-
公开(公告)号：CN110115978A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910554088.4
申请日：2019-06-25
Applicant: 清华大学
IPC: B01J20/22 , B01J20/28 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/10
Abstract: 本发明公开了一种锰基吸附材料及其制备和应用。所述锰基吸附材料的制备方法包括如下步骤：1)将锰盐溶解在醇类溶剂中，形成透明溶液；2)将步骤1)中的透明溶液于室温下加入有机配体，转移至热反应釜中进行热合成反应；3)取热反应后生成的沉淀，洗涤烘干后，即得锰基吸附材料。本发明提供的锰基吸附材料的制备方法相对简单，磷砷吸附量巨大，并且具有良好的吸附动力学性能，可应用于污水厂尾水的深度除磷以及生态环境保护中的磷和砷的应急污染处理。
-
公开(公告)号：CN101777377B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201010034038.2
申请日：2010-01-12
Applicant: 清华大学
IPC: G11C7/12
Abstract: 本发明公开了属于集成电路设计制造技术领域的一种位线-板线合并结构的铁电存储器存储阵列。该发明基于位线平行于板线的铁电存储器(FeRAM)阵列架构，在铁电存储器阵列的每列加入传输管控制电路，并利用互补位线驱动时序，将位线和板线的功能合并。该方法使得存储单元在读写操作中能够充分利用互补的位线信号，而不需要专门的脉冲信号线；提高了铁电存储器读出和写入的速度、降低了存储阵列的功耗、减少了存储器外围电路的面积。
-
公开(公告)号：CN101908580A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010216949.7
申请日：2010-06-25
Applicant: 清华大学 , 张家港保税区华冠光电技术有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于光伏新能源材料技术领域的一种连续制备铜铟镓硒硫太阳能电池吸收层的工艺。首先制备CuInGa合金预制膜，再采用连续式硒化硫化炉对CuInGa合金预制膜进行硒化硫化。采用磁控溅射的方法制备CuInGa合金预制膜，实现了大面积、成分均匀的薄膜的制备；采用低毒性的固态硒源、硫源制备CIGSeS/CIGSe复合薄膜，避免使用剧毒硒源，提高了实验和生产的安全性；采用连续的硒化硫化工艺制备复合薄膜，提高了吸收层的质量，制备出具备S成分梯度分布的CIGSeS/CIGSe复合薄膜，形成沿厚度方向具有禁带梯度分布的吸收层，提高了对太阳光谱中能量的吸收，显著改善了CISe系太阳能电池的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN1298883C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200410000727.6
申请日：2004-01-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 接触角可调的Ag/TiO2复合薄膜及其制备方法，涉及半导体光生亲水性能技术领域。其特征是，该薄膜是一种在二氧化钛薄膜表面沉积有纳米尺度的银颗粒的复合薄膜。该薄膜的制备方法是首先采用反应磁控溅射制备二氧化钛薄膜，该方法能够有效控制薄膜晶体结构，提高了薄膜的亲水性能；然后在制备得到的二氧化钛薄膜上沉积具有纳米尺度的银颗粒，这样就制备得到能够在憎水和亲水之间自由调节的复合薄膜。Ag/TiO2复合薄膜是一种接触角在较大范围可变的薄膜材料，该薄膜在无紫外辐照的情况下表象为较强的憎水性能，可以用于防结雾场合；需要清理时可以用紫外辐照使其表面接触角大幅下降，利于清理；停止紫外辐照后此材料可以恢复其憎水性能。
-
公开(公告)号：CN1555989A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200410000007.X
申请日：2004-01-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种具有红外反射性能的汽车风挡玻璃及其制备方法涉及汽车风挡玻璃设计及制造技术领域，特别涉及具有节能隔热、防结雾功能的高档汽车风挡玻璃的设计及制造技术领域。其特征在于，在外层玻璃和PVB薄膜之间或在内层玻璃和PVB薄膜之间还含有一层半导体氧化物薄膜，半导体氧化物薄膜是掺有氧化锡的氧化铟薄膜、或者掺有氧化铝、氧化硅、氧化硼、氧化镝、氧化镓中的至少一种以上的氧化锌薄膜，掺杂的含量质量百分比总额为0.1％～10％。本发明还提出了制备该风挡玻璃的方法。本发明对可见光的透过率高于70％，对红外辐射反射率大于70％，使玻璃具有隔热性能，起到节能作用；有一定的防结雾能力，可在一定程度上保证风挡玻璃的清晰度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1367536A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN02104073.7
