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公开(公告)号：CN117586021A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311537668.5
申请日：2022-08-23
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料化学式为(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2/TmB4。本发明制备的(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2/TmB4粉体和块体的相结构中含有(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2和TmB4两种相结构。将所得材料进行静态氧化测试，Tm与其他金属元素生成的氧化物形成连续的氧化层，封填了空隙，得到高致密度的氧化层，可以有效阻止氧气进入，降低了氧化的速率。因此，本发明制备的高熵金属二硼化物复合相材料具有优异的抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN117568733A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311554794.1
申请日：2023-11-21
Applicant: 北京飞航捷迅物资有限责任公司 , 北京理工大学
IPC: C23C4/08 , C23C4/10 , C23C4/134 , C04B35/488 , C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种超高温抗氧化耐烧蚀陶瓷涂层及其制备方法，涉及涂层加工技术领域。本发明是在基体表面依次涂覆金属黏结层、陶瓷内层、陶瓷过渡层和陶瓷外层；所述金属黏结层的厚度为0.05～0.20mm；所述陶瓷内层的厚度为0.30～0.80mm；所述陶瓷过渡层的厚度为0.05～0.30mm；所述陶瓷外层的厚度为0.20～0.80mm。本发明陶瓷内层、陶瓷过渡层以及陶瓷外层的原料粉均是经过感应等离子球化技术进行致密化处理，再利用大气等离子喷涂技术将致密化处理后的粉体喷涂在基体上，形成多层陶瓷涂层，以提高钨铜基体材料的耐高温、抗氧化、耐烧蚀性。
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公开(公告)号：CN117483205A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311319147.2
申请日：2023-10-12
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种聚合物褶皱表面的原位制备方法，属于有机高分子材料技术领域。聚合物涂层和烷基三氯硅烷在密闭空间内进行气相反应，烷基三氯硅烷扩散进入聚合物涂层中，在聚合物交联网络间发生水解然后自身聚合或与聚合物中的羟基反应，导致聚合物体积膨胀。因为烷基三氯硅烷扩散进入聚合物涂层存在一定的阻力，所以聚合物涂层越深处扩散进入的烷基三氯硅烷浓度越低。烷基三氯硅烷在聚合物涂层纵向上形成浓度梯度，即聚合物在纵向上产生体积膨胀梯度，进而表面失稳产生褶皱结构。
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公开(公告)号：CN114715907B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210272743.9
申请日：2022-03-18
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B35/04 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种单相高熵金属二硼化物及其制备方法，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高熵金属二硼化物化学式简记为HE TMScB2，TM为Hf、Zr、Nb和Ta，Sc的原子摩尔比为x，TM中的四种元素为等原子摩尔比且原子摩尔比之和为1‑x，0.1≤x≤0.3；可以在1600℃以上制备得到该高熵金属二硼化物的单相粉体，并且该粉体不需要细化粒径以及不需要添加烧结助剂就可以烧结得到致密度在90％以上的块体，力学性能优异，制备工艺易于操作，制备成本低，适宜工业推广。
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公开(公告)号：CN114438434B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210030365.3
申请日：2022-01-12
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种多层高反射率隔热涂层及其制备方法，具体涉及一种Y2O3‑Al2O3/YSZ/NiCrCoAlY三层结构涂层制备方法，属于新材料领域。本发明制的涂层为三层结构，底层为金属层，中间为YSZ，顶层为Y2O3‑Al2O3；顶层的Y2O3‑Al2O3通过大气等离子喷涂方式制备在YSZ层上。本发明采用等离子喷涂制备，顺序按照NiCrCoAlY/YSZ/Y2O3‑Al2O3顺序制备，其热膨胀系数逐层递减，形成压应力，抑制裂纹生长，层间结合力强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115304382A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211011055.3
申请日：2022-08-23
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种新型四元高熵金属二硼化物及其制备方法，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高熵金属二硼化物化学式记为(Hf0.25Zr0.25Ta0.25Sc0.25)B2，其中Hf，Zr，Ta和Sc金属元素为等摩尔比，摩尔比总和为1；(Hf0.25Zr0.25Ta0.25Sc0.25)B2处理具有优异的相稳定性，优异的力学性能外，(Hf0.25Zr0.25Ta0.25Sc0.25)B2的热导率仅有13.9W·m‑1·K‑1，比传统HfB2，ZrB2降低了86.7％，76.8％。因此，(Hf0.25Zr0.25Ta0.25Sc0.25)B2适宜在超高温隔热领域推广应用。
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公开(公告)号：CN115304381A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211011048.3
申请日：2022-08-23
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料化学式简记为(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2/TmB4，元素组成为Hf、Zr、Ta、Nb、Tm以及B六种元素。制备得到的(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2/TmB4的粉体和块体的相结构中包括(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2和TmB4两种相结构。(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2/TmB4块体进行静态氧化测试后，Tm元素与其他金属元素生成的氧化物形成了连续的氧化层，封填了空隙，获得了高致密度的氧化层，可以有效阻止氧气的进入，降低(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2/TmB4氧化的速率。因此，本发明涉及的高熵金属二硼化物复合相材料具有优异的抗氧化性能，可以在超高温领域应用。
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公开(公告)号：CN115159990A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211023733.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C01B35/04
Abstract: 本发明涉及一种高韧性高熵金属二硼化物，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高韧性高熵金属二硼化物材料化学式记为(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2，元素组成为Hf、Zr、Ta、Sc、Tm以及B六种元素。制备得到的(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Sc0.2Tm0.2)B2的粉体和块体的相结构中主要为AlB2型结构，含有少量TmB4相结构。(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2除了具有较高的硬度和强度外，由于由于Tm原子的加入，导致共价键的减弱改善了高熵金属二硼化物的脆性，显著提高了金属硼化物的断裂韧性(8.25MPa·m1/2)，比HfB2(4MPa·m1/2)，ZrB2(4MPa·m1/2)，NbB2(4.5MPa·m1/2)等传统金属二硼化物高出约83％。因此，本发明涉及的(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Sc0.2Tm0.2)B2可以显著改善金属二硼化物的韧性，并且制备工艺简单，适合工业推广应用。
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公开(公告)号：CN114065628A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111362556.1
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种辅助激光防护涂层选材及设计方法和系统。本发明通过采用神经网络模型，基于现有的实验数据和先验知识构建得到激光防护涂层选材方案，具有预测速度快、精确度较高和成本低等优点。再利用激光防护涂层选材方案指导涂层设计开发，将大大缩短材料的设计开发周期，降低材料研发成本。
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