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公开(公告)号：CN108259040A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810153781.6
申请日：2018-02-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法。该方法包括以下步骤：提供一种全差分SAR‑ADC，其包括多个电容，所述多个电容包括第一电容和第二电容，且所述多个电容的电压二阶系数值包括正数和负数；将满足特定条件的第一电容和第二电容进行并联从而使并联后的电容的电压二阶系数为0，所述特定条件为A1K1+A2K2＝0，其中A1为第一电容的电压二阶系数，A2为第二电容的电压二阶系数，K1是第一电容的理想电容值，K2是第二电容的理想电容值。该消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法能够消除或降低电容电压系数对全差分SAR‑ADC的性能影响，降低高精度SAR‑ADC的设计瓶颈。
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公开(公告)号：CN110380724B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201910682065.1
申请日：2019-07-26
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种RTC时钟频率温度补偿芯片，用于对晶体振荡器由于温度变化所引起的频率漂移进行补偿，RTC时钟频率温度补偿芯片包括：温度传感器、随机存储器、RTC电路。温度传感器用于检测环境温度，生成温度信号；随机存储器与温度传感器相连，其用于存储修调数据表，该修调数据表中存储了多个温度信号下所对应的频率校正值，随机存储器还用于根据温度传感器的温度信号索引出相应的频率校正值；RTC电路与晶体振荡器以及随机存储器均相连，用于根据随机存储器输出的频率校正值对晶体振荡器的频率进行校正。该RTC时钟频率温度补偿芯片能够降低对晶体振荡器的选型要求，以及降低片上的温度传感器的测温误差精度要求。
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公开(公告)号：CN108259040B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810153781.6
申请日：2018-02-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法。该方法包括以下步骤：提供一种全差分SAR‑ADC，其包括多个电容，所述多个电容包括第一电容和第二电容，且所述多个电容的电压二阶系数值包括正数和负数；将满足特定条件的第一电容和第二电容进行并联从而使并联后的电容的电压二阶系数为0，所述特定条件为A1K1+A2K2＝0，其中A1为第一电容的电压二阶系数，A2为第二电容的电压二阶系数，K1是第一电容的理想电容值，K2是第二电容的理想电容值。该消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法能够消除或降低电容电压系数对全差分SAR‑ADC的性能影响，降低高精度SAR‑ADC的设计瓶颈。
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公开(公告)号：CN109743032B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201910015848.4
申请日：2019-01-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江西省电力有限公司
IPC分类号： H03F3/45
摘要： 本发明公开了一种具有共模反馈控制电路的反相伪全差分放大器以及保持输出共模电平稳定的方法，该反相伪全差分放大器包括伪全差分运算电路和共模反馈控制电路。伪全差分运算电路包括反相器放大器(2)和(3)，反相器放大器(2)和(3)分别具有第一反馈控制端子和第二反馈控制端子。共模反馈控制电路的输入端分别与反相器放大器(2)和(3)的输出端相连，用于检测反相器放大器(2)和(3)的共模输出电压，共模反馈控制电路的输出端分别与第一反馈控制端子和第二反馈控制端子相连，用于对反相器放大器(2)和(3)形成共模反馈从而保持共模输出电平的稳定。该反相伪全差分放大器能够在低压低功耗的应用场合下保持输出共模电平的稳定。
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公开(公告)号：CN108365847B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201711483390.2
申请日：2017-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03M1/14
摘要： 本发明公开了一种针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法，所述电荷型SAR‑ADC包括LSB电容阵列，将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连，第一补偿电路的另一端接任意恒定电位，第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cdl＇并联组成，通过调节第一补偿电路来调节SAR‑ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu，共L位，从低位到高位分别以2倍的关系递增，最高位电容值为2L‑1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时，则如下关系式成立：CLt＝(2L‑1)·Cu+Cdl+Cdl＇。所述针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度，特别适合高精度ADC的设计。