申请日：2002-03-08
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法,涉及半导体薄膜的制备和半导体薄膜器件的结构设计。本发明的特点是以n型硫化锌(ZnS)为窗口层,以铜铟镓硒P型半导体薄膜为吸收层,与ZnS形成ZnS/Cu(In,Ga)Se2p－n结,其金属背电极为钼－铜合金(Mo－Cu)。本发明以ZnS代替了ZnO等材料作为薄膜太阳能电池的窗口层,增大了吸收层的太阳光吸收光谱范围,同时避免了含重金属Cd的有害物质的使用;背电极采用Mo－Cu合金代替Mo,使得电池与衬底之间的结合更加牢固,提高了电池的成品率。因此,本发明具有结构简单,光的转换效率高、稳定性好,无污染,工艺简便等优点。
-
公开(公告)号：CN1354042A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN01134335.4
申请日：2001-10-31
Applicant: 清华大学 , 北京市中科凯澜科技发展有限公司
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/0036
Abstract: 一种二氧化钛光催化空气净化薄膜及其制备方法,其特征是利用磁控溅射在玻璃、金属、陶瓷等载体上形成二氧化钛光催化空气净化薄膜,使用纯金属钛靶材和氧气的直接合成,并利用弧抑制电源防止纯金属钛靶材的中毒。其中二氧化钛薄膜形成的晶粒可沿载体的垂直方向或水平方向成长,晶粒粒径为10～100纳米,薄膜的厚度为20～100纳米。二氧化钛薄膜是由单一锐钛矿相组成或单一金红石相组成或是由锐钛矿相和金红石相的混合相组成,其中锐钛矿占50%～98%,金红石相占2%～50%。这种薄膜可以有效的对有害气体如甲醛、苯酚等产生降解作用。
-
公开(公告)号：CN118893211A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410921527.1
申请日：2024-07-10
Applicant: 清华大学
IPC: B22F5/00 , C25B1/27 , C25B11/046 , B22F10/28 , B22F9/04 , B22F1/065 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B33Y80/00
Abstract: 本发明公开了一种3D打印铜镍合金电极的制备方法及应用，其包括如下步骤：1)混合的步骤：将微米球形铜粉和微米球形镍粉进行机械球磨，得到铜镍复合粉末；2)3D打印的步骤：将步骤1)中得到的铜镍复合粉末进行3D激光打印，得到3D打印铜镍合金电极；其中，所述微米球形铜粉和所述微米球形镍粉的质量比为1:(0.5～2)，所述铜镍合金电极表面具有非晶层。本发明的制备方法具有制备简单、结构可控等突出优点，不仅为硝酸盐还原合成氨绿色能源体系研究提供了思路，而且为设计新型的硝酸盐还原合成氨电极材料提供了借鉴意义。
-
公开(公告)号：CN115078483B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210730251.X
申请日：2022-06-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了一种用于显微镜观测的电化学反应器，所述电化学反应器包括：容器、待观测电极和对电极；所述待观测电极为薄片状的电极，所述待观测电极在所述容器中放置方式为：所述待观测电极在所述容器中的垂直投影面积最小的放置方式。使用本申请提供的反应器，可以实现空间分辨率为0.104μm和时间分辨率为0.47s的电极表面离子原位观测。
-
公开(公告)号：CN116397239A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310279418.X
申请日：2023-03-21
Applicant: 清华大学 , 北京首创生态环保集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种电化学污染物处理协同无膜产氢反应装置及方法。电化学污染物处理协同无膜产氢反应装置包括：制氢槽，制氢槽包括第一槽体、第一阴极、第一阳极和气体收集单元，第一槽体用于容纳电解质溶液、第一阴极和第一阳极；污染物降解槽，包括第二槽体、第二阴极和第二阳极，第二槽体用于容纳第二阴极和第二阳极；第二阴极与第一阳极串联连接，第二阳极用于氧化污染物；工作状态下，第一阴极析氢气，气体收集单元用于收集氢气，第一阳极的电极材料发生氧化反应。本申请可以省去设置质子交换膜，将制氢槽与污染物降解槽串联连接，一方面能进行废水处理，另一方面能提高制氢的效率，具有成本低、产氢效果好的优势，便于实际应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
104
records
(took 0.082 seconds)
