：(1)将记忆电机定子上的绕组采用集成了电枢绕组和调磁绕组功能的集成绕组，将并联的第一逆变器和第二逆变器连接所述集成绕组；(2)在记忆电机正常运行无需调磁时，根据检测到的记忆电机的转子电角度θe、三相电流Iabc、转子转速ωr按照空间矢量调制方式产生开关信号，驱动两个逆变器对记忆电机集成绕组进行矢量控制；(3)在记忆电机需要调磁时，利用SVPWM进行电压调制过程中，根据磁化状态选择器确定输出的零序电流大小，改变零矢量的作用时间产生所需要的调磁电流，实现记忆电机永磁体的调磁。本发明冗余性低，提高了电机的转矩密度。
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公开(公告)号：CN110994833A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911163253.X
申请日：2019-11-25
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种辅助漏磁式串联磁路记忆电机，包括定子、电枢绕组、混合永磁转子和转轴，所述混合永磁转子围绕在所述转轴外侧，所述定子围绕在所述混合永磁转子外侧，所述电枢绕组设置在所述定子上，所述混合永磁转子的转子铁心上每一极设置有两个切向充磁的第二永磁体和一个径向充磁的第二永磁体，两个第一永磁体组成V字型永磁结构，所述V字型永磁结构底部靠近转轴，且与转轴之间留有辅助漏磁磁路，所述第二永磁体呈一字型，放置在转子铁心靠气隙侧，一端靠近本极的V字型永磁结构的开口处，另一端靠近相邻极的V字型永磁结构开口处。本发明拓扑结构简单，机械强度高，可以有效解决串联磁路结构记忆电机调磁范围过窄，所需调磁电流过高的问题。
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公开(公告)号：CN110380652A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910501395.6
申请日：2019-06-11
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种功率器件集成式绕组换接电路，包括三个全桥电路单元、一个开关控制单元和两个电容，其中，三个全桥电路单元并联，分别连接至电源，两个电容串联后连接至电源，所述开关控制单元用于根据控制导通和关断，其一端连接至两个电容的串联连接点，另一端分别连接电机三相中每一相的两个绕组的公共点，每一相的两个绕组的另一端还分别连接至一个全桥电路单元中一个半桥的中间点。本发明所提出的电路结构与现有电路相比，结构进一步简化，电机通过绕组切换实现转速范围拓宽的同时，由于对直轴弱磁电流需求降低，电机在高速区的效率能够得到提高。
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