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公开(公告)号：CN108365847A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201711483390.2
申请日：2017-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03M1/14
摘要： 本发明公开了一种针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法，所述电荷型SAR-ADC包括LSB电容阵列，将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连，第一补偿电路的另一端接任意恒定电位，第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cd＇l并联组成，通过调节第一补偿电路来调节SAR-ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu，共L位，从低位到高位分别以2倍的关系递增，最高位电容值为2L-1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时，则如下关系式成立：CLt＝(2L-1)·Cu+Cdl+Cd＇l。所述针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度，特别适合高精度ADC的设计。
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公开(公告)号：CN108446556B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201810170549.3
申请日：2018-03-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司信息通信分公司
IPC分类号： G06F21/55
摘要： 本发明公开了一种密码芯片的抗功耗分析电路。其包括：电源模块和功耗补偿模块。电源模块用于对所述抗功耗分析电路的输入电压VCC进行稳压且对所述密码芯片的内部工作电路提供稳定电压。功耗补偿模块用于检测所述电源模块的功耗变化并且产生一路与电源模块功耗变化相反的电流，使得所述与电源模块功耗变化相反电流的电流值与所述电源模块的电流值相加的和是一个与所述内部电路工作状态无关的常数电流值。基于所述常数电流值抵抗功耗分析攻击。所述密码芯片的抗功耗分析电路的硬件实现简单且抗功耗分析攻击能力强，大大减少了成本，提高了密码芯片的安全性。
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公开(公告)号：CN110380724A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910682065.1
申请日：2019-07-26
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种RTC时钟频率温度补偿芯片，用于对晶体振荡器由于温度变化所引起的频率漂移进行补偿，RTC时钟频率温度补偿芯片包括：温度传感器、随机存储器、RTC电路。温度传感器用于检测环境温度，生成温度信号；随机存储器与温度传感器相连，其用于存储修调数据表，该修调数据表中存储了多个温度信号下所对应的频率校正值，随机存储器还用于根据温度传感器的温度信号索引出相应的频率校正值；RTC电路与晶体振荡器以及随机存储器均相连，用于根据随机存储器输出的频率校正值对晶体振荡器的频率进行校正。该RTC时钟频率温度补偿芯片能够降低对晶体振荡器的选型要求，以及降低片上的温度传感器的测温误差精度要求。
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公开(公告)号：CN108446556A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810170549.3
申请日：2018-03-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司信息通信分公司
IPC分类号： G06F21/55
摘要： 本发明公开了一种密码芯片的抗功耗分析电路。其包括：电源模块和功耗补偿模块。电源模块用于对所述抗功耗分析电路的输入电压VCC进行稳压且对所述密码芯片的内部工作电路提供稳定电压。功耗补偿模块用于检测所述电源模块的功耗变化并且产生一路与电源模块功耗变化相反的电流，使得所述与电源模块功耗变化相反电流的电流值与所述电源模块的电流值相加的和是一个与所述内部电路工作状态无关的常数电流值。基于所述常数电流值抵抗功耗分析攻击。所述密码芯片的抗功耗分析电路的硬件实现简单且抗功耗分析攻击能力强，大大减少了成本，提高了密码芯片的安全性。
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公开(公告)号：CN206991158U
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201720932378.4
申请日：2017-07-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
摘要： 本实用新型公开了一种具有高安全特性的高速芯片时钟发生器，其包含：晶体振荡器、多条键合线以及SOC芯片。晶体振荡器用以提供低频时钟信号；SOC芯片与晶体振荡器采用多芯片封装技术封装到一个封装管壳腔体中，且SOC芯片包含：锁相环模块，其通过多条键合线与晶体振荡器连接，且锁相环模块接收晶体振荡器的低频时钟信号；其中，锁相环模块将低频时钟信号倍频至高频时钟信号，并将高频时钟信号提供给SOC芯片作为基本工作时钟。借此，本实用新型的具有高安全特性的高速芯片时钟发生器，时钟信号具有较小的抖动，时钟质量可靠。
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