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公开(公告)号：CN115010380B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210948795.3
申请日：2022-08-09
申请人： 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能新能源股份有限公司
IPC分类号： C03C17/34 , H01L31/054 , C03C17/42
摘要： 本发明提供了一种基于无序光子晶体的光伏玻璃的制备方法，包括以下步骤：清洗基底；在20nm~2μm的粒径范围内，选择3~10种阶梯粒径的微球与溶剂混合，得到悬浊液；所述微球选自聚苯乙烯、二氧化硅或聚甲基丙烯酸甲酯；采用所述悬浊液处理清洗后的基底，沉积后得到光伏玻璃。本发明提供了一种基于无序光子晶体的彩色光伏玻璃的制备方法，其在基底表面沉积了不同粒径分布的微球，通过粒径呈梯度分布的微球，使得光伏玻璃仅显示与入射角无关的单一结构色，其次利用小粒径微球的填充效果，减少了缺陷，提升了显色效果。
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公开(公告)号：CN115028602A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210948587.3
申请日：2022-08-09
申请人： 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能新能源股份有限公司
IPC分类号： C07D285/14 , C09K11/06 , H01L51/42 , H01L51/46
摘要： 本发明提供了一种可用于空穴传输层的星型分子及其制备方法和应用，所述可用于空穴传输层的星型分子具有式Ⅰ所示结构。本发明提供的星型分子具有支化结构，分子末端为有角锥形构象的三苯胺分子，分子中心核——三苯胺和苯并噻二唑通过碳‑碳三键相连，分子中的苯并噻二唑单元上具有取代基团；所述星型分子同时具备高空穴迁移率和易溶液加工的特性，可应用于钙钛矿太阳能电池中，有效提高电池的发光效率。。
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公开(公告)号：CN115010380A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210948795.3
申请日：2022-08-09
申请人： 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能新能源股份有限公司
IPC分类号： C03C17/34 , H01L31/054 , C03C17/42
摘要： 本发明提供了一种基于无序光子晶体的光伏玻璃的制备方法，包括以下步骤：清洗基底；在20nm~2μm的粒径范围内，选择3~10种阶梯粒径的微球与溶剂混合，得到悬浊液；所述微球选自聚苯乙烯、二氧化硅或聚甲基丙烯酸甲酯；采用所述悬浊液处理清洗后的基底，沉积后得到光伏玻璃。本发明提供了一种基于无序光子晶体的彩色光伏玻璃的制备方法，其在基底表面沉积了不同粒径分布的微球，通过粒径呈梯度分布的微球，使得光伏玻璃仅显示与入射角无关的单一结构色，其次利用小粒径微球的填充效果，减少了缺陷，提升了显色效果。
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公开(公告)号：CN114464740A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210121932.6
申请日：2022-02-09
申请人： 华能新能源股份有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
摘要： 本申请提供一种太阳能电池器件及其制造方法，在衬底上可以形成透明导电膜层，对透明导电膜层进行刻蚀可以得到刻蚀槽，在刻蚀槽中可以形成金属结构，透明导电膜层和金属结构可以作为下电极，之后可以在透明导电膜层上依次形成功能层和上电极，功能层用于产生和传输光生载流子。本申请实施例中，金属结构的存在降低了下电极的电阻，从而使下电极具有较高的载流子收集效率，且由于金属结构设置在刻蚀槽中，形成的下电极具有较为平整的上表面，利于通过简易的操作得到较为均匀的功能层和上电极，因此可以利用简易的操作得到高性能的器件。
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公开(公告)号：CN114171683A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111469664.9
申请日：2021-12-03
申请人： 华能新能源股份有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池，包括依次接触的衬底、DMD电极层、钙钛矿层、电荷传输层和电极层；所述DMD电极层包括依次接触的第一电介质层、金属层和第二电介质层；所述第一电介质层包括氧化锡、氧化钛、氧化锌、氧化钨、氧化钼和氧化镍中的一种或几种；所述第二电介质层包括氧化锡、氧化钛、氧化锌、氧化钨、氧化钼和氧化镍中的一种或几种；所述金属层包括金、银、铜和铝中的一种或几种。本发明在衬底上沉积DMD层，省去了前端电荷传输层的制备，且具有更优的导电性和适当的能级结构，在保证传输电荷作用的前提下，提高了电池的透过率、降低了电阻率并保证了衬底的柔性。本发明还提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN114005943A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111469635.2
