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公开(公告)号:CN111817010A
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN202010488314.6
申请日:2020-06-02
申请人: 杭州电子科技大学
IPC分类号: H01Q15/00
摘要: 本发明涉及反射带可开关型三维宽带吸收式频率选择结构。以往的频率选择结构基本都为无源结构,功能单一,很难对不同环境做出不同的反应。并且少数报道的加载了电调控元件的反射型频率选择结构往往工作频带较窄,工作场合受限。本发明采用双谐振器结合的方式,并通过二极管控制其中一个谐振器的工作状态实现该频率选择结构的反射带的开启与关闭,从而实现工作模式的改变,这大大提升了该频率选择结构的灵活性,拓展了其应用前景。
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公开(公告)号:CN111682308A
公开(公告)日:2020-09-18
申请号:CN202010474214.8
申请日:2020-05-29
申请人: 杭州电子科技大学
IPC分类号: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q5/307 , H01Q5/50 , H01Q13/10 , H01Q15/24 , H01P3/18 , H01P3/12 , H01P1/207
摘要: 本发明涉及具有滤波功能的单层双圆极化背腔行波天线。大多数背腔滤波天线为多腔结构,虽然能实现较好的滤波特性,但是其高剖面、大尺寸、高成本等缺点限制这类滤波天线的应用。本发明在单层单个基片集成波导腔体中进行了天线和滤波器的一体化设计,同时实现了带通滤波器和圆极化辐射器的功能。此外,分别对该滤波天线的不同端口进行馈电,另一个端口接负载可分别实现左旋圆极化和右旋圆极化辐射。该滤波天线具有较好的滤波特性、较宽的带宽、较高的增益,且结构简单易于加工制作。
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公开(公告)号:CN109672012B
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201811319750.X
申请日:2018-11-07
申请人: 杭州电子科技大学
摘要: 本发明公开了应用在毫米波频段的宽带RWG与SIW的差分过渡结构。传统的矩形波导与毫米波差分电路的过渡结构整个尺寸大,损耗高。本发明包括依次叠置的第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第二介质基板和第三金属层。所述第一金属层的中部开设有第一工字形槽。第二金属层的中部开设有第二工字形槽。第一介质基板上开设第一SIW矩形谐振腔。第二介质基板上开设第二SIW矩形谐振腔和两个SIW差分传输线结构。两个SIW差分传输线结构分别设置在第二SIW矩形谐振腔的两侧。本发明具有较宽的工作带宽,较低的损耗,较好的相位、幅度的一致性,且集成度高、加工的精度要求较低。
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公开(公告)号:CN110749856A
公开(公告)日:2020-02-04
申请号:CN201910851814.9
申请日:2019-09-10
申请人: 杭州电子科技大学
摘要: 本发明提供了一种基于零化去噪技术的互质阵欠定测向方法,具体包括以下步骤:互质阵布阵并接收阵列数据;数据预处理;构造均匀虚拟阵列数据向量及模型噪声协方差矩阵;迭代求解零化系数;方程求根并测向。该方法相比现有技术的优势在于:首先,在欠定求解过程中引入了对阵列噪声方差的估计,且用零化去噪的技术实现了对互质阵虚拟阵列中的孔洞进行了插值,充分利用了所有的阵元信息以及阵列自由度;其次,本发明对由有限快拍数引起的模型噪声进行了建模,可提高测向精度;最后,本发明提出的方法属于无网格算法,不存在网格效应,也无需进行空域网格扫描。
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公开(公告)号:CN109672012A
公开(公告)日:2019-04-23
申请号:CN201811319750.X
申请日:2018-11-07
申请人: 杭州电子科技大学
摘要: 本发明公开了应用在毫米波频段的宽带RWG与SIW的差分过渡结构。传统的矩形波导与毫米波差分电路的过渡结构整个尺寸大,损耗高。本发明包括依次叠置的第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第二介质基板和第三金属层。所述第一金属层的中部开设有第一工字形槽。第二金属层的中部开设有第二工字形槽。第一介质基板上开设第一SIW矩形谐振腔。第二介质基板上开设第二SIW矩形谐振腔和两个SIW差分传输线结构。两个SIW差分传输线结构分别设置在第二SIW矩形谐振腔的两侧。本发明具有较宽的工作带宽,较低的损耗,较好的相位、幅度的一致性,且集成度高、加工的精度要求较低。
