公开(公告)号：CN104956472A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201380066286.7

申请日：2013-12-18

Applicant: 美商楼氏电子有限公司

Inventor： S·R·吉尔古耶夫 ,  C·E·弗斯特 ,  T·S·约根森

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H02H9/04 ,  B81B3/0027 ,  B81B2201/0257 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/7816 ,  H02H9/046 ,  H02M3/07 ,  H04R1/04 ,  H04R2201/003

Abstract: 一种电子芯片包括电荷泵和至少一个高压HV静电放电ESD模块。电荷泵被配置为提供麦克风两端的预定电压。本文描述的器件在标准低压CMOS工艺中实现并且具有提供内在ESD保护电平(当断电时)的电路拓扑，内在ESD保护电平高于工作(预定)DC电平。至少一个高压HV静电放电ESD模块连接至电荷泵的输出。HV ESD模块被配置为针对电荷泵和连接至该芯片的微机电系统MEMS麦克风提供ESD保护。所述至少一个HV ESD模块包括多个PMOS晶体管或NMOS晶体管，所述多个PMOS晶体管或NMOS晶体管具有在PMOS晶体管或NMOS晶体管中的选择的晶体管内形成的至少一个高压NWELL/DNWELL区。所述至少一个高压NWELL/DNWELL区具有足够的击穿电压以使得能够使用低压工艺来构造该芯片并且还使得HV ESD模块能够为该芯片提供ESD保护。