乙烯醇系聚合物膜
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105431751B

    公开(公告)日:2018-04-06

    申请号:CN201480042973.X

    申请日:2014-08-05

    Abstract: [课题]提供可容易地制造光学特性、色相和耐久性均优异的光学膜的PVA膜,以及使用了该PVA膜的光学膜的制造方法。[解决方案]PVA膜,由自旋‑自旋弛豫时间T2求出结晶成分量(a1)、约束非晶成分量(a2)和非晶成分量(a3)时,结晶成分量(a1)和约束非晶成分量(a2)的合计在结晶成分量(a1)、约束非晶成分量(a2)和非晶成分量(a3)的合计中所占的比例为10~32%,自旋‑自旋弛豫时间T2是通过在60℃下处理1小时后进行脉冲NMR测定(观测核:1H)而得到的;以及,使用该PVA膜的光学膜的制造方法,该制造方法具备进行单轴拉伸的工序。

    聚乙烯醇膜和偏振膜
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104640912A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201380049685.2

    申请日:2013-09-19

    CPC classification number: C08J5/18 C08J2329/04 G02B5/3033

    Abstract: [课题]提供能够降低拉伸时产生的褶皱、拉伸应力低、拉伸时的断裂得以降低、能够收率良好地制造薄型的偏振膜的PVA膜、其制造方法,以及即使在制造薄型的偏振板的情况下也难以产生翘曲的偏振性能优异的偏振膜。[解决方案]PVA膜,其是溶胀度(A)为190~210%且厚度为40μm以下的PVA膜,在30℃的水中以3倍的拉伸倍率进行拉伸后的溶胀度(B)为260%以上;制造方法,其是溶胀度(A)为190~210%且厚度为40μm以下的PVA膜的制造方法,将溶胀度(A)为250%以上的PVA膜以55~100℃的温度、80%RH以上的相对湿度湿热处理200秒以上;以及,偏振膜,其是二色性比为55以上的偏振膜,在使取向方向固定的状态下以80℃的温度、5%的相对湿度经过1小时的取向方向的收缩应力为73N/mm2以下。

    液压转印用基膜
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104185559A

    公开(公告)日:2014-12-03

    申请号:CN201380014947.1

    申请日:2013-03-06

    CPC classification number: B26D1/245 B26D1/02 B26D2001/0053 B44C1/1733

    Abstract: 本发明的课题在于,提供一种从卷中抽出时难以断裂的液压转印用基膜及其制造方法。其解决方法在于:液压转印用基膜1,沿厚度方向测定裁切剖面3的表面粗糙度时,在最大峰高度(Rp)为5μm以上的情况下,赋予该最大峰高度(Rp)的位置5位于距离厚度方向的单侧为20~80%的位置,在最大峰高度(Rp)不足5μm的情况下,算术平均高度(Ra)为2μm以下;一种液压转印用基膜的制造方法,其包括使用剪切刀片来裁切膜的工序,上刀片的刀尖角度为30~90°,上刀片与下刀片的重叠量为0.1~0.8mm,夹角为2~100°,上刀片没有驱动;以及,一种液压转印用基膜的制造方法,其包括使用剃刀刀片进行裁切的工序,剃刀刀片的刀尖的最大高度(Rz)不足1μm。

    液压转印用基膜
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103847412A

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201310634762.2

    申请日:2013-12-03

    Abstract: 本发明涉及液压转印用基膜。提供一种能形成能充分防止漂浮在液面上时的卷曲、转印效率优异的液压转印用膜的液压转印用基膜及其制造方法。本发明是含有聚乙烯醇和含仲烷基的表面活性剂的液压转印用基膜以及液压转印用基膜的制造方法,该方法包括使用含有聚乙烯醇和含仲烷基的表面活性剂的制膜原液进行制膜的工序。液压转印用基膜中,相对于100质量份的聚乙烯醇,优选含有0.05~4质量份的含仲烷基的表面活性剂,此外,至少一个面的算数平均粗糙度(Ra)优选为400nm以下。

    偏振膜和其制造方法
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114174875B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202080054928.1

    申请日:2020-07-27

    Abstract: 偏振膜,其包含聚乙烯醇(A)、规定的单硼酸和能够在水的存在下转化为该单硼酸的化合物中的至少1种的含硼化合物(B)、以及硼酸(C),从厚度方向的中心起向外侧至1μm的范围中的源自含硼化合物(B)的硼元素浓度(α)为0.1 3原~子%,从厚度方向的中心起向外侧至1μm的范围中的源自硼酸(C)的硼元素浓度(β)为0.1~8原子%,且浓度(α)相对于浓度(β)之比(α/β)为0.1以上。该偏振膜在高温下的收缩力小、光学性能也优异。

    偏振膜和其制造方法
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111727387B

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN201980009995.9

    申请日:2019-01-24

    Abstract: 偏振膜,其包含聚乙烯醇(A)、选自下述式(I)所表示的二硼酸和能够在水的存在下转化为该二硼酸的化合物中的至少1种的含硼化合物(B)、以及硼酸(C),前述偏振膜的从表面起向内侧至1μm的范围中的源自含硼化合物(B)的硼元素浓度(α)为1~7原子%,从中心起向外侧至1μm的范围中的源自含硼化合物(B)的硼元素浓度(β)为0.1~2原子%,且浓度(α)相对于浓度(β)之比(α/β)为1.5以上。该偏振膜的偏振性能和色相良好,而且收缩力低。[式(I)中,R1是碳原子数为1~20的2价有机基团,R1与2个有机硼酸基通过硼‑碳键连接]。

    偏振膜和其制造方法
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114174875A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202080054928.1

    申请日:2020-07-27

    Abstract: 偏振膜,其包含聚乙烯醇(A)、规定的单硼酸和能够在水的存在下转化为该单硼酸的化合物中的至少1种的含硼化合物(B)、以及硼酸(C),从厚度方向的中心起向外侧至1μm的范围中的源自含硼化合物(B)的硼元素浓度(α)为0.1~3原子%,从厚度方向的中心起向外侧至1μm的范围中的源自硼酸(C)的硼元素浓度(β)为0.1~8原子%,且浓度(α)相对于浓度(β)之比(α/β)为0.1以上。该偏振膜在高温下的收缩力小、光学性能也优异。

    粘接剂和偏振板
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113544230A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202080021117.1

    申请日:2020-03-12

    Abstract: 提供能够制造偏振板的粘接剂和使用该粘接剂而得到的偏振板,所述偏振板在高温耐久试验中能够充分抑制光透射率的降低。粘接剂,其是用于将包含聚乙烯醇的偏振膜与包含纤维素酯系树脂的保护膜进行粘接的偏振板制造用粘接剂,其包含酸捕捉剂和除上述酸捕捉剂之外的不挥发成分,上述酸捕捉剂的含量相对于上述不挥发成分100质量份为0.1质量份以上。

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