聚合物发光二极管
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101107728A

    公开(公告)日:2008-01-16

    申请号:CN200680002904.1

    申请日:2006-01-13

    CPC classification number: H01L51/5032

    Abstract: 发光二极管(1)具有第一电极(3),第二电极(4),包括基体的发光层5(5)和离子。阳离子受体(CR)的层(6)定位相邻于第一电极(3),阳离子受体(CR)的层(6)具有捕获的阳离子并产生固定的阳离子(+)。阴离子受体(AR)的层(7)定位相邻于第二电极(4),阴离子受体(AR)的层(7)具有捕获的阴离子并产生固定的阳离子(-)。当二极管(1)暴露在正偏压下时,离子梯度在光(L)的发射中提供快速响应。通过首先形成上述结构的叠层(2)来制作二极管(1)。叠层(2)暴露在正偏压下以使离子在各个受体(CR,AR)的各个位置(S1,S2)处变为固定。

    使用双层光刻抗蚀剂作为用于光学存储的新材料

    公开(公告)号:CN1726545A

    公开(公告)日:2006-01-25

    申请号:CN200380106413.8

    申请日:2003-11-20

    CPC classification number: G11B7/258 G11B7/2433

    Abstract: 一种光信息存储介质(1),包括载体基片(5)、反射信息层(10)和合金夹杂物(6),该反射信息层(10)布置在载体基片(5)上且包括处于第一结构相态的第一无机材料的至少第一层(11)和处于至少第二结构相态的至少第二无机材料的至少第二层(12)。该合金夹杂物(6)基于暴露于第一电磁辐射而形成在信息层(10)中,并且具有微结构,该微结构包括处于第一结构相态的第一材料和处于至少第二结构相态的至少第二材料的混合物。该合金夹杂物的光学特性不同于初沉积信息层的光学特性,以便响应于朝向光信息存储介质(1)发射的第二电磁辐射,分别提供从合金夹杂物和从包括初沉积信息层的区域反射回来的电磁辐射中的调制,以提供读出信号。还提供了制造和读取这样的介质的方法。实现了以不同辐射波长(包括紫外光)进行高密度记录/读取,并且与标准CD和DVD介质兼容。

Patent Agency Ranking