公开(公告)号：CN105226190B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201510536105.3

申请日：2015-08-27

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 谭占鳌 ,  郭强 ,  程泰 ,  李聪 ,  乔文远 ,  王福芝 ,  戴松元

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种平面异质结钙钛矿太阳能电池，所述平面异质结钙钛矿太阳能电池包括电子传输层，所述电子传输层是由n‑型共轭聚合物材料制备得到的。本发明的钙钛矿太阳能电池中，钙钛矿材料吸收太阳光产生激子并分离出空穴和电子。本发明将PX‑PDI用于钙钛矿太阳能电池的电子传输层，收集和传输电子，显著提高了器件性能。所述电子传输层的制备工艺简单，无需高温过程，成本低廉，实验重复性好，适用于大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN105470400B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510802508.8

申请日：2015-11-19

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 谭占鳌 ,  郭强 ,  王志斌 ,  李聪 ,  王福芝 ,  戴松元

IPC: H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明属于钙钛矿光电材料与器件技术领域，特别涉及一种钙钛矿膜的制备方法和应用。所述钙钛矿膜的制备方法为：将铅源和胺盐分别溶于有机溶剂中，得到铅源前驱体溶液和胺盐前驱体溶液；将上述两种前驱体溶液分别旋涂于两个基底上，加热除去溶剂，得到均匀的膜；将两片膜对贴，中间用垫片隔开，并形成近距离空间，真空加热使胺盐升华与铅源反应，得到钙钛矿膜。该方法可用于制备钙钛矿太阳电池的钙钛矿膜和钙钛矿发光器件的钙钛矿膜。与传统的一步法和两步法相比，采用本方法制备的钙钛矿层具有更好的形貌，适合于制备大面积的光电器件，应用到器件中显著地提高了器件的性能和实验的批次重复性。

公开(公告)号：CN103325947A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310190036.6

申请日：2013-05-21

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 谭占鳌 ,  徐琦 ,  李良杰 ,  王福芝

IPC: H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了属于聚合物太阳能电池材料领域的乙酰丙酮钌对聚合物太阳能电池阳极进行修饰的方法。在透明导电阳极上通过溶液加工的方法（如旋涂）加工乙酰丙酮钌与溶剂的混合溶液，经热退火，紫外臭氧处理，得到阳极修饰层。将乙酰丙酮钌膜作为阳极修饰层，可以有效的实现空穴的收集，提高ITO的功函，在聚合物太阳能电池中表现出优异的性能。此外，该修饰层成本低廉，制备工艺简单，重复性好，特别适用于卷对卷等大规模制备工艺。