公开(公告)号：CN116840590A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310628180.7

申请日：2023-05-30

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 陈燕宁 ,  赵扬 ,  刘芳 ,  阎照文 ,  高杰 ,  成睿琦 ,  赵富裕

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R29/08

摘要： 本发明提供一种电磁环境电力芯片检测装置及系统，属于电磁特征采集领域，包括：室外电磁环境检测单元，设置在室外电磁环境中，用于检测电力设备的电磁环境，生成室外电磁信号；室内电磁环境复现单元，用于根据接收到的室外电磁信号在微波暗室内对室外电磁信号进行模拟；芯片电磁特征检测单元，包括电磁特征检测模块和高速采集卡，电磁特征检测模块用于检测设置在微波暗室内的样品芯片的电磁特征，生成电磁特征信号，高速采集卡与电磁特征检测模块连接，用于对接收到的电磁特征信号进行显示。通过本发明提供的装置，能够在实验室模拟真实环境的电磁场景，对芯片的电磁兼容性进行测试和评估，以确保设备能够在真实的电磁环境下正常工作。

公开(公告)号：CN116231314B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310464492.9

申请日：2023-04-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 高杰 ,  成睿琦 ,  陈燕宁 ,  赵扬 ,  曹波 ,  任强 ,  王琳 ,  朱慧 ,  杨小娟

IPC分类号： H01Q5/20 ,  G01R29/08 ,  H01Q5/10 ,  H01Q5/50 ,  H01Q1/00 ,  H01Q9/04

摘要： 本发明提供一种结合二维材料的电磁环境测量天线，属于无线电测量技术领域。所述结合二维材料的电磁环境测量天线，所述电磁环境测量天线包括：介质基板、微带馈线和辐射单元；所述辐射单元包括四个菱形环辐射贴片，四个菱形环辐射贴片呈阵列布置在所述介质基板上表面，每个菱形环辐射贴片与相邻的两个菱形环辐射贴片顶点相连；所述微带馈线设于介质基板上表面，与任意两个菱形环辐射贴片的连接处相连。该天线工作于太赫兹频段，天线的结构简单，该结构能产生双谐振频率，具有双频特性。

公开(公告)号：CN115939197B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310061014.3

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  刘春颖 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  鹿祥宾 ,  李君建

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN115863397B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202310056857.4

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；异质结延伸区，形成于漂移区的上表面，异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，漂移延伸层与碳化硅延伸层具有不同的导电类型，漂移延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于异质结延伸区的两侧；栅极，形成于体区之上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。

公开(公告)号：CN114966294B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210894078.7

申请日：2022-07-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  王立城 ,  赵扬 ,  仝傲宇 ,  成睿琦 ,  梁英宗 ,  林文彬 ,  林国栋 ,  李智诚

IPC分类号： G01R31/00 ,  G05B15/02

摘要： 本发明实施例提供一种电力设备的可靠性试验系统及控制方法、装置和介质，属于可靠性试验技术领域。高温老化箱，设置于试验室端，用于容纳预期进行可靠性试验的第一电力设备；控制装置，设置于试验室端并与所述高温老化箱连接，用于设置在高温老化箱内对所述第一电力设备进行可靠性试验的试验环境参数，并监测第一电力设备在基于试验环境参数的可靠性试验下的运行情况；采集装置，其设置于位于现场端的第二电力设备的箱体内，用于采集第二电力设备内部的参考环境参数，并将该参考环境参数提供给控制装置以使得控制装置基于参考环境参数设置试验环境参数。本发明对于第一电力设备的试验环境参数设置更贴近实际，试验结果更准确可靠。

公开(公告)号：CN115186503A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210892389.X

申请日：2022-07-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  王立城 ,  赵扬 ,  仝傲宇 ,  成睿琦 ,  梁英宗

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04

摘要： 本发明实施例提供一种设备寿命预测方法、装置及恒温加速试验系统，属于设备可靠性预测技术领域。设备寿命预测方法包括：获取设备中的各个电路板卡上的每个元器件对应于初始恒定温度的初始工作温度以及对应于第一恒定温度的第一工作温度；基于每个元器件的激活能、初始工作温度和第一工作温度，分别确定每个元器件的加速比；根据每个元器件的加速比和失效率，确定设备的加速比；以及根据从在第一恒定温度下开始对设备进行恒温加速试验至该设备中的任一电路板卡出现故障的试验时长和所确定的设备的加速比，预测设备的寿命。本发明实施例对设备寿命的预测更为精准可靠，并且无需试验大量样本，成本低，且适用性更强。

