公开(公告)号：CN105244441A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510644931.X

申请日：2015-10-08

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 习鹤 ,  吕玲 ,  唐诗 ,  罗莉 ,  马晓华 ,  张春福 ,  郝跃

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC分类号： Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/4226 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/004

摘要： 本发明公开了一种基于四苯乙烯聚合物空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法，主要解决现有空穴传输材料成本高、载流子迁移率低和性质不稳定的问题。其自下而上包括：衬底(1)、阴极(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)、阳极(6)，其中空穴传输层(5)采用厚度为80～200nm的四苯乙烯-三苯胺聚合物TPE-TPA，并通过旋涂TPE-TPA前驱体溶液的方法来制备空穴传输层。本发明的空穴传输层能有效抑制光活性层与空穴传输层间的紧密接触，减少界面处的载流子复合几率，改善界面特性，有效提高了钙钛矿太阳能电池的性能，可用于光电转化。

公开(公告)号：CN104051627A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410276254.6

申请日：2014-06-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王之哲 ,  张春福 ,  陈大正 ,  吕玲 ,  汪瑛 ,  郝跃 ,  唐诗 ,  罗莉

IPC分类号： H01L51/48

CPC分类号： Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/4246

摘要： 本发明公开了一种改进的并联叠层有机太阳能电池的制备方法，本发明通过层压技术巧妙地去掉了传统叠层结构中的中间连接层，使两种给体材料分别与一种受体材料形成了体异质结结构的子节电池，使两个有效层直接相连接,使叠层电池的效率能得到进一步的提高。由于中间连接层的消失，避免了光通过此层时的附带吸收，有利于器件对光的有效吸收；避免了它的存在而引入的电阻，有利于器件电学性能的提高；使叠层电池总的材料层数大大减少，结构大大简化，这使得制造工艺更简单，工艺流程更易控制，器件成本也因此大大降低。

公开(公告)号：CN114496934B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202210090171.2

申请日：2022-01-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 武玫 ,  李仕明 ,  杨凌 ,  王平 ,  侯斌 ,  张濛 ,  吕玲 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/8258 ,  H01L27/088

摘要： 本发明公开了一种GaN HEMTs与顶层氢终端金刚石MOSFETs集成结构及其制备方法，该方法包括：提供外延产品，并在AlGaN势垒层上生长SiN介质层和金刚石层；刻蚀去除部分金刚石层后，在SiN介质层刻蚀源电极槽和漏电极槽，并制作HEMT器件的第一源、漏电极；对金刚石层进行氢终端处理，并在氢终端金刚石上制作MOSFET器件的第二源、漏电极；在氢终端金刚石上沉积Al2O3，形成栅介质层；在SiN介质层上制作HEMT器件的第一栅电极；在栅介质层上制作MOSFET器件的第二栅电极。本发明实现了n型GaN HEMT与p型金刚石MOSFET两种器件的异质集成，有利于减小器件体积，提高集成度，为高温CMOS应用提供解决方案；同时调制了GaN HEMTs的热产生分布，提升器件散热能力。

公开(公告)号：CN116314268A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310280147.X

申请日：2023-03-21

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 曹艳荣 ,  吕航航 ,  马毛旦 ,  王志恒 ,  张新祥 ,  陈川 ,  吴琳姗 ,  许晟瑞 ,  吕玲 ,  郑雪峰 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

摘要： 本发明公开了一种抑制自热效应的氮化镓器件，包括：金刚石衬底、石墨烯层、氮化镓缓冲层、P型氮化镓层、铝镓氮势垒层、钝化层、金刚石散热层、漏极、栅极和源极；金刚石衬底、石墨烯层和氮化镓缓冲层由下至上依次设置；漏极和源极分别位于氮化镓缓冲层上；铝镓氮势垒层位于漏极和源极之间；钝化层位于铝镓氮势垒层的表面；栅极下端穿过钝化层与铝镓氮势垒层接触；P型氮化镓层位于氮化镓缓冲层内部；金刚石散热层位于钝化层的表面。本发明还提供一种抑制自热效应的氮化镓器件的制备方法，本发明从提高器件散热能力和调制栅漏电场两个维度来抑制器件的自热效应，因此可较大程度的降低器件温度、抑制自热效应、改善器件因升温而造成的性能退化。

公开(公告)号：CN114914363A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210590797.X

申请日：2022-05-27

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 习鹤 ,  丁李淞 ,  徐庄婕 ,  吕玲 ,  张春福 ,  朱卫东 ,  陈大正

