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公开(公告)号：CN102136519A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010564411.5
申请日：2010-11-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 , 上海中科高等研究院
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种量子阱长波红外探测器光栅波导微腔的光耦合单元。其结构特点是采用金属背反射层、介质层、金属光栅的夹层结构。这种光耦合结构有如下优点：一、采用金属的阵列结构提高了入射光的耦合效率。二、光场被局域在金属光栅层和金属背反射层之间的微小空间内传播，从而大大提高了量子阱层的电场强度。三、采用类似于微带天线结构使得垂直电场分量在纵向方向上具有很好的均匀性。四、金属结构不仅是光耦合单元，同时还充当上下电极。五、易于制备，适合做大面阵光敏元。
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公开(公告)号：CN100580957C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710173511.3
申请日：2007-12-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L29/88
摘要： 本发明提供了一种半导体量子点亚稳态共振隧穿二极管结构及工作条件。该结构包括：衬底，在衬底上依次排列生长集电极、第二隧道势垒层、与发射极集电极间耦合的量子点、第一隧道势垒层和发射极。工作条件包括工作温度，工作偏压，量子点亚稳态的获得。它可以消除量子点邻近子能级对亚稳能态单电子隧穿的影响，达到提高二极管工作温度的目的。
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公开(公告)号：CN101551294A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910050313.7
申请日：2009-04-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得出测量区域具体漏电通道的大小。利用本方法可以直接、明确地得出器件具体的表面漏电特性，从而为器件漏电的抑制提供有针对性的参数。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN100461465C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610148069.4
申请日：2006-12-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/111
摘要： 本发明公开了一种镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，该探测器与传统甚长波量子阱红外探测器的区别在于它是由低掺杂的电极层和高掺杂的量子阱层构成。在深低温器件工作温度下，量子阱层掺杂的适度提高不会使整个器件的暗电流明显变化，此时量子阱器件电极层的掺杂浓度的降低，使整个器件暗电流和噪声显著下降；高掺杂的量子阱层使整个器件的光吸收系数显著增强；相比传统的镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，本发明的甚长波量子阱红外探测器的探测率得到显著提升。
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公开(公告)号：CN100424896C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610118741.5
申请日：2006-11-24
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/111
摘要： 本发明公开了一种自增益长波量子阱红外探测器，该器件由双势垒共振隧穿结构和10个周期的多量子阱层构成。置于器件发射极端的双势垒共振隧穿结构可以有效控制注入载流子，从而达到减小器件暗电流，降低器件噪声，增强器件的光电流的目的。相比传统的50周期的长波量子阱红外探测器还大大简化了器件系统结构。
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公开(公告)号：CN100407465C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200610117009.6
申请日：2006-10-11
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/0304 , H01L29/20 , H01L21/20
摘要： 本发明公开了一种生长在Al2O3衬底上的复合缓冲层及制备方法，该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层、GaN层、InN:Mn层及InN过渡层。制备方法采用MBE生长方式，首先采用高温氮化技术在Al2O3表面形成AlN层；再分三步进行GaN层生长；进一步在GaN层上，生长InN:Mn层；再生长InN过渡层。由于Mn的扩散系数较大，在InN薄膜生长时掺入少量的Mn原子可以起到活性剂作用，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合，使得InN:Mn在GaN层上很快由三维变为二维生长。为防止Mn的扩散对于后续InN单晶薄膜的物理性质的影响，在生长好InN:Mn层后，再生长InN过渡层。最后，在AlN-GaN-InN:Mn-InN复合缓冲层的基础上就可生长高质量的InN单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN101055882A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710040613.8
申请日：2007-05-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/111
摘要： 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用GaAs基材料，交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒，利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测，利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱，AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒；对中波探测的InGaAs量子阱，AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒，并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度，除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅，在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。
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公开(公告)号：CN108646160B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201810314999.5
申请日：2018-04-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置和方法，该装置中包括试样表面处理模块，低温扫描电容显微测量模块，微分电容测量控制模块和红外光激发模块。待测材料在试样表面处理腔中经处理后，输送至低温扫描电容显微测量真空腔中的低温试样台上，分别在红外光激发和暗背景条件下进行微分电容显微分布的测量，最后将测得的微分电容信号差值，得到由光激发少数载流子引起的微分电容信号分布。本发明适用于多数窄禁带半导体材料，能够在接近工作状态下实现对材料中少数载流子分布的灵敏测量，空间分辨率足以解析红外光电功能结构中PN结等关键区域，对评估半导体材料特性、预测和优化器件性能有重要的意义。
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公开(公告)号：CN103681962B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310591009.X
申请日：2013-11-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法，该方法的核心工艺包括：竖直排列纳米线的旋涂包裹支撑、低温热处理、电极的配置等。该方法对于半导体纳米线的尺寸、力学强度等没有特殊要求，因而将不仅仅局限于常规的Si、ZnO等耐冲击材料体系的纳米线探测器制备，同时适于研发GaAs、InAs等III-V族以及其他材料体系的纳米线器件。另一方面所采用的低折射率旋涂介质以及低温热处理工艺等将有助于大幅提升纳米线器件的光电探测性能，这也是一直以来器件研发中所忽视的问题。该方法可以直接对外延生长的半导体纳米线进行器件制备，因此尤其适用于高灵敏度、大规模阵列型光电探测器的研发。
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