公开(公告)号：CN116626048A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310603247.1

申请日：2023-05-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 程健 ,  徐文才 ,  赵林杰 ,  陈广 ,  陈明君 ,  丁雯钰 ,  雷鸿钦

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/01 ,  G01Q60/24

Abstract: 本发明提供了一种KDP晶体表层微纳缺陷光学成像粗检与AFM扫描精检的双工位检测装置及检测方法，属于KDP晶体缺陷检测技术领域。为了解决现有KDP晶体检测时难以对20μm以下的缺陷进行精准定位，利用更为精细的检测装置时检测效率较低的问题。通过双工位检测装置能够实现对缺陷的粗定位和精细定位，相对于仅粗定位来说，检测到的缺陷更精确，相对于仅精细定位来说，检测效率更佳，二者的结合既能实现精准定位又能提高检测速度；本装置能够实现KDP晶体表面2μm‑20μm大小的缺陷原位检测，无需手工检测，实现了全自动检测，且控制精度高。

公开(公告)号：CN116408482A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310616295.4

申请日：2023-05-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 程健 ,  雷鸿钦 ,  陈继祥 ,  张紫晓 ,  陈广 ,  陈明君 ,  赵林杰 ,  王景贺 ,  丁雯钰

IPC: B23C3/00

Abstract: 本发明一种确定KDP晶体表面缺陷全塑性域微铣削修复工艺参数的方法，涉及光学元件加工领域，为解决现有方法未建立多种铣削方式下的最大未变形切削厚度模型，且并未考虑表面缺陷对未变形切削厚度的影响的问题。包括如下步骤：步骤一、测量KDP晶体表面缺陷的深度；步骤二、选择球头微铣削修复工艺参数；步骤三、分别构建正铣、负铣，顺铣和逆铣四种铣削模式下的最大未变形切削厚度模型并计算；步骤四、调整修复工艺参数，至各个铣削方式的最大未变形铣削厚度均小于脆塑转变临界切削深度；步骤五、确定表面缺陷全塑性域修复工艺参数。本发明以最大未变形切削厚度模型分析结果为基础对KDP晶体全塑性域微铣削修复工艺参数进行确定，可提高修复表面质量。