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

摘要： 本发明涉及一种高效稳定钙钛矿太阳能电池及其制备方法，在钛矿太阳能电池制备过程中，通过在钙钛矿前驱体溶液中加入钝化缺陷添加剂制备的钙钛矿薄膜作为钙钛矿吸光层，钝化缺陷添加剂的小分子结构包括磺酰基、氨基、氟基和苯环，其中，磺酰基O＝S＝O结构可以有效抑制氧元素对于钙钛矿的影响，延长钙钛矿器件的使用寿命，而且氨基提高了O＝S＝O和Pb2+的配位能力，大大减少了钙钛矿吸光层中的空位缺陷，对薄膜中的缺陷位置起到了钝化作用，很大程度上减少了薄膜的缺陷，提高了光电转化效率。氟基团有着较强的疏水性，这对于提高钙钛矿薄膜在常温下稳定性有着重要意义，又是钙钛矿和HTL之间有效电荷传输的桥梁，从而大大地提高了钙钛矿薄膜有效电荷的传输效率。

公开(公告)号：CN111063806B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201911300093.9

申请日：2019-12-16

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 习鹤 ,  朱伟佳 ,  张春福 ,  吕玲 ,  曹艳荣

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

摘要： 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层上淀积Base衍生物有机空穴传输材料以形成空穴传输层；(e)在所述空穴传输层上制作阳极以完成所述钙钛矿太阳能电池的制备。本发明公开的太阳能电池工艺简单，成本较低；同时，制备的太阳能电池具有较高的转化率和稳定性。

公开(公告)号：CN113594236A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110856863.9

申请日：2021-07-28

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郑雪峰 ,  淡一涛 ,  王小虎 ,  杜鸣 ,  吕玲 ,  曹艳荣 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件抗单粒子烧毁能力低的问题，其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、钝化层(5)，该钝化层的两端设有源极(6)和漏极(7)，源极的右侧设有与源极之间距离为1～5μm的p‑GaN层(4)，该p‑GaN层上方设有栅极(8)，该栅极上连接有栅场板(9)，该漏极的左侧设有与漏极相连的n型半导体漏极场板(10)，该n型半导体漏极场板与势垒层之间的距离为10～100nm。本发明有效提高了p‑GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力，可用于工作在空间辐照环境中的航天电子系统。

公开(公告)号：CN112466769A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011311567.2

申请日：2020-11-20

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郑雪峰 ,  马晓华 ,  龚星星 ,  张豪 ,  王冲 ,  吕玲 ,  马佩军 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种HEMT器件沟道区电场分布测试图形及其制备方法、测试方法，应用于圆形电容结构的HEMT器件，主要解决现有技术不能对HEMT器件沟道电场强度分布进行测量的的问题。其实现方案是：在待测HEMT器件上制作辅助测试结构，即位于栅极和漏极之间势垒层中的一系列欧姆接触电极，然后将被测HEMT器件加上关态偏置，依次测量辅助测试结构中每个欧姆电极到地的电压，最后将相邻电极的电压差值除以待测欧姆电极与栅极距离的差值，即得到沟道电场强度分布。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析器件耐压特性与提高器件可靠性提供重要依据。

公开(公告)号：CN109473343B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201811088560.1

申请日：2018-09-18

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 吕玲 ,  严肖瑶 ,  习鹤 ,  曹艳荣 ,  马晓华 ,  张进成

IPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的方法，包括在预设的辐照温度、质子注量和质子能量的条件下，对AlGaN/GaN HEMT器件进行质子辐照。本发明实施例采用一定注量和能量的质子对AlGaN/GaN HEMT器件进行辐照，入射的质子会填充器件中存在的固有点缺陷，从而减小缺陷密度，降低缺陷对载流子的捕获，增加电荷密度，减少了栅泄露电流，提高了器件的最大饱和电流和跨导，进而改善了器件的电学性能。

公开(公告)号：CN107170821B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201710198226.0

申请日：2017-03-29

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毛维 ,  边照科 ,  王海永 ,  郝跃 ,  马晓华 ,  杨眉 ,  吕玲 ,  祝杰杰

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种浮空型漏场板电流孔径器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧刻有两个源槽(8)，两个源槽处淀积有两个源极(9)，除肖特基漏极底部以外的所有区域完全覆盖有钝化层(13)，两侧的钝化层内制作有浮空型漏场板(12)，该浮空型漏场板是由多个相互独立的浮空场板和一个与肖特基漏极电气连接的第一场板构成，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。