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公开(公告)号:CN108365306A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201810048246.4
申请日:2018-01-18
申请人: 杭州电子科技大学
摘要: 本发明涉及新型双极化低通带吸型频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构都采用带通型频率选择结构,此类结构通带带宽有限,并且很难覆盖低频。本发明采用单环反射平面,结合单环电路模拟吸收器,搭建出双极化低通带吸型频率选择结构,能够实现低频通带内低插入损耗,并在临近高频处产生一个较宽的吸波带。
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公开(公告)号:CN110995163B
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN201911176462.8
申请日:2019-11-26
申请人: 杭州电子科技大学
IPC分类号: H03D7/16
摘要: 本发明公开了一种基波混频和谐波混频杂交型毫米波双频带无源混频器,其包括第一级环形混频核、第二级环形混频核、本振分配网络、准双工器、射频巴伦和负载电容;通过在两级环形混频核之间引入准双工器,得到了两条不同的变频路径,其中一条变频路径(路径一)为基波混频,适用于毫米波低频带,另一条变频路径(路径二)为谐波混频,适用于毫米波高频带;通过合理配置本振频率,该混频器不仅能在两个不同的毫米波频段之间切换使用,还能在两个频段同时工作。
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公开(公告)号:CN113922073B
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202111163271.5
申请日:2021-09-30
申请人: 杭州电子科技大学
摘要: 本发明涉及一种紧凑型高增益单馈毫米波背腔贴片滤波天线。本发明天线具体是在单个基片集成波导腔体中进行了天线和滤波器的一体化设计,通过耦合缝隙对谐振腔进行馈电,将具有低损耗特点的介质集成波导技术和谐振腔的高阶模相结合,用一个简单的馈电网络实现了紧凑的低剖面滤波天线子阵。由于不含额外的滤波电路,本发明解决了介质集成波导相对于微带线尺寸较大所引起的基于介质集成波导技术的滤波天线的馈电结构过于冗杂的问题。此外该设计不仅在引入滤波特性的同时保持了尺寸的紧凑还避免了不必要的插入损耗。由于馈电结构的简单可方便地用于大型阵列的构建。总之,本发明的天线具备结构紧凑,低剖面,高选择性,高增益和宽工作带宽的特点。
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公开(公告)号:CN112332087B
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202011179113.4
申请日:2020-10-29
申请人: 杭州电子科技大学
摘要: 本发明公开一种基于超表面结构的差分馈电圆极化滤波天线。本发明包括辐射结构和馈电结构两个组成部分:天线顶层的辐射结构是由周期性分布的超表面结构单元组成的超表面结构,在每个超表面结构单元的对角线上加载两个接地金属通孔;天线底层的馈电结构是由微带耦合线和U形槽线构成的滤波巴伦差分馈电结构。本发明圆极化滤波天线通带内的增益比较稳定,带外抑制明显,增益的频率选择性较好,实现了较好的滤波性能。此外,阻抗带宽和轴比带宽可以分开独立调节,使轴比频率更稳定。
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公开(公告)号:CN112768909B
公开(公告)日:2022-05-20
申请号:CN202011593152.9
申请日:2020-12-29
申请人: 杭州电子科技大学
摘要: 本发明涉及具有滤波功能的背腔圆极化贴片天线阵列。本发明在单层单个基片集成波导腔体中进行了天线和滤波器的一体化设计,通过引入谐振腔的TM120、TM210和微带贴片的TM10、TM01模实现了较宽的阻抗带宽。然而轴比带宽相对阻抗带宽要窄很多。因此,为了进一步拓宽天线的有效工作带宽,本发明进行了阵列设计。通过旋转顺序馈电的方式和在介质集成波导上引入二阶高通滤波器,在拓宽天线轴比带宽,提高天线增益的同时也对天线的滤波效果进行了进一步的优化。
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