半导体氧化物材料、O3传感器、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116395736B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310674670.0

    申请日:2023-06-08

    Abstract: 本申请涉及一种半导体氧化物材料、O3传感器、制备方法及应用。该制备方法包括以下步骤:制备包括铟离子和水的前驱体A溶液;其中,前驱体A溶液还包括螯合剂和pH调节剂;将掺杂离子溶液与前驱体A溶液混合,制备得到前驱体混合溶液;其中,掺杂离子溶液含有掺杂离子和水,掺杂离子包括三价铁离子、四价锡离子和五价锑离子中的一种或多种;将前驱体混合溶液于120℃~150℃进行水热反应,进行包括固液分离、水洗和醇洗的步骤,干燥,制备得到中间体固态物;将中间体固态物于380℃~420℃进行煅烧处理,制备得到半导体氧化物材料。该制备方法操作简单、成本低廉,且过程仅使用去离子水和无水乙醇作为溶剂,环保无污染。

    HCl传感器、掺杂的碳纳米管材料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116609401A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310896795.8

    申请日:2023-07-21

    Abstract: 本申请涉及一种HCl传感器、掺杂的碳纳米管材料、制备方法及应用。该HCl传感器包括催化膜层和气敏膜层;催化膜层包含催化剂材料,催化剂材料选自分子筛材料;该气敏膜层包含掺杂的碳纳米管材料,掺杂碳纳米管材料包含Gd2O3掺杂的CNTs材料。HCl的制备方法包括采用加热回流制备得到改性碳纳米管、水热法制备得到Gd2O3粉末,在通过球磨、微喷获得Gd2O3掺杂的CNTs,并作为气敏膜层的活性成分;将气敏膜层和催化膜层依次设置于传感器芯片上得到该HCl传感器。该HCl传感器包含催化膜层和气敏膜层,可以实现对HCl气体的低浓度检测,对HCl气体的选择性高且受水蒸气的影响小。

    基于智能绝缘子的非侵入式电压测量方法和装置

    公开(公告)号:CN115932378A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211427995.0

    申请日:2022-11-15

    Abstract: 本申请涉及一种基于智能绝缘子的非侵入式电压测量方法和装置。所述方法包括:响应于集中器和智能绝缘子初始化完成的触发条件,监听挂接有待测输电线的智能绝缘子串所广播的组网请求指令,在监听到组网请求指令的情况下,与发出该组网请求指令的智能绝缘子建立通信连接,在成功与智能绝缘子串中所有智能绝缘子建立通信连接的情况下,发送监测指令至智能绝缘子串中的各智能绝缘子,根据各智能绝缘子返回的电压监测数据,确定待测输电线对应的电压测量结果。采用本方法能够利用智能绝缘子串分别监测各智能绝缘子对应的电压,及时获取智能绝缘子串对应的电压监测数据,进而得到待测输电线对应的电压测量结果,提高电力系统中电压的测量效率。

    一种基于石墨烯磁场感应阵列结构磁阻传感器

    公开(公告)号:CN115754847A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211433320.7

    申请日:2022-11-16

    Abstract: 本发明涉及磁阻传感器领域,且公开了一种基于石墨烯磁场感应阵列结构磁阻传感器,包括石墨烯磁场感应阵列结构层、介质结构和石墨烯感应电荷层,介质结构位于石墨烯磁场感应阵列结构层和石墨烯感应电荷层之间,石墨烯磁场感应阵列结构层为石墨烯磁场感应圆形排布阵列结构层或者石墨烯磁场感应矩形排布阵列结构层,该基于石墨烯磁场感应阵列结构磁阻传感器,石墨烯磁场感应圆形排布阵列结构层与石墨烯磁场感应矩形排布阵列结构层相较而言:石墨烯磁场感应圆形排布阵列结构层具有较高的精度,石墨烯磁场感应矩形排布阵列结构层具有抗干扰性更好;但两者对外界磁场的测量都具有较高的灵敏度。

    基于电场传感芯片的抗干扰非接触式电压测量方法、装置

    公开(公告)号:CN114563619B

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202210354626.7

    申请日:2022-04-06

    Abstract: 本申请涉及一种基于电场传感芯片的抗干扰非接触式电压测量方法、装置以及电压传感器。该方法包括:获取第一、第二、第三、第四、第五、第六电场强度;第一、第二、第三和第四电场强度的方向均沿预设圆环区域的半径向外,第一、第二、第三和第四电场强度的测量位置依次等间隔分布于预设圆环区域的边界上,第五电场强度与第四电场强度的测量位置相同且第五电场强度的方向与预设圆环区域的切线方向相同,第六电场强度与第二电场强度的测量位置相同且第六电场强度的方向与第五电场强度的方向相反。根据第一、第、第三、第四、第五、第六电场强度以及半径得到待测导线的电压。采用该方法可以灵活应对各种安装位置的待测导线,且安全性高、使用方便。

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