公开(公告)号：CN114896929A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210405357.2

申请日：2022-04-18

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  成睿琦 ,  赵扬 ,  付振 ,  刘芳

IPC分类号： G06F30/36

摘要： 本发明实施例提供一种有界波电磁脉冲模拟器设计方法及系统，属于电磁技术领域。所述有界波电磁脉冲模拟器沿x轴向包括脉冲源、前过渡段、平行板段、后过渡段和终端负载，所述方法包括：获取终端负载的阻抗匹配值；基于所述阻抗匹配值和预设特征阻抗图谱，获得有界波电磁脉冲模拟器的结构参数；基于所述结构参数进行有界波电磁脉冲模拟器的模拟构建，对应输出模拟构建方案。本发明方案实现了基于用户需求进行有界波电磁脉冲模拟器结构参数准确推理的想法，实现了隔离开关操作场景下电磁环境的精准复现。

公开(公告)号：CN118627291A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410747506.2

申请日：2024-06-11

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  梁英宗 ,  赵东艳 ,  刘芳 ,  池泊明 ,  朱亚星 ,  赵扬 ,  钱振华

IPC分类号： G06F30/20

摘要： 本发明提供一种掺杂浓度文件生成方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：获取新拓扑结构网格中的所有节点坐标；基于原拓扑结构网格中所有图形网格内的指定点坐标构建KD树；基于所述KD树搜索出所述新拓扑结构网格中的每个节点坐标在所述原拓扑结构网格对应的目标图形网格；基于每个所述目标图形网格的节点掺杂浓度对新拓扑结构网格中的每个节点坐标进行插值，得到新拓扑结构网格中的所有节点坐标的掺杂浓度，以形成新掺杂浓度文件。相比现有技术采用顺序遍历原有拓扑结构的三角形网格方式，过程效率低、耗时长。本发明采用KD树的方式建立原有图形网格的快速搜索，实现新拓扑结构网格的节点在原有拓扑结构网格上的快速定位。

公开(公告)号：CN118626374A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410745770.2

申请日：2024-06-11

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  梁英宗 ,  邓永峰 ,  刘芳 ,  池泊明 ,  朱亚星 ,  赵扬 ,  倪芳

IPC分类号： G06F11/36

摘要： 本发明提供一种图形用户界面程序的自动测试方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。其中方法包括：获取图形用户界面程序的测试用例中操作的控件坐标信息；基于测试用例中操作的控件坐标信息，编写自动化测试脚本；运行自动化测试脚本；重复执行以下步骤，直至所有测试任务测试结束：间隔预设时间周期获取图形用户界面的截图，以及提取截图中的多个测试任务的字符和每个测试任务对应的颜色状态；基于截图、多个测试任务的字符和每个测试任务的颜色状态，生成测试用例状态报告；基于测试用例状态报告确定所有测试任务的测试进程。本发明用以解决图形用户界面程序的测试过程中耗费大量的人力成本和时间成本的问题。

公开(公告)号：CN118610265A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202411082426.6

申请日：2024-08-08

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  吴波 ,  王凯 ,  邓永峰 ,  郁文 ,  刘倩倩

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体领域。晶体管包括：衬底，由下至上依次包括：第一衬底层、第一氧化层、重掺杂硅层及突出于重掺杂硅层的第二衬底层和第二氧化层；第二氧化层包括栅氧化层和场板氧化层，场板氧化层厚度大于栅氧化层厚度；重掺杂多晶硅层和第三氧化层形成于未被第二氧化层和第二衬底层覆盖的重掺杂硅层上；重掺杂多晶硅层、第三氧化层、形成于体区及部分漂移区底部的第二氧化层和重掺杂多晶硅层、体区及部分漂移区底部的重掺杂硅层作为第二栅极，剩余的重掺杂硅层和第二氧化层作为第二场板。本发明能够增加载流子流通通道，增大晶体管的工作电流。