申请日：2021-12-03
申请人： 华能新能源股份有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种双面受光的钙钛矿太阳能光伏组件，包括依次接触的衬底、第一电荷传输层、钙钛矿层、第二电荷传输层和DMD电极层；所述DMD电极层包括依次接触的第一电介质层、金属层和第二电介质层；所述第一电介质层包括氧化锡、氧化钛、氧化锌、氧化钨、氧化钼和氧化镍中的一种或几种；所述第二电介质层包括氧化锡、氧化钛、氧化锌、氧化钨、氧化钼和氧化镍中的一种或几种；所述金属层包括金、银、铜和铝中的一种或几种。本发明中的DMD电极兼具高透过率和低电阻，在实现双面透光的基础上，还能够提高钙钛矿太阳能光伏组件的光电转换效率。本发明还提供了一种双面受光的钙钛矿太阳能光伏组件的制备方法。
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公开(公告)号：CN113937191A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111542313.6
申请日：2021-12-16
申请人： 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能新能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L51/48 , H01L51/42
摘要： 本申请提供一种器件的制造方法，待处理衬底上可以形成透明导电膜层，透明导电膜层上形成有有机涂层，在栅线区域形成有贯穿有机涂层的刻蚀槽，形成覆盖有机涂层和刻蚀槽的导电材料层，利用激光刻蚀的方式，对有机涂层上的导电材料层进行刻蚀，以暴露有机涂层，利用有机溶剂溶解有机涂层，可以去除有机涂层和有机涂层上的导电材料层，形成位于栅线区域的导电栅线，在利用有机溶剂溶解有机涂层时，有机溶剂与未被导电材料层覆盖的有机涂层接触，脱模效率较高，提高栅线的制造效率。
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公开(公告)号：CN113915971A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111497140.0
申请日：2021-12-09
申请人： 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能新能源股份有限公司
摘要： 本申请提供一种真空闪蒸系统及真空闪蒸方法，包括：工艺腔室和至少一个预抽腔室，工艺腔室用于放置待闪蒸基片，工艺腔室和预抽腔室相互连接，工艺腔室和预抽腔室的连接口处具有真空阀门，预抽腔室的气压值低于工艺腔室的气压值，预抽腔室的体积大于工艺腔室的体积，当真空阀门处于打开状态时，工艺腔室和预抽腔室连通，由于预抽腔室的体积大于工艺腔室且预抽腔室的气压小于工艺腔室，工艺腔室的气压值迅速降低，相较于将待闪蒸基片先放入工艺腔室，再抽真空去除溶剂的长耗时而言，利用已经预先抽好真空的预抽腔室，能够缩短工艺腔室中气压值的降低时间，以缩短去除膜层中残留溶剂的时间，提升残留溶剂去除效果，降低半导体器件制造成本。
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公开(公告)号：CN113889554A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111461228.7
申请日：2021-12-03
申请人： 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能新能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L51/42 , H01L51/48
摘要： 本申请提供一种太阳能电池器件及其制造方法，提供基底，基底上形成有下电极材料层，在下电极材料层上形成功能材料层，在功能材料层上形成上电极材料层，第一刻划线、第二刻划线和第三刻划线的位置根据功能材料层的电致发光亮度分布确定，使多个电池单元的电致发光亮度之差小于或等于预设值。也就是说，本申请实施例中，对太阳能电池器件的刻划不再采用均匀刻划的方式，而是根据功能材料层的电致发光亮度确定，从而使各个电池单元的电致发光亮度接近，从而使各个电池单元具有接近的光电转化性能，能够兼容难以实现均匀成膜的工艺，避免各个电池单元差异较大而导致的串联后性能较差以及可靠性较低的问题。
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公开(公告)号：CN113871537A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110977575.9
申请日：2021-08-24
申请人： 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能新能源股份有限公司
摘要： 本申请提供一种器件的制备方法，在衬底上形成太阳能电池层，在太阳能电池层远离衬底的一侧形成光刻胶层，在光刻胶层远离衬底的一侧覆盖有掩膜版，掩膜版具有栅线形状图案；在掩膜版的遮掩下进行曝光，以在光刻胶层中形成曝光区域，显影溶液中洗去曝光区域的光刻胶层，形成显影槽，在显影槽内和光刻胶层远离衬底的一侧形成金属层，对光刻胶层和金属层进行冷热循环，以使显影槽侧壁的金属层断裂，形成断裂口，去除光刻胶层和光刻胶层远离衬底一侧的金属层。即通过冷热循环使显影槽侧壁的金属层断裂，让光刻胶层表面的金属层和显影槽内的金属栅线断开，可促进有机溶剂和光刻胶的接触，提高脱膜效率，同时防止脱膜工序中将栅线去除，提高器件性能。
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