公开(公告)号：CN114585683A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202180005802.X

申请日：2021-02-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 四宫圭亮 ,  森下友尭

IPC: C08L63/00 ,  C08L29/14 ,  C08K9/04 ,  C08K3/36 ,  C08J5/18 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种热固性树脂膜，将尺寸为10mm×10mm×1mm的所述热固性树脂膜用作第一试验片，从将所述第一试验片投入至自动固化时间测定装置“MADOKA”的带凹槽的样品架的加热至180℃的不锈钢板上的时间点起、到使用搅拌叶片进行加热搅拌时搅拌叶片的扭矩达到2.5gf·cm的时间点为止的凝胶化时间为300s以上。

公开(公告)号：CN114555697A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202180005977.0

申请日：2021-02-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 四宫圭亮 ,  森下友尭

IPC: C08L29/14 ,  C08L63/02 ,  C08L63/08 ,  C08J5/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种树脂膜，所述树脂膜为热固性的树脂膜，将热固化前的所述树脂膜用作第一试验片，通过差示扫描量热法(DSC)在升温速率为10℃/分钟的等速升温条件下对第一试验片进行分析而得到的100～300℃范围的放热量为100J/g以下。

公开(公告)号：CN113165118A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077442.7

申请日：2019-11-05

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 四宫圭亮

IPC: B23K26/36 ,  H01L21/60 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括：在形成有多个凸块(22)的带凸块构件(2)的凸块形成面(2A)形成树脂层(13)的工序；对树脂层(13)照射激光(LB)来除去覆盖了凸块(22)表面的树脂层(13)的工序。

公开(公告)号：CN111344850A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880072997.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐藤明德 ,  四宫圭亮 ,  坂东沙也香

IPC: H01L21/60 ,  G01N23/2273 ,  H01L21/304

Abstract: 本实施方式的带第一保护膜的半导体芯片具备半导体芯片、与形成于所述半导体芯片的具有凸块的面上的第一保护膜，在通过X射线光电子能谱法对所述凸块的头顶部进行分析时，锡的浓度相对于碳、氧、硅及锡的合计浓度的比例为5％以上。