公开(公告)号：CN107359221A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710602303.4

申请日：2017-07-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑理 ,  程新红 ,  宁志军 ,  徐大伟 ,  沈玲燕 ,  王谦 ,  张栋梁 ,  顾子悦 ,  俞跃辉

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03921

Abstract: 本发明提供一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法，包括：1)提供SOI衬底，包括顶层硅、底层硅以及埋氧层；2)刻蚀顶层硅的边缘区域；3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏区接触层；4)沉积覆盖所述源区接触层和漏区接触层的源区金属电极和漏区金属电极，并在所述底层硅的表面沉积底栅金属电极；5)在所述顶层硅与源区接触层、漏区接触层的接触界面上进行离子注入与激活，形成P+区域和N+区域；6)在所述顶层硅表面形成量子点。本发明采用SOI作为衬底，并结合量子点制备获得红外探测器，使Si基红外探测系统具有寄生效应小、抗干扰、速度快、功耗低、集成度高、抗单粒子辐照能力强等优点。

公开(公告)号：CN105304689A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510772384.3

申请日：2015-11-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  沈玲燕 ,  王中健 ,  曹铎 ,  郑理 ,  王谦 ,  张栋梁 ,  李静杰 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2229/00

Abstract: 本发明的基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法，将单层石墨烯转移到AlGaN表面，经过氟离子处理后绝缘，以此替代常规氮化物钝化层。然后在石墨烯上生长高k材料，两者共同作为栅介质，制备AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体（MIS）HEMT器件。石墨烯相比于传统钝化结构，具有物理厚度薄（亚纳米量级），附加阈值电压小的优点。同时，单层石墨烯也具有很好的隔离性能，防止生长高k材料的过程中，AlGaN表面被氧化而产生表面陷阱，以达到钝化的效果。另外，氟化过程能使石墨烯中引入负电荷，有利于HEMT器件的阈值电压正向移动，为实现增强型器件提供可能。本发明结构和方法简单，效果显著，在微电子与固体电子学技术领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN207938616U

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201820359523.9

申请日：2018-03-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 沈玲燕 ,  程新红 ,  郑理 ,  张栋梁 ,  王谦 ,  顾子悦 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本实用新型提供一种基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件，该器件包括层叠的GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区以及GaN外延层，所述GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区及GaN外延层的晶向为a轴竖直向上；栅沟槽，穿过n型导电的GaN外延层及p型导电的GaN阱区，并延伸至n型导电的GaN漂移区内；AlGaN层，形成于栅沟槽的底部及侧壁，AlGaN层与p型导电的GaN阱区形成AlGaN/p-GaN异质结沟道；栅介质层；栅极金属层；接触槽，接触槽中填充有金属接触层，金属接触层与GaN阱区形成欧姆接触；上电极以及下电极。本实用新型可有效提高沟道电子迁移率，减小器件导通电阻，同时提高阈值电压实现增强型的器件结构。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利