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公开(公告)号：CN113037294A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110241268.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于超导电子学的多量子比特控制装置和方法，先将微波脉冲转换为SFQ脉冲信号；其次，将SFQ脉冲信号复制为N路与之相同的SFQ子脉冲信号；再将N路SFQ子脉冲信号分别转换为N路周期不同的SFQ输出脉冲信号；最后，将N路SFQ输出脉冲信号分别耦合到转变频率与之匹配的量子比特，从而实现对N个不同周期的量子比特的控制；本发明通过单个微波源驱动的DC/SFQ转换器实现对多个不同频率的量子比特进行状态控制，节省了微波源、DC/SFQ转换器、微波源到DC/SFQ转换器之间的微波器件和连线的数量，有利于低温条件下实现对较大规模量子比特的控制及对应装置的集成。
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公开(公告)号：CN118678873A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410707758.2
申请日：2024-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导芯片及超导芯片系统，其中超导芯片包括至少一个量子比特电路，量子比特电路包括超导量子比特、磁通偏置线、第一引线端口及第二引线端口；磁通偏置线布置在超导量子比特附近，第一端与第一引线端口相连，第二端与第二引线端口相连；外部施加的偏置电流从第一引线端口流入并从第二引线端口流出，通过向磁通偏置线施加偏置电流来调控超导量子比特的频率。通过本发明解决了现有超导芯片中多个超导量子比特之间存在较大磁通串扰的问题。
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公开(公告)号：CN113037294B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110241268.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于超导电子学的多量子比特控制装置和方法，先将微波脉冲转换为SFQ脉冲信号；其次，将SFQ脉冲信号复制为N路与之相同的SFQ子脉冲信号；再将N路SFQ子脉冲信号分别转换为N路周期不同的SFQ输出脉冲信号；最后，将N路SFQ输出脉冲信号分别耦合到转变频率与之匹配的量子比特，从而实现对N个不同周期的量子比特的控制；本发明通过单个微波源驱动的DC/SFQ转换器实现对多个不同频率的量子比特进行状态控制，节省了微波源、DC/SFQ转换器、微波源到DC/SFQ转换器之间的微波器件和连线的数量，有利于低温条件下实现对较大规模量子比特的控制及对应装置的集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114759894A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210507255.1
申请日：2022-05-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/08
Abstract: 本发明提供一种基于电子束曝光的高性能高频声表面波器件的制备方法，在绝缘复合基底上进行表面增粘处理，可防止胶型结构移动或脱落，同时还可提升匀胶均匀性；选用双层胶体系，通过调控曝光剂量实现倒梯形结构制备，既有利于去胶剥离，提高剥离成品率，又可减少因薄膜断裂形成的胶体残留；在双层胶结构的表面形成导电层，可有效疏导电子束在曝光过程中的电荷积聚，避免形成微电场造成电子束定位误差和表面火花放电，保障设计图形的转移工艺能够有效的传递到胶体上；在显影及剥离过程中只需对双层胶进行显影及单次去胶，具有较高的生产效率。本发明具有工艺简单易用、产能高、重复性好、成品率高的优点，适用于批量制备。
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公开(公告)号：CN114221629A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111088251.6
申请日：2021-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03F3/60
Abstract: 本发明提供一种平衡式超导量子干涉器件微波放大器及其制备方法，该平衡式超导量子干涉器件微波放大器包括第一3dB正交定向耦合器、第一阻抗匹配网络、第二阻抗匹配网络、第一超导量子干涉器件、第二超导量子干涉器件、第三阻抗匹配网络、第四阻抗匹配网络及第二3dB正交定向耦合器。本发明的平衡式超导量子干涉器件微波放大器的整个电路输入输出端是关于SQUID对称，相较于单路SQUID微波放大器电路，平衡式SQUID微波放大器不仅能够大幅度提升输入输出匹配性能，扩展器件工作带宽，更容易实现级联，还能够改善放大器饱和功率和良好稳定。平衡式SQUID微波放大器采用平面微纳制备工艺加工实现，与现有大部分超导器件制备工艺兼容，可大大提高相关低温探测系统集成度。
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公开(公告)号：CN113937212A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111194146.0
申请日：2021-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构及其制造方法，电路结构包括衬底、超导结构和正常金属层；所述超导结构设置在所述衬底上，所述正常金属电连接所述超导结构的底电极，所述正常金属层用于抑制超导数字电路制造中产生的准粒子，所述准粒子为库伯对被拆开后的电子。本发明的超导数字电路能够有效的抑制超导数字电路中准粒子中毒。
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公开(公告)号：CN112068047A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010962027.4
申请日：2020-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种改善超导量子器件EMC性能的器件结构与制备方法，器件结构包括衬底、第一金属层，绝缘结构层，第一金属层及金属屏蔽壳盖之间为超导量子干涉器件的结构区，该结构区其主要包括约瑟夫森结区、势垒层、自感环路和引线结构、配线层、输入线圈、反馈线圈和引线电极等。本发明可以提高超导量子干涉器件抗干扰能力，减小超导量子干涉器件的封装体积，提高使用系统集成度。本发明的屏蔽壳仅百微米量级，其本征谐振频率和低频截止频率远高于超导量子干涉器件工作点，避免对器件的影响。此外，集成屏蔽壳采用金属层，可以损耗约瑟夫森结高频辐射，在器件阵列中增加了相邻器件之间的隔离，避免相互串扰。
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公开(公告)号：CN111953308A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010849447.1
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03F7/00
Abstract: 本发明提供一种磁通驱动约瑟夫森参量放大器及其制备方法，所述制备方法包括：于衬底表面形成Nb/Al-AlOx/Nb叠层结构；刻蚀Nb/Al-AlOx/Nb叠层结构以形成共面波导谐振腔结构、泵浦线结构、地线结构、信号输入配线结构及泵浦输入配线结构，共面波导谐振腔结构中形成有Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森结；于上述结构表面形成绝缘层，刻蚀绝缘层以形成约瑟夫森结过孔、接地过孔、输入信号引脚过孔及泵浦输入引脚过孔；于上述结构表面形成超导薄膜层，刻蚀超导薄膜层以将约瑟夫森结过孔和接地过孔电连接，同时于接地过孔中形成接地引脚、于输入信号引脚过孔中形成输入信号引脚、于泵浦输入引脚过孔中形成泵浦输入引脚。
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