公开(公告)号：CN110299299A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910602633.2

申请日：2019-07-05

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 单书珊 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  赵扬 ,  潘成

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/68

摘要： 本发明公开了一种基于手动绑线机的高密度封装芯片失效定位方法，包括如下步骤：S1：提供COB转接板，并对转接板进行开窗预处理；S2：提供透明薄载玻片；S3：将芯片背面开封或者正面开封，露出硅基面；S4：将芯片的开封面朝向载波片，并进行粘接固定；S5：芯片粘接固定后将透明薄载玻片粘到转接板的开窗部位，使得硅基面朝向待观测面；S6：设置绑线机参数；S7：使用绑线机将芯片的待测针脚与转接板的指定管脚相连接；以及S8：使用EMMI定位芯片失效位置。本发明的高密度封装芯片失效定位方法克服了直接开封测试法中由许多类型封装无外延针脚无法测试问题，也可以规避芯片取die直测法无法背面定位的问题，同时具备价格低廉、使用范围广的优点。

公开(公告)号：CN107564829A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710734193.7

申请日：2017-08-24

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司

发明人： 蔡斌 ,  李建强 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  乔彦彬 ,  赵扬 ,  刘晓昱

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。

公开(公告)号：CN108922861A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810456357.9

申请日：2018-05-14

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力有限公司 ,  中国电力科学研究院有限公司

发明人： 赵扬 ,  祝金会 ,  张海峰 ,  孙辰军 ,  陈燕宁 ,  赵明敏 ,  李建强 ,  袁远东

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95

摘要： 本发明公开了一种基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法。该集成电路修补装置包括红外成像定位单元和集成电路修补单元。红外成像定位单元用于对被测的集成电路进行失效点定位。集成电路修补单元用于对所述失效点进行电路修补。所述基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法能够对集成电路无损伤地进行失效点的快速精准定位且能够观察到集成电路的内部结构，提高失效定位成功率以及修补效率。

公开(公告)号：CN107564829B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201710734193.7

申请日：2017-08-24

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司

发明人： 蔡斌 ,  李建强 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  乔彦彬 ,  赵扬 ,  刘晓昱

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。

公开(公告)号：CN108922861B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201810456357.9

申请日：2018-05-14

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力有限公司 ,  中国电力科学研究院有限公司

发明人： 赵扬 ,  祝金会 ,  张海峰 ,  孙辰军 ,  陈燕宁 ,  赵明敏 ,  李建强 ,  袁远东

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95

摘要： 本发明公开了一种基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法。该集成电路修补装置包括红外成像定位单元和集成电路修补单元。红外成像定位单元用于对被测的集成电路进行失效点定位。集成电路修补单元用于对所述失效点进行电路修补。所述基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法能够对集成电路无损伤地进行失效点的快速精准定位且能够观察到集成电路的内部结构，提高失效定位成功率以及修补效率。

公开(公告)号：CN107132472B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201710372213.0

申请日：2017-05-23

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 单书珊 ,  赵扬 ,  王继业 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  张海峰 ,  赵东艳

IPC分类号： G01R31/307 ,  H01L21/311

摘要： 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。

公开(公告)号：CN108267348A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201711479741.2

申请日：2017-12-29

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 乔彦彬 ,  李建强 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  赵扬 ,  刘亮 ,  马强 ,  窦海啸 ,  杨苗苗 ,  张萌

IPC分类号： G01N1/28 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种IC产品的样品截面的纳米级高精度制备方法，包括如下步骤：S1.将所述IC产品的样品注塑或者粘贴在陪片上，得到待研磨样品，对待研磨样品进行初步观察，并对待测区域进行标记；S2.采用粗砂纸对待研磨样品进行粗磨处理，得到粗磨样品；S3.确认粗磨样品的最终研磨位置和样品状态；S4.若样品状态不符合试验需求，则采用细砂纸对粗磨样品进行精磨处理；S5.对符合试验需求的细磨样品或粗磨样品进行清洗、吹干处理，得到待FIB处理样品；S6.将待FIB处理样品放置于FIB样品室中，调整FIB设备的样品台高度和旋转角度；S7.调整FIB设备的电压和电流参数进行截面精修处理，完成样品截面制备。本发明的制备方法效率高，精度高，截面样品辨识度可达纳米级。

公开(公告)号：CN115939197B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310061014.3

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  刘春颖 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  鹿祥宾 ,  李君建

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN115863397B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202310056857.4

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；异质结延伸区，形成于漂移区的上表面，异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，漂移延伸层与碳化硅延伸层具有不同的导电类型，漂移延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于异质结延伸区的两侧；栅极，形成于体区之上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。

公开(公告)号：CN114966294B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210894078.7

申请日：2022-07-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  王立城 ,  赵扬 ,  仝傲宇 ,  成睿琦 ,  梁英宗 ,  林文彬 ,  林国栋 ,  李智诚

IPC分类号： G01R31/00 ,  G05B15/02

摘要： 本发明实施例提供一种电力设备的可靠性试验系统及控制方法、装置和介质，属于可靠性试验技术领域。高温老化箱，设置于试验室端，用于容纳预期进行可靠性试验的第一电力设备；控制装置，设置于试验室端并与所述高温老化箱连接，用于设置在高温老化箱内对所述第一电力设备进行可靠性试验的试验环境参数，并监测第一电力设备在基于试验环境参数的可靠性试验下的运行情况；采集装置，其设置于位于现场端的第二电力设备的箱体内，用于采集第二电力设备内部的参考环境参数，并将该参考环境参数提供给控制装置以使得控制装置基于参考环境参数设置试验环境参数。本发明对于第一电力设备的试验环境参数设置更贴近实际，试验结果更准确可靠。