公开(公告)号：CN103606560B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310497908.3

申请日：2013-10-22

申请人： 石以瑄 ,  邱树农 ,  邱星星 ,  石宇琦

发明人： 石以瑄 ,  邱树农 ,  邱星星 ,  石宇琦

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/10

摘要： 本发明涉及一种可减小轴向微裂缝影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，利用在器件和电路制造时，控制所述晶体管的沟道区或通道区长轴和可能在沟道区或通道区中引发的单一轴向微裂缝长轴之间所成的角度(?)在接近90度，或者控制所述晶体管的沟道区或通道区长轴和可能在沟道区或通道区中引发的多轴向微裂缝长轴之一之间所成的角度(?)在接近90度，可使此一高电荷迁移率晶体管在通道中所引发的微裂缝不致对通道电流有太大的影响，以达成减小或免除晶体管器件和微波集成电路的电子特性因沟道区或通道区中引发的轴向微裂缝而变差的目的，来稳定操作功能。所述晶体管的复合外延层可以沉积到砷化镓，硅，蓝宝石或碳化硅基座或衬底上。

公开(公告)号：CN103618003B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310577768.0

申请日：2013-11-18

申请人： 石以瑄 ,  邱树农 ,  邱星星 ,  石宇琦

发明人： 石以瑄 ,  邱树农 ,  邱星星 ,  石宇琦 ,  吴杰欣

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/47

摘要： 本发明涉及一种具有改良栅极的高电子迁移率晶体管，用于高功率的切换和放大。在制造一个高电荷迁移率晶体管以及包含该晶体管的微波集成电路和交换电路时，采用镍铬合金或镍钨合金作为第一栅极层的材料，以钝化在沉积栅极之前抽真空的步骤中，无法去除并已吸附和扩散到复合外延通道层表面上的氧或水的分子，从而达到增强一个高电荷迁移率晶体管及其所制成的微波集成电路和交换电路的功能及稳定性。

公开(公告)号：CN103824854A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410062264.X

申请日：2014-02-22

申请人： 石以瑄 ,  邱树农 ,  邱星星 ,  石宇琦

发明人： 石以瑄 ,  邱树农 ,  吴杰欣 ,  邱星星 ,  石宇琦

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及一种改进线宽均匀性及减少通道中缺陷，并基于高电子迁移率晶体管的交换电路及微波集成电路。在制造基于高电子迁移率晶体管的交换电路和微波集成电路时，去除了影像场分界区或电路切割区中复合外延层材料以减小变形量而改进临界线宽的均匀性，从而达到增强一个高电子迁移率晶体管及其所制成的交换电路和微波集成电路的功能及稳定性。