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公开(公告)号：CN101062779A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610031592.9
申请日：2006-04-29
Applicant: 湖南大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 一种制备In2O3纳米线的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种低温原位生长In2O3纳米线的方法。它采用真空加热系统，通过对依次镀有In膜和Au膜的基片进行两次退火，从In膜上原位生长出In2O3纳米线。第一次退火是在高纯氩气保护下进行130℃退火。第二次退火是在氩气和氧气组成的混合气体环境中进行400℃退火。利用该方法，通过改变In膜的厚度可制备出直径为～10纳米的细直纳米线和尖端直径为～10纳米的锥形纳米线。本发明提供的原位生长In2O3纳米线的方法可用于原位制备场发射器件和气体传感器件。
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